IPC-7095D-CHINESE NP 2019 - 第47页
IPC-7095D-W AM1 CN 2019 年 1 月 31 尽管聚合物灌封（包覆成型）被广泛应用于芯片 区域，一些 CBGA 封装的器件是密封的（不会吸 收湿气） 。由于这些产品焊球的熔点通常较高 ， 所以在返工时不会塌陷。 CBGA 的缺点在于其高 热容量，这与塑封集成电路有些许不同 ，使得在 开发再流焊温度曲线时的更困难。由于陶瓷封装 和印制板之间热膨胀系数的不匹配，焊点需要进 行物理加固。在焊接和清洁工艺之后 ，通常会在 陶…
IPC-7095D-WAM1 CN 2019 年 1 月
30
强化锡铋焊点的另一种聚合物备选方案是使用含有树脂的低温焊膏，也称为焊点增强焊膏（JRP）。这些焊膏
在其助焊剂成分中含有未固化的树脂。再流焊过程中，当焊膏熔化时，该树脂从熔融焊料中移出，并在外部覆
盖熔融焊料。随着再流焊过程的进行，熔融焊料对金属端子进行润湿，随后助焊剂内的树脂成分胶凝和固化。
再流焊之后，固化的树脂在焊点周围形成了一个填充，提供了必要的机械增强。JRP 工艺本质上是在再流焊过
程中形成部分 BGA 底部填充，而不需要额外的分配和固化步骤。
4.4.2 焊球连接工艺
封装基板通常会被制成含有多个
封装的条状结构（见图 4-11）。焊球放置在金属线键合和
塑封或压模工艺之后进行，对于批量 BGA 组装，会利
用自动或者半自动植球方式。所需尺寸的合金球体（见
表 4-1）可以通过成组的贴片机－采用自动化系统逐个
放置，或采用一个类似模板的夹具进行成批放置。对于
研发用或者仅小批量植球时，可以使用简单的模板夹具
来对焊球精确定位。
然而，总体上焊球的连接工艺都是一样的。在开始阶段
先将焊膏或助焊剂涂敷或印刷在触点图形上，再流焊期
间焊膏或助焊剂保持焊球定位。通常在氮气环境中将焊球再流焊接到基板上。氮气环境可以保证焊球一致的质
量同时避免在再流焊过程中焊球表面氧化。然而，封装与印制板再流焊连接时没有必要使用氮气。共晶焊球可
以提供“可控塌陷”，从而在再流焊过程中提升自对准能力（弥补在组装过程中的某些偏移）。
在使用 PBGA 时需要考虑一些问题。首先是湿敏问题。在返工过程中，要被拆除和替换的元器件周围的湿敏
元器件必须事先进行烘烤和／或避免它们在返工活动中受热。如果塑封 BGA 需要重复使用，那么从印制板组
件上取下封装之后进行 BGA 的重新植球需要特别小心。对于 CBGA 所用的高熔点非塌陷焊球，湿敏问题并不
存在；焊球在返工过程中也不会融化。
当暴露于焊料连接所需的温度时，PBGA 封装也容易翘
曲。在再流焊焊接期间，封装边缘会上翘或者向下弯曲
并严重地影响封装和印制板组件的电气连接界面。较大
封装比较小封装更容易翘曲。封装翘曲是由基板结构、
模封材料和内部硅芯片的热膨胀系数 CTE 不匹配造成
的。当芯片尺寸较大或 BGA 有散热片时，这种问题可
能会更严重。
4.4.3 陶瓷球栅阵列（CBGA）
陶瓷封装的内部连接方
式可以是导线键合或芯片倒装。图 4-12 显示封装为内部
倒装芯片键合。封装配置的芯片可安装在基板的上表面
（腔体朝上）或安装在基板的下表面（腔体朝下）。图 4-13
所示的典型陶瓷封装所用的焊球，是一种熔点为 302°C
的高温合金（SnPb10）。然而，焊球上的连接合金可以
是共晶焊料（SnPb37）。
B
C
D
A
IPC-7095d-4-11-cn
图 4-11 塑封球栅阵列 （PBGA）
A – 封装基板 C– 金属线键合
B– 芯片
D– 封装基板
A
B
C
E
D
IPC-7095d-4-12-cn
图 4-12 热增强型陶瓷球栅阵列（CBGA）封装的
横截面
A– 金属合金散热片
B– 热界面材料
C– 倒装芯片的半导体芯片
D– 焊球
E– 陶瓷氧化铝基板
IPC-7095D-WAM1 CN2019 年 1 月
31
尽管聚合物灌封（包覆成型）被广泛应用于芯片
区域，一些 CBGA 封装的器件是密封的（不会吸
收湿气）。由于这些产品焊球的熔点通常较高，
所以在返工时不会塌陷。CBGA 的缺点在于其高
热容量，这与塑封集成电路有些许不同，使得在
开发再流焊温度曲线时的更困难。由于陶瓷封装
和印制板之间热膨胀系数的不匹配，焊点需要进
行物理加固。在焊接和清洁工艺之后，通常会在
陶瓷载板和有机印制板之间加入环氧树脂基底部
填充材料。
4.4.4 陶瓷柱栅阵列（CCGA）
对于大型的陶
