IPC-A-610E CN2010年4月 - 第255页
⽬标 - 1，2，3级 • 无侧 面 偏移 。 可接受 - 1，2级 • 最 大 侧 面 偏移 （ A ） 为城 堡宽度 （ W ） 的 50% 。 可接受 - 3级 • 最 大 侧 面 偏移 （ A ） 为城 堡宽度 （ W ） 的 25% 。 缺 陷 - 1，2级 • 侧 面 偏移 （ A ）大于城 堡宽度 （ W ）的 50% 。 缺 陷 -3 级 • 侧 面 偏移 （ A ）大于城 堡宽度 （ W ）的 25% 。 1 2 图8…
无引线片式元器件的城堡形端子形成的连接应当满足下表中各级产品相应的尺寸及焊料填充要求。
焊料填充可接触元器件底部。
表8-4 尺⼨要求 - 城堡形端⼦
参数 尺⼨ 1级 2级 3级
最大侧面偏移 A 50%（W）；注1 25%（W）；注1
末端偏移 B 不允许
最小末端连接宽度 C 50%（W） 75%（W）
最小侧面连接长度 D 注3 城堡深度
最大填充高度 E 注1，注4
最小填充高度 F 注3 （G）+ 25%（H）（G）+ 50%（H）
焊料厚度 G 注3
城堡高度 H 注2
焊盘长度 S 注2
城堡宽度 W 注2
注1：不违反最小电气间隙。
注2：未作规定的尺寸或尺寸变量，由设计决定。
注3：润湿明显。
注4：最大填充可以延伸至城堡的顶部，只要焊料不接触元器件本体。
图8-71
8 表⾯贴装组件
8.3.4 城堡形端⼦
8-42 IPC-A-610E-2010
2010年4月
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⽬标 - 1，2，3级
• 无侧面偏移。
可接受 - 1，2级
• 最大侧面偏移（A）为城堡宽度（W）的50%。
可接受 - 3级
• 最大侧面偏移（A）为城堡宽度（W）的25%。
缺陷 - 1，2级
• 侧面偏移（A）大于城堡宽度（W）的50%。
缺陷 -3级
• 侧面偏移（A）大于城堡宽度（W）的25%。
1
2
图8-72
1. ⽆引线芯⽚载体
2. 城堡型端⼦
A
A
H
W
A
图8-73
8 表⾯贴装组件
8.3.4.1 城堡形端⼦，侧⾯偏移（A）
8-43IPC-A-610E-2010
2010年4月
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可接受 - 1，2，3级
• 无末端偏移。
缺陷 - 1，2，3级
• 末端偏移（B）。
⽬标 - 1，2，3级
• 末端连接宽度（C）等于城堡宽度（W）。
可接受 - 1, 2级
• 最小末端连接宽度（C）等于城堡宽度（W）
的50%。
可接受 - 3级
• 最小末端连接宽度（C）等于城堡宽度（W）
的75%。
缺陷 - 1，2级
• 末端连接宽度（C）小于城堡宽度（W）的
50%。
缺陷 -3级
• 末端连接宽度（C）小于城堡宽度（W）的
75%。
B
图8-74
C
W
图8-75
8 表⾯贴装组件
8.3.4.2 城堡形端⼦，末端偏移（B）
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8.3.4.3 城堡形端⼦，最⼩末端连接宽度（C）
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