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Betriebsanleitung SIPLACE CA-Serie 3 Technische Daten Ab Softwareversion SR 708.0 Ausgabe 12/2014 DE -DR AFT 3.1 Leistungsdaten der SIPLACE CA 123 3.1.2 T echnische Daten - SWS 3 T echnische Daten Flip Chip Die Att ach M…
3 Technische Daten Betriebsanleitung SIPLACE CA-Serie
3.1 Leistungsdaten der SIPLACE CA Ab Softwareversion SR 708.0 Ausgabe 12/2014 DE -DRAFT
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3.1.1 Maximalwerte
Abholen am SWS Abholen am X-
Tisch
Flip Chip Die Attach SMD
Genauigkeit
*a
C&P20 M
CPP
TH
± 10 µm bei 3σ
± 25 µm bei 3σ
--
± 10 µm bei 3σ
± 25µm bei 3σ
--
± 20 µm bei 3σ
± 25 µm bei 3σ
± 22 µm bei 3σ
*b
Bestückleistung
*c
4 SWS, ohne Dippen 4 SWS SMD
C&P20 M
CPP
TH
42.000 Die/h
42.000 Die/h
--
28.000 Die/h
26.000 Die/h
--
siehe Seite 121
Die / Bauelementegrößen
Flip Chip Die Attach SMD
C&P20 M
CPP
TH
0,5 x 0,5 mm
*d
*e
bis 6 x 6 mm
0,5 x 0,5 mm
d e
bis 27 x 27 mm
--
0,8 x 0,8 mm
d
bis 6 x 6 mm
0,8 x 0,8 mm
d
bis 27 x 27 mm
--
siehe Seite 151
siehe Seite 161
siehe Seite 164
Zuführmodul-Typen Gurtzuführmodule, Flächenmagazine, Stangenmagazin-
Förderer, Bulk Case, Dip-Module, anwendungsspezifische
OEM Zuführmodule, SIPLACE Wafer Feeder (SWS)
Bereitstellkapazität
(BE-Wagen
SIPLACE X)
160 Gurtzuführmodule 8 mm X
Substratgröße 50 mm x 50 mm bis 535 mm x 850 mm
*f
Substratdicke 0,3 mm bis 4,5 mm
*)a 10µm bei 3σ im Bestückprozess mit der Option „Embedded Wafer Level Ballgrid Array“ (auf Anfrage).
*)b Mit stationärer Kamera, Typ 25
*)c Die Bestückleistung hängt von mehreren projektspezifischen Parametern ab. Deshalb
wird der zu erwartende Durchsatz auf Anfrage produktspezifisch berechnet.
*)d Kleinere Dies auf Anfrage
*)e Dippen: abhängig vom Prozess
*)f 850 mm auf Anfrage
Betriebsanleitung SIPLACE CA-Serie 3 Technische Daten
Ab Softwareversion SR 708.0 Ausgabe 12/2014 DE -DRAFT 3.1 Leistungsdaten der SIPLACE CA
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3.1.2 Technische Daten - SWS
3
Technische Daten Flip Chip Die Attach
Minimale Die-Dicke (Silizium) - ohne Bauele-
mente-Sensor
50 µm 50 µm
Minimale Die-Dicke (Silizium) - mit Bauele-
mente-Sensor
100 µm 100 µm
Minimale Bumpgröße 50 µm n/a
Minimales Bumpraster 100 µm n/a
SIPLACE Wafer System SWS Horizontales System, automatischer Waferwechsel, MCM
SWS Wafergröße 4“ bis 12“
4“ / 6“ mit Adapter auf Anfrage
Waferrahmen 12“/8“
6“ auf Anfrage
4“ mit Adapter
Hoop /Grip-Ring Dicke max. 3,5 mm
Wafer Magazin
*a
bis 12"
Die-Ausstechsystem Programmierbare Ausstechgeschwindigkeit (synchron und asyn-
chron)
Option: Linear Dipping Unit LDU Frei programmierbare Geschwindigkeit
Viskosität des Flussmittels 3.000 bis 100.000 cPs
Genauigkeit der Flussmittelhöhe ± 5 µm
*)a Abhängig vom Wafer Magazin kann eine mechanische Anpassung der Grundplatte für Wafer-Magazine erforderlich sein.
3 Technische Daten Betriebsanleitung SIPLACE CA-Serie
3.1 Leistungsdaten der SIPLACE CA Ab Softwareversion SR 708.0 Ausgabe 12/2014 DE -DRAFT
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3.1.3 Technische Daten - SMT
3
Bestückkopftypen SIPLACE SpeedStar (C&P20 M)
SIPLACE MultiStar (CPP)
SIPLACE TwinStar (TH)
Anzahl der Portale CA4: 4 Portale
Bauelementespektrum 0,4 x 0,2 mm² (01005), 0,6 x 0,3 mm² (0201)
bis 85 x 85 mm² / 125 x 10 mm²,
max. 200 x 125 mm² (mit Einschränkungen)
Bauelementehöhe C&P20 M
CPP
TH
4 mm
6 mm / 8,5 mm / 11,5 mm
25 mm (größere Höhe auf Anfrage)
Bestückgenauigkeit
(Standard-Kriterien für
SMD)
C&P20 M
CPP
CPP
TH
TH
± 20 µm (3σ)
± 41 µm (3σ)
± 34 µm (3σ)
± 26 µm (3σ)
± 22 µm (3σ)
BE-Kamera Typ 41
BE-Kamera Typ 30
BE-Kamera Typ 33
BE-Kamera Typ 33
BE-Kamera Typ 25
Bestückgenauigkeit
(Advanced-Kriterien
für SWS)
C&P20 M
CPP
TH
± 10 µm (3σ)
± 41 µm (3σ)
± 26 µm (3σ)
BE-Kamera Typ 41
BE-Kamera Typ 30
BE-Kamera Typ 33
Winkelgenauigkeit C&P20 M
CPP
*a
CPP
*b
CPP
TH
TH
± 0,2° (3σ)
± 0,4° (3σ)
± 0,5° (3σ)
± 0,2° (3σ)
± 0,05° (3σ)
± 0,05° (3σ)
BE-Kamera Typ 41
BE-Kamera Typ 30
BE-Kamera Typ 30
BE-Kamera Typ 33
BE-Kamera Typ 33
BE-Kamera Typ 25
*)a BE-Abmessungen zwischen 6 mm x 6 mm und 27 mm x 27 mm.
*)b BE-Abmessungen kleiner 6 mm x 6 mm.