IPC-A-610E CN2010年4月 - 第256页

可接受 - 1，2，3级 • 无末端偏移 。 缺 陷 - 1，2，3级 • 末端偏移 （ B ） 。 ⽬标 - 1，2，3级 • 末端连 接 宽度 （ C ） 等 于城 堡宽度 （ W ） 。 可接受 - 1 , 2级 • 最小末端连 接 宽度 （ C ） 等 于城 堡宽度 （ W ） 的 50% 。 可接受 - 3级 • 最小末端连 接 宽度 （ C ） 等 于城 堡宽度 （ W ） 的 75% 。 缺 陷 - 1，2级 • 末端连 …

100%1 / 416
⽬标 - 1，2，3级
• 无侧面偏移。
可接受 - 1，2级
• 最大侧面偏移（A）为城堡宽度（W）的50%。
可接受 - 3级
• 最大侧面偏移（A）为城堡宽度（W）的25%。
缺陷 - 1，2级
• 侧面偏移（A）大于城堡宽度（W）的50%。
缺陷 -3级
• 侧面偏移（A）大于城堡宽度（W）的25%。
1
2
图8-72
1. ⽆引线芯⽚载体
2. 城堡型端⼦
A
A
H
W
A
图8-73
8 表⾯贴装组件
8.3.4.1 城堡形端⼦，侧⾯偏移（A）
8-43IPC-A-610E-2010
2010年4月
SINGLE USER LICENSE - NOT FOR USE ON A NETWORK OR ONLINE
可接受 - 1，2，3级
• 无末端偏移。
缺陷 - 1，2，3级
• 末端偏移（B）。
⽬标 - 1，2，3级
• 末端连接宽度（C）等于城堡宽度（W）。
可接受 - 1, 2级
• 最小末端连接宽度（C）等于城堡宽度（W）
的50%。
可接受 - 3级
• 最小末端连接宽度（C）等于城堡宽度（W）
的75%。
缺陷 - 1，2级
• 末端连接宽度（C）小于城堡宽度（W）的
50%。
缺陷 -3级
• 末端连接宽度（C）小于城堡宽度（W）的
75%。
B
图8-74
C
W
图8-75
8 表⾯贴装组件
8.3.4.2 城堡形端⼦，末端偏移（B）
8-44 IPC-A-610E-2010
2010年4月
8.3.4.3 城堡形端⼦，最⼩末端连接宽度（C）
SINGLE USER LICENSE - NOT FOR USE ON A NETWORK OR ONLINE
可接受 - 1级
• 润湿填充明显。
可接受 - 1，2，3级
• 焊料从城堡的后墙面延焊盘伸至或超出元器
件的边缘。
缺陷 - 1，2，3级
• 润湿填充不明显。
• 焊料没有从城堡的后墙面延焊盘伸至或超越
元器件的边缘。
可接受 - 1，2，3级
• 最大填充可以延伸超过城堡的顶部，只要焊
料未延伸至元器件本体上。
缺陷 - 1，2，3级
• 焊料填充违反最小电气间隙。
• 焊料延伸超过城堡顶部，接触了元器件本体。
F
D
G
图8-76
H
图8-77
图8-78
8 表⾯贴装组件
8.3.4.4 城堡形端⼦，最⼩侧⾯连接长度（D）
8-45IPC-A-610E-2010
2010年4月
8.3.4.5 城堡形端⼦，最⼤填充⾼度（E）
SINGLE USER LICENSE - NOT FOR USE ON A NETWORK OR ONLINE