IPC CH-65B CHINESE.pdf - 第165页

控 制 也 更 为 困难 。任何一个用来 消除 非离 子污染 物 的新的 处理系统 必须进 行评估 ,然 后 采 取 控 制 措 施 以 确保生产过 程中 这些条 件的 保 持。 为了 满足纯 度 ,任何 半水基 清洗工 艺应 该 对 冲 洗 进 水水 流添加 一个 处理系统 。 这种 系统 至少 应 该 包 含在 净 化工 艺 的 初 始端 和 终 端 的一 套 过 滤 装 置 , 活 性 碳 除 去 不 需 要的有 机 材料, 去离…

100%1 / 215
半水基产品不会除油蒸馏。相们用于批或者在线设,其中部半水基
清洗溶剂用一水基冲行冲洗,然干燥纯净半水基清洗剂是的,
大程上影了工技术。然而,所有这些艺已安全年。
11.2.5 清洗剂的兼容性 必须考虑半水基清洗与用印制线路组件产品中的料、和其
材料的兼容性。大数半水基清洗
会提兼容性数据表。这些数据是作个主要的
兼容性问题导方经历清洗的兼容性和经历清洗的长兼容性。讨论材料与清
的兼容性时要考虑因素是
材料暴露在清洗是什么状态高温暴露的长数据必须自于严格
产品测试方法意义
测试材料产品的一量不
或者增塑材料的兼容
性能。
•比目前的清洗方法作准参的兼容性数据
清洗对所有适用性能材料的影附着力、腐蚀
考虑清洗材料与清洗工和设的兼容性。包于液体高压喷淋超声波能量、干燥步骤
中的高温等等
于测试方法的不同以及与各个生产相关的具体件的要,位用评估半水基清洗
的兼容性测试
11.2.6 半⽔基⼯艺中冲洗⽔的性
半水基水作剂使用。在半水基清洗工中通
水冲阶段。第一个阶段去大部分溶剂溶剂无法去的任何残留物
第二用来确保组件传送干燥阶段的时表面上仅有高纯净水存在。然而,世
一个一个水质大的化。这种水质时影到清洗洗能力和设
性能。
因素应行检查
确认清洗。第一是最检测水纯净方法是测的电
或者、电导率纯净的电阻率18.25MU或者0.55μmhos导率取决组件
的关性,一流入半水基清洗工艺冲阶段阻率应1-5MU。组件
阻率应该越。要满足这种要求消除在组件上的子材料,这些子材料对产品的可
性有不
于非离子污染检测总悬浮TSS、化学和生物需氧量(CODCOB)和/或者
的有机质含量(TOC必须进行测量。这些阻率为复杂,纯净
11-1 列以半⽔基产品的清洗性
萜烯础脂础⽯
⾮直链式
氧化的
° C[° F] >170 [>338] >200 [>392] >200 [>392] >170 [>338] >160 [>320]
° C[° F] 55 [131] >130 [>266] >90 [>194] >70 [>158] >70° C [>158]
比重25° C[77 °F] 0.80-0.90 0.80-0.90 0.8-0.90 1.02-1.08 0.88-0.98
表面张力,dyne/cm
25° C[77° F]
25-30 25-30 27-34 22-28 26-32
味柑 和的 常低 和的
<2.0 <0.2 <0.002 <0.3 <0.3
密度
=1 <1 <7 <1 <4 <5
中的性不 溶溶 分溶
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困难。任何一个用来消除非离子污染的新的处理系统必须进行评估,然
确保生产过程中这些条件的持。
为了满足纯,任何半水基清洗工艺应水水流添加一个处理系统这种系统至少
含在化工始端的一要的有材料,去离脂从
去离子材料。
11.2.6.1 ⽔的
的材料的量通TDS总固量)
的材料量50ppm可能行使用。否则用一或者几种水处理技术化:
