IPC CH-65B CHINESE.pdf - 第167页

一 些 设 备 制 造 商 已导 入 工程 控 制, 必 要时 消除 半水基 清洗设 备 中的 火 灾威胁 。有 些 设 备 用 氮 气 封 闭 ,有 些配 有 火 花 检测 装 置如 果 在设 备 的一个 特定 范围 内 检测 到 火 焰 则 可关 掉 设 备 ,有 些配 备 了二 氧 化 碳 灭 火 能力, 也 有一 些配 备 了 这些 抑 制 火 灾 选项 的组合 条 件。 1 1.3.5 搅拌 在 溶剂 部 分 ,有 必 要 搅…

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11.3.2 ⼯艺参数 半水基清洗几种方法使用,所很难地描述工
。表11-211-3总结了目前实用的工范围。
11.3.3 洗涤阶段 在洗(第一或者溶剂阶段,在半水基清洗溶剂中通过溶印制线路组件表
面上的污染而对印制线路组件清洗。清洗的量有搅拌和清洗时
11.3.4 温度 高温度是半水基清洗溶剂和设的设计来。在大情况下清洗剂应
持在
至少17° C[63° F]这将防火协会标准FPA 301990(易和可燃液体
范)和FPA 341989)的件(和涂使用易燃或者燃液体有一适用OSHA
规定29CFR1 910.106(易和可燃液体)和29CFR1 910.108(含易燃或者燃液体
操作了可贮存在清洗设操作的材料的量。这些规定应考虑
安全、和保险机构协议中的装。本节信息国实总结出的,
规安全作出现在其
11-4 列出了各基于FPA范的各类型燃液体限制。
一个要求果氧在时,液体或者薄雾喷射或者薄雾使
材料
容易点燃可通非原子化)喷射一表面或者超声波
薄雾,设选择小化或者当起系统
11-2 ⾮⽔基(I型)半⽔基清洗剂的清洗⼯艺参数
阶段 清洗 乳液 冲洗 ⼲燥
材料
半水基清洗
或者合的
半水基清洗
要)
于乳液中的
水基清洗
17° C
[63° F]溶剂形
成的小化
电路组件限制,
倾析器除外
电路组件和化学
程限制。
电路组件限制。
遵循溶剂
搅拌
防火
浸泡喷淋超声波
围中)
高压喷淋或者超声波 高压喷淋或者超声波
连续 连续 连续
液体
间风间风
11-3 ⽔溶性(II III型)半⽔基清洗剂的清洗⼯艺参数
阶段 清洗 第⼀⽔冲洗 第⼆步冲洗 ⼲燥
材料
半水基清洗
或者合的
半水基清洗
要)
于乳液中的
水基清洗
70° C
[160° F]且
17° C[63° F]
溶剂形
小化
电路组件限制,
倾析器除外
电路组件和化学
程限制。
电路组件限制。
遵循溶剂
搅拌
防火
浸泡喷淋超声波
围中)
高压喷淋或者超声波 高压喷淋或者超声波
连续 连续 连续
液体
间风间风
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已导工程制,要时消除半水基清洗设中的灾威胁。有
,有些配检测置如在设的一个特定范围检测可关,有些配了二
能力,有一些配这些选项的组合件。
11.3.5 搅拌 溶剂,有半水基清洗来达到有清洗。许多
选择
组件来清洗和用下表面超声波法或者它搅拌法来提清洗。一些常搅拌清洗方法
或者章节下。
11.3.5.1 浸没喷雾 11-2是半水基清洗设原理,其中的由底的。
在线清洗设,而发现对小型批这种搅拌方法不会
11-4 点的注根据美国
全国防⽕协会分类 II IIIA IIIB
闭杯°C [°F] 38-59 [100-139] 60-93 [140-199] >93 [>200]
物是检测
1
检测
1
火系统
内允许大量
使用,
30 80 3300
允许大量贮存
火系统
120 330 13200
在装有火系统
内允许大量
使用,
60 160 不限
允许大量贮存在装有
火系统
240 660 不限
1. 组件上污染,一使用有可能有有害物质特点信息9.2.2章节。
干燥
DI
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11-2 半⽔基清洗设备理图
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11.3.5.2 式搅拌 方法是液体件。定期,来大化这种
心力,达到搅拌效果相对小而形状均匀的组件或者部件有用的。仅适用
于批。制使个部件。果使低闪的清洗
容易用气替11-3出了
清洗配置的一个子。
11.3.5.3 直接喷淋 选择喷射件。在对于批的第一个中,组件放置
在一个别改机型喷淋清洗,室气用气替,而部件用转喷射
出来的液体喷射较低液体足以起
在第二个中,电路组件穿传送传输测器保护和大开
的设计,生着火情况下不能力。液体清洗剂是低压喷射在印制
线路组件上。
另外的制设计了一在线设,在充满气的溶剂内进高压喷射
11.3.5.4 超声波搅拌 搅拌方法超声波搅拌。制使扫频方法这种类型
搅拌其适合批类型机器超声波现在们可使
用,要提
数据证明超声波使元器件松动此,组件长风险应
IPC测试方法行评估松动或者接元器超声波的能力。
11.3.6 冲洗部分 洗工的目的是去清洗在其中的污染。通列的
基冲洗来成。在半水基清洗溶于水情况下,一个精细
程。对
水溶半水基清洗II连续
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11-3 批量清洗剂
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