IPC CH-65B CHINESE.pdf - 第161页

当 用 半水基 清洗技术来清洗电子组件时,目的 是溶 解 掉 组件 或者元器 件表面上的 脏 物 。 当 洗 涤步骤 完 成, 零 部件通 过 一 系 列的 冲 洗 之后除 掉 了 溶剂 和 已溶 解 的 脏 物 ( 临 时的可 溶 性 阻焊膜 、 非离 子性 的和一 些 颗 粒 状 脏 物 ) ,和 水基 ( 离 子) 残留 。 之后 干燥 零 部件 至 完 全 ,通 常 污染 水 平要达到不可 察 觉 的程 度 。 半水基 清洗 剂…

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11 半⽔基清洗剂、设备和⼯艺优化
本章节述了电气/电子组件、件及用工焊接半水基清洗。半水基清洗用有
溶剂组件,然水冲洗组件上的有机溶剂而清印制线路组件上的助焊剂残留物及其
污染的一个程。I型使非水溶性有机溶剂,而II型采水溶性有机溶剂I
第一步冲上会乳液形态,而II型系统有。半水基艺具体的不包用有机水基溶液或
者无机剂或者涤剂的清洗
这些都包含在水基清洗工章。)其的目标使程中
残留产品料的材料,水溶
件和用工使用相清洗或者程中用不乳液
11.1 ⽬的 目的一个半水基清洗程的工便潜在用以更好地技术,
丰富的用操作它们的半水基清洗程
。本文件到包含了印制线路组装的
操作。其用来半水基清洗的所有面:包清洗设、清洗洗和制。
手册述了两种型号半水基清洗。第一使非水溶性有机溶剂组成I第二
使水溶性有机溶剂组成II。在洗涤阶段之后都要用纯净水冲洗印制线路组件,干燥
手册包含了清洗的成化性物处理和兼容性相关信息。
11.1.1 术语和定义
半⽔基清洗 半水基
清洗用有机溶剂组件,然水冲洗组件上的有机溶剂而清
印制线路组件上的助焊剂残留物及其污染的一个程。I型使非水溶性有机溶剂,而II
水溶性有机溶剂I和第一步冲上会乳液形态,而II型系统有。
半水基艺具体的不包用有机水基溶液或者无机剂或者涤剂的清洗这些都包含在水基
清洗工章。)其的目标使程中的残留
产品料的材料,水溶
BOD 需氧量,在一测试件下有材料生物化学降解量。
碳吸附 吸附中的污染液体或者中杂的一技术。
COD 化学需氧量,材料化为二气量,测试溶液中含有
表示,单位为mg/L
可燃物 个术适用闭口点介于
38° C[100° F]至93.3° C[200° F]液体材料。
倾析 在不影方液体情况液体材料与其不相分离程。
带离液 在组件或者上的液体清洗被从清洗的一段带,并进入
作场所的气中。
乳液 两种或者两种以上的不液体如油,在清洗程下使性和一
性。
破坏臭氧的化学能和起反破坏的化学
⽔质软化 种从水处理
挥发性有机化合物(VOC 化合,有可量的
11.2 半⽔基清洗剂
11.2.1 半⽔基概述 半水基清洗用有机溶剂组件,然水冲洗组件上的有机溶剂
而清线路组件上的助焊剂残留物及其污染的一个程。I型使非水溶性有机溶剂
II型采水溶性有机溶剂I
和第一步冲上会乳液形态,而II型系统
有。半水基艺具体的不包用有机水基溶液或者无机剂或者涤剂的清洗这些都包含在
清洗工章。)其的目标使程中的残留产品料的材料,水溶
IPC-CH-65B-C 20117
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半水基清洗技术来清洗电子组件时,目的是溶组件或者元器件表面上的涤步骤
成,部件通列的之后除溶剂已溶时的可阻焊膜非离子性
的和一,和水基子)残留之后干燥部件,通污染平要达到不可
的程
半水基清洗选择广用有机水溶化学
各不相。大数是由低
溶剂和表面组合而成,可能添加半水基清洗剂是用来去极性(有
)和非极性污染变剂。洗清洗寿命个月到一年,取决
高等级污染性和趋势
半水基溶剂清洗效率大限使取决于溶剂
。一个
是保使17° C[30° F]生溶剂变必须认识溶剂
下限和上限。
半水基清洗设计与用电子组件的数元器件有良好的兼容性。并能提良好
