IPC CH-65B CHINESE.pdf - 第164页

半水基产品 不会 随 着 蒸 汽 除油 剂 不 断 蒸馏 。相 反 它 们用 于批或者 在线设 备 ,其中部 分 设 备 用 半水基 有 机 清洗 溶剂 洗 涤 , 再 用一 系 列 水基冲 洗 液 进 行冲 洗,然 后 干燥 。 纯净 的 半水基 清洗 剂是 易 燃 的, 这 在 很 大程 度 上影 响 了工 艺 技术。然而,所有 这些 工 艺已 经 安全 地 运 行 了 几 十 年。 1 1.2.5 清洗剂的兼容性 必须 要 考虑半…

100%1 / 215
11.2.3.1.3 ⽯蜡 石蜡烃是简单的直链化合这些材料常稳不可能石蜡
非极性污染物具性。要残留物助焊剂
氧碳化合石蜡溶于水但加入表面助冲洗。
这些混起配制的半水基清洗产品性和非极性组
清洗性能。产品具
高闪低毒性。当结于冲洗时,这些清洗剂已证实在印制线路板上子污染
残留的有性。
操作中,石蜡可用于行业标准的半水基清洗设。洗49° C-71° C[120° F-160° F]可提
清洗性能。清洗组件要用DI去离洗。这种材料不是水溶性的,所用一
种两步冲步骤用一90%
去离水/10%清洗乳液冲为可这种
方法可提清洗离基质洗能力。残留物和清洗到一个中,在此
和清洗剂是分离的。以降低排中有机物的含量,减少水处理的要求。
洗用含有平的污染,可排入或者送入封环系统处理
像脂石蜡
低毒性和高闪>93° C[>200° F]特点这种技术所来的
中,对助焊剂的清洗效果有限,步骤
不前的问题
11.2.3.1.4 ⼆醇醚化合物 一组使子量的性能的复合溶剂
溶剂多种溶剂用的,并可通
过初、在/
性和清洗行选择
-化合半水基产品证明其对水溶性、松低固和合成
助焊剂残留物的有性。本产品一个优点于它以被设计、而达到清洗
要达到的性能。类产品操作37° C-71° C[100° F-160° F]时性能表现佳。
它半水基清洗,工程清洗可用工业设计的半水基清洗设
11.2.3.2 II型半⽔基清洗剂 水溶半水基清洗上通是非极性,可与有,松
助焊剂中发现的团很好地用。含的清洗能与水分
含了永子,使其可子包很好地用。这些哥伦和范德华增强
水基
水溶半水基清洗剂因为清洗
中的可改善去离效果使水溶半水基
来的不是无法或者分离出清洗。通,化学离析冲液是
要的后送处理的公共机构果需环防洗,可使膜过系统
分离出有复化学离析冲洗部闭循
环使
11.2.3.2.1 ⾮直链式 直链甘蔗和其它生物
化合含有醚键了化合。 了化合物去
性和非极性污染效果。此氧基了与助焊剂残留物
成。
直链剂已证实能有所有助焊剂残留类型,包水溶性、松低固
和合成以这种技术为能有效去烘烤助焊剂残留物的表面张力和
湿细间距元器渗透类产品操作范围为37° C-71° C[100° F-160° F]时能
好地直链工业要
半水基清洗设
11.2.4 半⽔基清洗剂的性11.1列出了一半水基产品的清洗性能。
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半水基产品不会除油蒸馏。相们用于批或者在线设,其中部半水基
清洗溶剂用一水基冲行冲洗,然干燥纯净半水基清洗剂是的,
大程上影了工技术。然而,所有这些艺已安全年。
11.2.5 清洗剂的兼容性 必须考虑半水基清洗与用印制线路组件产品中的料、和其
材料的兼容性。大数半水基清洗
会提兼容性数据表。这些数据是作个主要的
兼容性问题导方经历清洗的兼容性和经历清洗的长兼容性。讨论材料与清
的兼容性时要考虑因素是
材料暴露在清洗是什么状态高温暴露的长数据必须自于严格
产品测试方法意义
测试材料产品的一量不
或者增塑材料的兼容
性能。
•比目前的清洗方法作准参的兼容性数据
清洗对所有适用性能材料的影附着力、腐蚀
考虑清洗材料与清洗工和设的兼容性。包于液体高压喷淋超声波能量、干燥步骤
