IPC CH-65B CHINESE.pdf - 第197页

地 允许这些 变 量, 如 可 选/ 可 互换 的 喷 嘴 、可 调式喷 雾 喷 头 和 变 量 泵 的 转 速控 制的 灵 活 性, 将 有 助于 使 用 者 在板面上 产生最 佳 压 力 从 而 获 得 最 好 清洗 效果 。 12.9.1.5 控制清洗的 过 程 清洗 过 程 是 动 态 的。在 水溶液 中的 过 程中,清洗 环 节 使 清洗 剂 和 水变 成 水 蒸 气 排 到 排 气 口 , 蒸 气 进入 通 风 排 气 口 …

100%1 / 215
12.9.1 化学清洗面一要,物理用。一来,使用的
量及机械能量,清洗效果越好
12.9.1.1 清洗剂清洗度是清洗性能的一个参,此清洗机械用。
12.9.1.2 清洗剂温度 清洗的提溶剂型污染物溶使焊剂变
更温快地焊剂高温
时可减少洗的取决清洁设、清洗、污
元器件。
12.9.1.3 清洗剂时间 清洗时元器件的隙高很强的关性。芯片μBGA芯片
LGA芯片QF芯片薄片电容及其组件类型组件与电路板表面的大小列而
减少。组件隙高3-5mils要求提清洗时穿透所有助焊剂残留。对密度组装
细间距元器件的组件,必须长时的清洗选择使用清洗设及清洗
考虑因素
12.9.1.4 为了改善清洗细间距元器效果,研究数据表明动、板表面的力、
力和清洗时改善制程清洗。清洗设的清洗部分是当重要的。研究数据发现表明在清洗
阶段未完消除助焊剂残留阶段无法去了在清洗中要求的
量。
过使用各
技术可实现清洗。为了3-5mil下的助焊剂残留,清
洗时及清洗度是。在回流焊过润湿助焊剂穿透小的组件成一个助焊
。为了助焊剂,清洁必须首残留物产生一个使清洗
动到组件的部。助焊剂残留物需长的了清洗的复杂性。
12.9.1.4.1
量通量(GPM表示。在清洁程中所
GPM基于进入净、设中的水管型号
量、收率。有充足应是非常重要的,容积有限的清洗
一个大量水或者化学与以满足
一个清洗程所量。允许
液体使用。一个能源消耗大容积的个清洗系统
类型将改量的限制。特定要求选择
是考虑点在通一个环系统,可少补
泄漏必须个容
积。
12.9.1.4.2 电路板设计的复杂性和在在组件和下小的,适用
电路板的力量所有污染的关。通板的部和部的各种喷和可调喷,可
现不力。和力量的大小由喷和板面距离的。
12.9.1.4.3 板⾯的在板面的或者冲量的。影板面的力的主要因素
有:
过水水管量。
的出力。
•喷量和类型(可以根据施的限制来或者减少力)
•流和板表面的距离距离,在板面的大)
过控 这些量, 或者减少板面的力。要的要在板的表面到适的平
力,使清洗污染,而不会破坏脆弱的部件。一个清洗系统可能
的在程中
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允许这些量,选/互换、可调式喷速控制的性,助于
使在板面上产生最清洗效果
12.9.1.5 控制清洗的清洗的。在水溶液中的程中,清洗使清洗水变
进入,和洗涤液带出的化学物质类型损失
小化,持一个有成本效益程。本节提监测动化制、洗环境
环境寿命长的信息。
12.9.1.5.1 清洗槽监 清洗监测用的方法定法折射率检测的相关性检测和洗
分析
12.9.1.5.2 定法 用来表述在性洗过测由碱在清洗中的物质
作者应PH间是10
(对pH用来溶液度/
pH值范围0-14是产品子的。在pH值为子(H
3
O+)的度是一个,而在PH14时,子(OH-)为一话说pH值不一个
线性的关,一个pH值为10PH值为9
许多水基清洗用的PH值为911定过是测量清洁洗中可得的
平的性。平的性与相关。
这种适用以皂化为的清洗样也适用