化、蒸馏去离或者渗透
11.2.6.2 所有的水应除悬浮物质和其可能或者
平通0.005-
0.010%[50-100PPM]的范围。这些或者
系统使寿命维护维修这些系统紧随着离换柱GAC
用来吸附除这些污染
注:吸附2.3kg[5lbs.]悬浮污染45kg[100lbs]GAC介质
11.2.6.3 软化
导致硬化的物质并用其替这些钠
湿性和腐蚀性,所以建使水作最洗,是软硬度应自时,
定检测。相对大量的生产可能导致问题。此,用化的
用的不适任何电子产品使用。
11.2.6.4 蒸馏 蒸馏
常纯净但如果需要大量的蒸馏成本
11.2.6.5 离⼦交 去离一个去离子的。这种量的
但如水质或者需要大量的比较高了。据自水质量和去离系统设计,系统
情况PH6.0~10.0范围
11.2.6.6 渗透 渗透中,污染的高压
输送过特污染时,
产生源源不渗透个工艺产生阻率常低100000 ohm-cm阻率
在大规模应用时相有用并作离处理
11.3 半⽔基清洗⼯艺
11.3.1 半水基清洗工溶剂脱脂清洗工基于萜烯化合
或者机溶剂
半水基清洗不能在大气下持续蒸馏原因。一个不点是它
燃液体安全隐患,实蒸馏时其一个不点是半水基清洗剂是印制
线路组件上洗下来的。11-1是半水基清洗工艺步骤原理
溶剂清洗 水冲 系统
IPC-65b-11-1-cn
11-1 义的半⽔基化⼯艺全
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11.3.2 ⼯艺参数 半水基清洗几种方法使用,所很难地描述工
。表11-211-3总结了目前实用的工范围。
11.3.3 洗涤阶段 在洗(第一或者溶剂阶段,在半水基清洗溶剂中通过溶印制线路组件表
面上的污染而对印制线路组件清洗。清洗的量有搅拌和清洗时
11.3.4 温度 高温度是半水基清洗溶剂和设的设计来。在大情况下清洗剂应
持在
至少17° C[63° F]这将防火协会标准FPA 301990(易和可燃液体
范)和FPA 341989)的件(和涂使用易燃或者燃液体有一适用OSHA
规定29CFR1 910.106(易和可燃液体)和29CFR1 910.108(含易燃或者燃液体
操作了可贮存在清洗设操作的材料的量。这些规定应考虑
安全、和保险机构协议中的装。本节信息国实总结出的,
规安全作出现在其
11-4 列出了各基于FPA范的各类型燃液体限制。
一个要求果氧在时,液体或者薄雾喷射或者薄雾使
材料
容易点燃可通非原子化)喷射一表面或者超声波
薄雾,设选择小化或者当起系统
11-2 ⾮⽔基(I型)半⽔基清洗剂的清洗⼯艺参数
阶段 清洗 乳液 冲洗 ⼲燥
材料
半水基清洗
或者合的
半水基清洗
要)
于乳液中的
水基清洗
17° C
[63° F]溶剂形
成的小化
电路组件限制,
倾析器除外
电路组件和化学
程限制。
电路组件限制。
遵循溶剂
搅拌
防火
浸泡喷淋超声波
围中)
高压喷淋或者超声波 高压喷淋或者超声波
连续 连续 连续
液体
间风间风
11-3 ⽔溶性(II III型)半⽔基清洗剂的清洗⼯艺参数
阶段 清洗 第⼀⽔冲洗 第⼆步冲洗 ⼲燥
材料
半水基清洗
或者合的
半水基清洗
要)
于乳液中的
水基清洗
70° C
[160° F]且
17° C[63° F]
溶剂形
小化
电路组件限制,
倾析器除外
电路组件和化学
程限制。
电路组件限制。
遵循溶剂
搅拌
防火
浸泡喷淋超声波
围中)
高压喷淋或者超声波 高压喷淋或者超声波
连续 连续 连续
液体
间风间风
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