瓷集成电路封装（21mm 至 52.5mm）焊料柱提供
了非塌陷型的表面贴装互连。CCGA 通常为 1mm
和 1.27mm 的节距。业界实验表明，为狭小节距
的 CCGA 元器件焊料柱提供支撑是可行的，节距
可低至 0.8mm，甚至更低。
焊料柱吸收集成电路封装和印制板之间更极端的
CTE 不匹配。CTE 不匹配是普遍存在的，这是由
于集成电路封装和印制板性质不同的连接材料导
致的。陶瓷集成电路封装与印制板之间的 CTE 不
匹配在 x/y 轴上大致为 10 ppm/°C，当温度超过了
印制板的 Tg 额定值，在 z 轴可升至 50 ppm /°C。
随着集成电路封装尺寸的增加，CTE 不匹配变
得越来越明显，尤其是当封装经历多次 -40°C 到
125°C 的宽幅温度循环时，由于极端 CTE 不匹配
引起的应力常常导致大型 CBGA 集成电路封装和
印制板之间的焊点失效和电气失效。
标称长度为 2.2mm 的焊料柱（参见图 4-14）比焊
料球提供更多的柔顺性，以减少由 CTE 不匹配引
起的应力。在严苛的操作条件下，焊料柱吸收应
力并提高焊点的可靠性。
老的焊料柱没有铜缠绕由普通 PbSn10（或铸型）构成，会降低电性能，特别是在较高的频率下。与球栅阵列
BGA 元器件相比，焊料柱增加了整个封装外形的高度。
焊料柱具有从 1mm 到 2.54mm 的各种长度，而标称长度 2.2mm 往往是工业规范。较长的焊料柱（3.81mm）有
助于抬离印制板在集成电路封装的底部安装去耦电容。
焊料柱的直径应该是连接焊盘直径的 75%，以允许 IC 封装连接到印制板之后在焊料柱的两端周围形成恰当的
环形焊料填充。焊料柱可用直径小到 0.2mm 和大到 0.56mm（对于某些应用来说为 0.89mm）。直径 0.5mm 的
焊料柱往往是业界 1mm 和 1.27mm 节距陶瓷 IC 封装的标准。直径 0.3mm 至 0.38mm 的焊料柱用于商业 1mm
节距有机基板（没有焊料球的 PBGA），因为许多 PBGA 类焊盘具有 0.5mm SMD 开孔。
图
4-13 模压聚合物灌封的陶瓷球栅阵列（CBGA）封装
A– 灌封
B– 芯片
C– 焊球（无铅）
D– 陶瓷基板（双面）
E– 键合线
A
C
D
E
B
IPC-7095d-4-13-cn
图 4-14 典型铜带缠绕的陶瓷柱栅阵列（CCGA）
图片来源：Source Actel
IPC-7095D-WAM1 CN 2019 年 1 月
32
尽管带有 SMD 焊盘的 BGA 不是最佳的，焊料柱已经成功地连接到有机 PBGA 基板上，如图 4-15 所示。焊料
柱由高熔点焊料合金构成，在采用共晶（SnPb37）或 SAC 无铅合金焊膏再流印制板时不会发生塌陷。
具有高温合金的焊料柱，包括 PbSn20、PbSn15 和 PbSn10，可用无氧（OFHC-101 或合金 CDA101）铜带缠绕。
一个薄的铜带外层（0.025 毫米至 0.05 毫米）螺旋缠绕在焊料柱周围。焊料柱用共晶 SnPb37 涂敷以覆盖铜带，
并在铜和焊料柱之间形成搭接，如图 4-16 所示。
将热量从 IC 封装的底部导热到印刷板的接地层，在 PbSn10
芯表面电镀铜构建的焊料柱比铜缠绕焊料柱提供的热阻低
30%，如图 4-17 所示。
美国国家航空航天局（NASA）推出的微线圈弹簧为传统的
焊料柱提供了可替代品。基材为 BeCu 选用 SnPb40 或 SnAu
电镀。镀金版本结合 SAC305 填料，提供了一个无铅的解决
方案。
线圈直径为 0.5mm，长 1.27mm（空载时的长度），用于
1mm 节距的陶瓷 IC 封装。当连接至直径 0.5mm 阻焊膜限定
焊盘的有机 PBGA 基板时，选用 0.4mm 直径和 1mm 长度的
较小线圈。
A
C
E
F
G
H
I
B
D
图 4-15 各种焊料柱的塑封 BGA（PBGA）
图片来源：TopLine
A– 顶视图
B– 焊盘俯视图
C– 散热片
D– 塑料基材
E– 焊球
F– 微线圈 （SnPb）
G– 微线圈 （NiAu）
H– PbSn10
I– PbSn20
图 4-16 典型具有铜带缠绕的焊料柱
（图片来源：TopLine）
图 4-17 覆盖有 SnPb40 外层、具有电镀铜层
的 PbSn10 焊料柱剖视图
（图片来源：TopLine）
A– 沉积的 SnPb40
B– 铜镀层
C– 焊料合金芯（PbSn10）
A
B
C
IPC-7095d-4-17-cn