溶于水很少不含有机原材料的性清洗。在清洗会与残留物情况下,
性清洗要。
12.9.1.5.3 折射 介质折射率是过测或者)在介质中的降低量得
到的。玻璃1.5折射在其中的速度是
中的2/3玻璃
明材料的性都与折射有关 。第一,线气到材料面时线会变方
点应。第二,线在不折射材料的面时会发反射。在问题时,
折射用来测定的含量。文章与清洗有关。用测定折射方法基于溶有清洗
的污染方法这种方法十分适用未经的清洗
12.9.1.5.4 清洗室监控技术 机原材料设计而成的清洗分溶成明
。通溶剂密度清洗溶液处于静态时,溶剂在表面。清洗中的
分搅拌时,溶剂状态分清洗机搅时,不能溶剂在了清
的表面。解层表现了溶剂和其的污和成
溶剂
相表现为溶剂和其它附着溶于水的清洗的材料。
运用的技术会比较监测像滴折射。通中和清洗达到一个
)来关清洗,不能明有机原材料。比起相,折射指有相为不可
折射不一监测技术包不限使分离的技术。
12.9.1.5.5 化清洗机操控 清洗在不范围操作。不据它的工
技术提系统
12.9.1.6 化学 配比许多种设计途径水速降低阳极
及通量动力装清洗加入时,配比
添加清洗个装设计在一 的清洗范围。在工范围当添加
时,清洗达到平。文过变面积大小来清洗
,通要一个力来添加。为了证化学配比持清洗在设计
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范围,运用了清洗机监控测量。清洗监测测量上出的个化学配比
得到合适清洗
12.9.1.7 操作系统 监控节清洗这些备监控实时和有用监控清洗室并
精确/或者化学剂去维持一个平。动化系统使用可
逻辑制单和化学量设备去实时制清洗于溶限性,基于
时表现出相限性。清洗机监测技术的手册被用来相去保
系统持在制范围。
12.9.1.8 ⼿添加清洗许多清洗度是方法控制的。方法的成取决于使用清
的有清洗范围。清洗范围越宽
工清洗的时间间长。清洗的动
机器仅会导致清洗减少到清洗平。可用电路板清
测试动清洗度监测定最使。一使用的清洗
将被确定。此时,必须在清洗加入更多的清洗,用来使加回到范围的峰值。
的清洗可能导致清洗槽起泡沫,并可能机械密
12.9.1.8.1 清洗添加 的清洗的清洗容量要求的得到填入的适
的化学100要求15%么需15化学85
12.9.1.8.2 清洗 清洗了,使
用一清洗监控方法
当当前的度确定时,它应目标上的不,我们
清洗剂使得清洗中的回升到目标,并过检测方法来验证。的清洗剂数X
=[(目标-实(清洗容量/]/100%-目标%
12.9.1.9 清洗寿命 清洗
寿命受很因素,包
焊剂残留类型速率焊剂类型性污染广是基于电路组装设计和程的要。所有的
处于它们的污染临界平,在清洗或者污染积到部件上面。
清洗损失:清常经由排气和流失清洗的电路板润湿的设备带
出。清洗未加工的清洗损失
了到达污染临界的时
线。情况下,清洗达到一个污染定状态它使清洗寿命长。
清洗设计:为了支持清洁要求因素平。清洁材料耗尽化和
或者生变化。清洗损耗泡沫和污染物类型等许多因素
清洗的能力,持在不降低清洁效果情况持污染
效果
清洗:污染临界清洗剂去的有效活性成分水平的一个参
的清洗够增对污清洗
污染和清洁用:体残留物性清洗们的物理。清洗
和清洗加这些用。
12.9.1.10 污染物极限
污染,在清洗槽内都会后续无法清洗。
临界取决因素,包锡膏类型、清洗制清洗和动能量。
12.9.1.10.1 污染物和的线性化 的动清洗疏散发和。在清洗、
焊剂残留情况下,可能一个线性线性水基型清洗剂是低蒸
汽和
损失静态清洗方法一个清洗程。
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