中的高温等等
于测试方法的不同以及与各个生产相关的具体件的要,位用评估半水基清洗
的兼容性测试
11.2.6 半⽔基⼯艺中冲洗⽔的性
半水基水作剂使用。在半水基清洗工中通
水冲阶段。第一个阶段去大部分溶剂溶剂无法去的任何残留物
第二用来确保组件传送干燥阶段的时表面上仅有高纯净水存在。然而,世
一个一个水质大的化。这种水质时影到清洗洗能力和设
性能。
因素应行检查
确认清洗。第一是最检测水纯净方法是测的电
或者、电导率纯净的电阻率18.25MU或者0.55μmhos导率取决组件
的关性,一流入半水基清洗工艺冲阶段阻率应1-5MU。组件
阻率应该越。要满足这种要求消除在组件上的子材料,这些子材料对产品的可
性有不
于非离子污染检测总悬浮TSS、化学和生物需氧量(CODCOB)和/或者
的有机质含量(TOC必须进行测量。这些阻率为复杂,纯净
11-1 列以半⽔基产品的清洗性
萜烯础脂础⽯
⾮直链式
氧化的
° C[° F] >170 [>338] >200 [>392] >200 [>392] >170 [>338] >160 [>320]
° C[° F] 55 [131] >130 [>266] >90 [>194] >70 [>158] >70° C [>158]
比重25° C[77 °F] 0.80-0.90 0.80-0.90 0.8-0.90 1.02-1.08 0.88-0.98
表面张力,dyne/cm
25° C[77° F]
25-30 25-30 27-34 22-28 26-32
味柑 和的 常低 和的
<2.0 <0.2 <0.002 <0.3 <0.3
密度
=1 <1 <7 <1 <4 <5
中的性不 溶溶 分溶
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困难。任何一个用来消除非离子污染的新的处理系统必须进行评估,然
确保生产过程中这些条件的持。
为了满足纯,任何半水基清洗工艺应水水流添加一个处理系统这种系统至少
含在化工始端的一要的有材料,去离脂从
去离子材料。
11.2.6.1 ⽔的
的材料的量通TDS总固量)
的材料量50ppm可能行使用。否则用一或者几种水处理技术化:
化、蒸馏去离或者渗透
11.2.6.2 所有的水应除悬浮物质和其可能或者
平通0.005-
0.010%[50-100PPM]的范围。这些或者
系统使寿命维护维修这些系统紧随着离换柱GAC
用来吸附除这些污染
注:吸附2.3kg[5lbs.]悬浮污染45kg[100lbs]GAC介质
11.2.6.3 软化
导致硬化的物质并用其替这些钠
湿性和腐蚀性,所以建使水作最洗,是软硬度应自时,
定检测。相对大量的生产可能导致问题。此,用化的
用的不适任何电子产品使用。
11.2.6.4 蒸馏 蒸馏
常纯净但如果需要大量的蒸馏成本
11.2.6.5 离⼦交 去离一个去离子的。这种量的
但如水质或者需要大量的比较高了。据自水质量和去离系统设计,系统
情况PH6.0~10.0范围
11.2.6.6 渗透 渗透中,污染的高压
输送过特污染时,
产生源源不渗透个工艺产生阻率常低100000 ohm-cm阻率
在大规模应用时相有用并作离处理
11.3 半⽔基清洗⼯艺
11.3.1 半水基清洗工溶剂脱脂清洗工基于萜烯化合
或者机溶剂
半水基清洗不能在大气下持续蒸馏原因。一个不点是它
燃液体安全隐患,实蒸馏时其一个不点是半水基清洗剂是印制
线路组件上洗下来的。11-1是半水基清洗工艺步骤原理
溶剂清洗 水冲 系统
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11-1 义的半⽔基化⼯艺全
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