的清洗替半水基清洗助焊剂很好的清洗能力,使是它们含有高浓焊剂残留。一
些常问题溶剂残留
、标化、印章、的兼容性,发和带引
消耗细留意设计和清洗选择,能大限地减少这些问题
明大数半水基清洗剂是发性的有化合。清洗设备应半水基清洗和相
的清洗程而设计。
11.2.2 半⽔基的学性 电子组件的半水基清洗剂是设计用于溶助焊剂残留性和
性的溶质。设计的剂是溶剂能性添加
能性添加剂是用来整特定
范围、、和性能的。在较高的洗下,助焊剂残留能量通会有所提
的清洗示的性有,能解广的松清洗的助焊剂残留,与构造电子元器
材料的兼容性,之后容易洗)
半水基清洗剂基于分子力及间作用力的设计,使清洗污染。与清洗匹配
焊剂残留
示出性、。一性清洗剂溶助焊剂污染
,而非极性清洗剂溶非极性的助焊剂污染物最性有是离子,用
大的制的半水基清洗清洗会半水基清洗中的部分正吸引
于助焊剂离残留中的。相
助焊剂分间的化学
半水基清洗对性无极树
溶”原理是引导设计去理半水基清洗剂分助焊剂残留用力。
于半水基清洗中的溶剂型材料可溶于水,有分溶于水或者溶于水
会影响溶剂中的
性,是因溶剂合。性,所有
能量的和来溶剂溶或者溶于水时,合能量,在情况下,其
构是大的。据助焊剂残留物特点,成反比溶于水溶剂具性。水是冲
,用于半水基清洗中的溶剂是性的,吸引水分吸引非极助焊剂
11.2.3 半⽔基清洗剂 高锡无铅化和微型化对助焊剂的性能提出了更高的要求。于水基清洗
溶剂半水基清洗求有所下。然而,型助焊剂的设计用
性、阻燃性、化性能力,水基清洗
除这些助焊剂残留物变越困难此,现出对半水基清洗求有所,用来
匹配这些助焊剂
半水基清洗剂选低蒸的材料和子量的化合制成。这些溶剂特允许
材料,并情况下工38-71° C[100-160° F]半水基清洗下:
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I型半水基清洗-有限的水溶
II型半水基清洗-易溶于水
11.2.3.1 I型半⽔基清洗剂 I型半水基清洗的设计可溶于水或者分溶于水设计
选择一个化的有化合组合来匹配于助焊剂中的不溶于水非极料。清洗
能与表面,对松脂结吸引力,而对有残留物吸引
力。这种清洗的设计,润湿并在印制电路板表面均匀扩散
成一个单,其中
氧基面相互键合,而与松污染合在一
第二设计考虑进入化学分离冲阶段残留清洗剂分离出来的能力。清洗
成一列不性的这些清洗剂液
其各的表面张力。机械接合设
中提清洗。有时这种的清洗环使用,
有时候则为一收集化合,可为排入的化学分离
流降低化学需氧量和生物需氧量。另外方法吸附法污染
使其能使用。
的用电子组装清洗的不溶于水的化学制下:
11.2.3.1.1 三萜烃类
公司开发替代性的清洗代含类分子对松和一
助焊剂残留物表现出良好性能。萜烯类是广于自中的溶剂萜烯
的电子清洁产品的一半水基清洗溶剂1988-1992年,的出现成为
要的清洗代含
萜烯类产品,在用电子清洗用时其度十分要。杂萜烯
类氧往往
发一刺鼻子气这些物质是较高的材料,并可清洗的部件表面
积。萜烯物具性,此,含萜烯类产品使高纯材料。不仅能
产品性能减少异味
萜烯类是非溶剂在室很好地范围43° C-54° C[110° F-130° F]。适
电子清洗萜烯可为松和一些以助焊剂残留物供良好性。萜烯
方采步冲洗的程。第一步使用一萜烯乳液水协助清洗组件。进入到单
槽后机械方法萜烯分离出来。
11.2.3.1.2 脂肪以脂合了低蒸材料和段共表面
较高
本上异味。主要优点是小的排放量清洗,138° C[280° F]、气
小,助焊剂能力和油脂。主要点是很难助焊剂残留物
匹配
酯配和一清洗助焊剂残留物溶于水用来
水冲效果
已溶助焊剂残留物
使用成膜过分离以进步处理处
或者返到制程中分离的清洗溶剂行收集或者环利或者作行处
可用路。
肪族在大部电子组装程的元器件上表现出的兼容性。技术所来的不
件,接器和对低固
表现去焊剂性能上一个不前
问题
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