【IPC-7095C】_BGA设计与组装工艺的实施_(IPC标准).pdf - 第145页

温 度曲线 也 已 变 化而与 之匹配 。然而,对 于 某 些 元器件 , 比 如 焊 接 于板 上的 BGA , 仍 是锡 /铅 焊 料, 这是由 于元器件 供 应 商 无铅 技术路 线 的 转 换 日期 晚 于板 子组装 厂 的 转 换 日期 。 这 导 致 B GA 类器件 的 锡 /铅焊点 被 无铅焊膏 中 铅 替 代 金 属 “ 污染 ” 。 上表中列出的第 二 种 可能的 无铅板 组 件 为 “ 向 后 兼容 ” 。 当 元…

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焊剂焊剂区;化,湿
连接表面并焊点再流区;以及最后
阶段,此间子组从炉退
出并加压板使其下来。
8-21述的度曲线FAT焊剂
化时间)曲线曲线再流之前
温区。作为代,可开发
线
曲线由预区至再流焊包含一个持
这种曲线增加再流
量。应小避免元器件过热,特
8.5.5.5 BGA⽆铅焊点的外观 BGA装本
遮盖其焊点。然而,显微
,可焊点
铜焊点微观结构多相微观结构
的表面看起粗糙。图8-22示了锡银
BGA焊点与通常具有光表面的
BGA焊点相比大的不同。
8.5.5.6 ⽆铅技术的 全锡/铅焊
无铅焊系统化不会一
。可能会出现锡/铅无铅焊料在子组
上并阶段阶段必须评估SAC
料中含影响焊点和可靠性
影响
在此 阶段可能的无铅板8-5
示。
上表中列出的第一
可能的无铅
向前兼容。对向前兼容电路其焊
接工艺化为无铅焊膏方,相应再流焊
IPC-7095c-8-21-cn
8-21 ⽆铅(SnAgCu)/铅(SnPb)BGA再流 线对⽐
铅焊再流度曲线
@183°C 值温=
205 to 220°C
无铅焊再流度曲线
@217°C 值温=
235 to 245°C
257
227
197
167
137
107
77
47
17
0.0
0.6
1.2
1.8 2.4 3.0 3.6 4.24.8
5.4
6.0
Temperature
Time in Minutes
再流
再流
8-22 SnAgCu BGA球的窥镜照⽚
8-5 可能的⽆铅组件类型
定义
元件端⼦/
BGA 板⼦表⾯处理
向前兼容 铅无铅或无铅
兼容性无63Sn37Pb 铅或无铅
无铅 无铅 无铅 无铅
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度曲线化而与之匹配。然而,对
元器件于板上的BGA是锡/铅
料,这是由于元器件无铅技术路线
日期于板子组装日期B
GA类器件/铅焊点无铅焊膏
污染
上表中列出的第可能的无铅板
兼容元器件无铅元器件时,
所有使用这些元器件组装
其板组装线无铅工艺时,兼容
了。这些组装厂仍使用共晶锡/铅焊膏
照锡/铅再流焊曲线焊无铅元器件/铅
元器件明显更适但是元器件
可能出,不会为同一器件运行
元器件线,一/铅无铅由锡
焊膏无铅焊球组成的焊点有一个
的成使用/铅焊膏对一锡银
无铅焊球的球栅阵列
行焊接时,基于
使用再流曲线,会生两种不同的
两种再流曲线比较8-23所示,无铅再
流曲线出来以供
作为目前锡/铅件使用例证/铅再流曲
线BGA锡银铜焊球的再流曲
线无法使无铅焊时,焊点
焊点寿命影响球连接
上的/铅焊膏化,但是锡银铜焊
化。这种材料组中,可能通过焊
粒边从锡/铅焊料中锡银铜焊
球中有多高决于达到的再流多高
/铅焊化时间有8-24所示,
示了采用无法锡银铜焊球的再流
曲线一个BGA接到电路板后锡银
铜焊球的片显微,所得的焊点微观结构
均匀的。会对焊点靠性产地影
使类焊点对良影响
的。是由于焊 再流焊
BGA对准。在贴装工艺步骤
元器件偏移到一时,增加焊点
路的可能塌陷缺失可能
IPC-7095c-8-23-cn
8-23 /铅、⽆铅板⼦组件再流焊曲线⽐较。
300
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150 200 250
300
350 400
锡银铜合金
铅合金
锡银铜焊球不化对兼容
兼容锡银铜焊OK
无铅焊料(锡银曲线
ºC
时间 , 秒
8-24 BGA锡银铜焊⽚的照⽚,⽤/铅焊
膏采⽤标准/铅再流曲线组装板⼦上。锡银铜焊
/⼿指富铅纹
Ag3Sn IMC;灰⾊颗粒Cu6Sn5 IMC层。
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焊点开路,积焊膏间接
缺失
此,为了焊点和可靠性采用
8-23所示兼容再流焊曲线。在此再流曲线
中,锡银铜焊化,熔融锡/铅焊膏
会与化的锡银铜焊全混,在
成富质结构这样微观结构8-25
所示。
锡银铜焊化并塌陷对准
及共
了,此提BGA
焊点
8.5.5.7 替换 铅焊元器件获
限,一性设计可能BGA元器件
替换铅产品件共工。
但这种缺点于焊拆除
替换循环。此,在
球与元器件连接处形成的合金可能无法
要的
能。然而,项工艺
制元器件类型使用符合
能、规定、和/或产品或无铅
产品工艺要求的度变感的产品设
兼容方面的使用策略替换工艺能
免焊合金PCB表面处理元器件表面处理
兼容性问题,而这些问题非复杂和难以平衡
产结
BGA元器件球包如真解焊
烙铁源、将原
拆除。然元器件表面清,并准
连接新球,新元器件原始对准
的装置定位。此后焊球连接于元器件上,通
流再流型返加热源,
元件球的装置放置再流中。
多元器件球时,作为一备选
,可采用系统系统
托盘
拾取放置焊球,然后用束适当再流BG
A基板上的球。
无论必须受控,所采用热曲线
合于元器件和新合金球连接BGA
移走、清
与组上的元器安装、接。同所
BGA工艺一必须考虑湿度 ESD感。
BGA合金和大小范围很大,
必须
其它工艺要子表面
焊膏兼容。通过采用合球大
布局元器件设节距和间
BGA球的IPC-7711/21
子组工、维修
8.6 可靠性设计(DfR 作为通的建
IPC-D-279述的可靠性设计程
改善栅阵列元器件靠性适当DfR
两种形式一,对已改善处于靠性
的,合采用它们。
这些
1. CTE以减少整体膨胀的不匹配
2. 过增焊点高度托高,提连接
以适应整体膨胀匹配
3. 靠性DfR可包
4. 采用适当填充使元器件基板机械
整体膨胀匹配影响
5. 择软芯片连接,
CTE芯片2.72.8
ppm/°C)对整体 膨胀匹配
CTE多层板/或元器件的材料
材料组佳的CTE。对于存
的有源器件采用CTE
多层板CTE1-3ppm/°C决于
,而元器件CTE0ppm/°C
然,上有大量元器件,对所有元器
CTE最优无法要对可
8-25 BGA锡银铜焊⽚的照⽚,/铅焊
容再流曲线组装板⼦上。锡银铜焊
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