IPC CH-65B CHINESE.pdf - 第172页

1 1.4.3.2 单 清洗冲洗 舱 这种 方法 清洗和 冲 洗 使 用 同 一个 舱 体 。在一个 系统 中,印制电路组件 水 平 排 列,并在 浸入 于 装 满 半水基 清洗 剂 的室中的 同 时, 快 速交 替 方 向 旋 转 。 零 件 旋 转 时的 离 心力 使液 体产生搅 动。清洗周 期 完 成 后 , 半水基 清洗 剂是 从 清洗室中 排 出, 被 用 以 冲 洗的清 水 取 代。用 氮 气 惰 性化可提 高 安全 性。 …

100%1 / 215
11.4.2 保护 同厂家处理问题各有其。有些厂家选择适用气来使半水基
清洗性化,以排除的可能性并用小得到有力的喷淋。有些厂选择
在清洗内配备火测器发现源,可关。大部清洗了二
火系统半水基清洗清洗内填满火物质。一水溶半水基清洗
的材料可
作水乳剂。在这些情况下,乳剂中的火功能。
11.4.3 批清洗机 清洗机半水基清洗消耗低是因为:a半水性清洗剂具有相对较低
b们包含(量计20上的助焊剂残留物的清洗
量清洗系统半水基清洗剂初量,可205
半水基
清洗一个清洗系统中的发性有化合损失是非
常低的。
清洗系统了一个广整过程。不仅容易,而这些次
以调节的。
吊笼大限降低成本,严格制。这种吊笼对要清洗组件的
其有的。
线的能源使用量批处理系统是非节能。
许多独批处理机方案,下面些常的。
11.4.3.1 喷舱 这种方法使,一个用一个用于冲洗。通
半水基清洗 似商业洗 达到液体搅动。组件列,有利于
半水基清洗清洗到组件和线路板于半水基清洗剂是气动半水基
清洗保护以消除可能点燃薄雾问题。在第二个中用热水行冲洗,减少
半水基清洗损失的污染程量,要,可洗时可能
包含乳液倾析系统使冲使用。大量洗用,组装组件烘箱
这种方法适合易燃溶剂的清洗。
160˚F
损失
DI 2-3 gpm
或者
干燥
IPC-65b-11-5-cn
11-5 冲洗
20117 IPC-CH-65B-C
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11.4.3.2 清洗冲洗这种方法清洗和使一个。在一个系统中,印制电路组件
列,并在浸入半水基清洗的室中的时,速交时的心力使液
体产生搅动。清洗周半水基清洗剂是清洗室中出,洗的清代。用
性化可提安全性。果需要的,在烤箱路,将喷
,一
子的件在部位下来
11.4.3.3 带有滤箱 这种方法需要用到一组并排放置的三或者四个小这些
可能热器/或者超声波,相浸泡时的喷流效果中的液体是
动。止超声波件及其组件达到适IPC测试标准。IPC测试方
于测试超声波清洗
干燥容易放置一个洗设或者
吊笼组件一个清洗一个清洗
11.4.3.4 仿在线程第四方法使用三台在线机器,用或者自式将一组组件成线
列。第一台机器包含一内置吊笼溶剂要一组组件吊笼中心,浸泡
中,关闭盖子,浸泡喷淋技术挥作用了。之后组组件
溶剂升起大限
地减少溶剂出。在适组件涤/冲洗设程通线
动的洒杆最初是装有的高压喷接着是纯净的开喷淋喷
之后,组件到第三台机器机是一个用的热风干燥机设计的目的
三台机器中的任何一台机器在任何时
都有一组组件。
11.5 清洗程和质量
11.5.1 洗涤 多种方法半水基清洗程的目标一个平件,使清洗
相对助焊剂,达到的清洗效果。有四个因素控制在任何清洗助焊
剂残留物
•进印制电路组件中清洗溶剂助焊剂数量。
在清洗助焊剂数量。
印制线路组件表面的清洗剂数量。
半水基清洗中的助焊剂数量,新半水基清洗
补偿组件损耗半水基清洗
当进入电路组件中清洗溶剂助焊剂数量与清洗的及组件损耗助焊剂数量相时,
半水基清洗中的助焊剂残留物达到了时可间或者在清洗
的气 力得制的要的刀以避的发的平
中的半水基清洗
助焊剂助焊剂残留物的平度应制在10~20大)或者在制
范围。在这些相对下,半水基清洗消耗低,清洁合成性(SA)的
助焊剂残留物化学腐蚀,其度应5
11.5.1.1 测或者浸泡 助焊剂残留物方法功监测
11.5.1.1.1 ⽐重 助焊剂残留物
比重功监测为大数半水基清洗
0.84,而一个相的松助焊剂残留物比重1.07然一个相SA助焊剂残留物
1为合成性(SA助焊剂构一个的区11-6述了助焊剂
I型碳半水性清洗中的含量和比重线。
在所有情况下,半水性清洗剂应实验室分析行定期检测
验证上面列出的表的准
性。此阻焊膜油等材料可能会导致
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些比重近1.00半水基清洗密度助焊剂密度接,不能使密度测行监控
11.5.1.1.2 折射系数 半水基清洗系统可通折射系数行控制,其密度测
折射系数单,可过使价的便成。
11.5.1.1.3 离⼦电 些厂明,子电性()可用于监测水溶性(II半水基
比重检测不能使用(这些量的灵敏。然而,并所有的这种
测方法此,使者应使用清洗方法获取数据
11.5.2 冲洗前面所示,程可分段考虑
11.5.2.1 ⾮⽔溶性(I型)清洗剂冲洗果采乳液/倾析要一点是乳液段中清
果乳度保
可能出的半水基清洗
比重监测乳的一个有。可构造如图11-6所示的表。比重量可达
到相的准确度表会半水性材料不
半水基清洗剂形乳液乳液分离氢层果乳液/倾析系统是特定半水
性清洗推荐的工下运乳液将稳
在小之几的范围,制。
乳液分离可通过使设计的倾析器行缩倾析器被充满材料,可以加
下的乳液
半水基清洗分离们可倾析器或者果半水基清洗
助焊剂残留物高浓使用。
11.5.2.2 ⽔溶性(
II型)清洗剂冲洗 出的中的半水基清洗化学需氧
量(COD行监测。用系数COD,可以将COD系数百万
中的有机物。对半水基清洗系数范围为2.0~3.0COD2500
/系数是2.5,实上含有1000PPM的有
机物
0.94
0.92
0.9
0.88
0.86
0.84
0.82
0 1020304050
25ºC下的比重
半水基清洗中松
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11-6 ⽐重与助焊剂量的线
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