YGOS V2用户操作手册.pdf - 第66页
1-56 1 基 板 程 序 的 生 成 和 编 辑 「 搜 索 」 图 标 托盘参数 晶片托盘的「搜索」图标 66 1 34 - X6 -0 0 A : 当 前 搜 索 方 向 指 定 元 件 的 搜 索 方 向 。 1 . 未 使 用 的 晶 片 ， 指 定 「 初 始 （ 右 ） 」 等 有 “ 初 始 ” 文 字 的 方 向 。 2 . 已 用 完 部 分 晶 片 ， 指 定 「 向 右 」 等 没 有 “ 初 始 …
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基板程序的生成和编辑
·蜂窝状
使用蜂窝状托盘料架时选择。
·分布图
使用晶片分布图时选择。
C: 晶片搜索直径 (mm)
输入晶片的直径。
查找元件时，只有元件中心进入该直径定义圆内的晶片才是搜索对象。
D: 晶片环直径
输入晶片料架的环状部分（扩展盘指它的环状部分）的内径。
该内径用于防止推顶器装置和环状部分相碰撞的计算。因为机器会自动判断料架类型，所以也就会自动采用各料架类型的
规定数值和该晶片环最小的直径。
晶片搜索直径、晶片环直径
晶片搜索直径
晶片环直径
65136-X6-00
E: 晶片角度 (deg)
输入晶片的切片线与晶片轴之间的角度。利用相机进行测量时，使用［角度示教］按钮。
F、G:元件间距 X、Y(mm)
输入元件以多少 mm 的间隔排列。
如使用相机进行测量时，按［间距示教］按钮。以下图为例作简单说明。
1.分别在 XY 个数中输入「4」。
2.将光标对准成为始点的元件中心后，按［始点］按钮。
3.将光标对准成为终点的元件中心后，按［终点］按钮。
这样，元件间距便会自动输入。
H: 料架号码
指定从收纳柜的第几号料架开始吸附元件。一般输入在「料架号码开始」中设置的数值。因为该数值会随使用的料架同步
自动更新，所以可以确认当前正在使用第几号料架。
I: 元件识别用标记
指定为了计算元件中心而使用的标记数据的号码。
J: 元件标记重新执行
如果有些元件不能用识别来算出元件中心时，可指定需连续不停地跳过多少该类元件。
K: 坏板标记识别用标记
指定为了检出元件上的坏板标记而使用的标记号码。坏板标记的识别以元件识别检出的中心位置为基准进行。
L: 坏板标记重新执行
指定需连续不停地跳过多少已检出坏板标记的元件。
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基板程序的生成和编辑
「搜索」图标
托盘参数
晶片托盘的「搜索」图标
66134-X6-00
A: 当前搜索方向
指定元件的搜索方向。
1.未使用的晶片，指定「初始（右）」等有“初始”文字的方向。
2.已用完部分晶片，指定「向右」等没有“初始”文字的方向。
B: 搜索切换方向
元件搜索作业中，当元件中心超出由晶片直径计算出的圆周时，需切换搜索方向。该项目就是指定搜索的切换方向。搜索的
切换方向必须与搜索方向垂直。
搜索方向、搜索切换方向
因超出公差范围，被判定为
不良。向左开始搜索
因元件的中心已经偏离晶片
的搜索直径，因此不再进行
扫描，而是向上方切换搜索
方向。
搜索开始坐标
65137-X6-00
C、D:搜索当前 X 坐标、搜索当前 Y 坐标 (mm)
输入开始元件搜索的坐标。用该坐标可以进行示教作业。
通过示教得到的坐标值为晶片中心开始的坐标。从「搜索方向」和「搜索切换方向」可以决定需在此进行示教的晶片位置。
例如：「搜索方向」为「初始 ( 右 )」、「搜索切换方向」为「上方」时，对左下位置进行示教。
E、F:元件个数 X、Y
使用晶片阵列信息（基本图标画面中晶片阵列为「没有」以外）时，指定该行列数。
G、H:目前计数 X、Y
指定进行元件搜索的计数值。以主机正面左下角为计数值 (1，1) 开始计数。
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基板程序的生成和编辑
「吸附」图标
托盘参数
晶片托盘的「吸附」图标
66135-X6-00
A: 吸料高度 (mm)
指定吸料高度（推入量）。一般设置为 0.00mm。
吸附时，晶片头在下列高度实施吸附作业。
WTCHead 吸料位置最高 (LP) 轴坐标＋吸料高度－送料带厚度－元件厚度＋ WTCHead 位移值＋吸嘴厚度。
B: 吸附计时 (sec)
指定从上推轴（LU 轴）到达指定高度后，到 Head 上下轴 (LP 轴 ) 开始上升之前，Head 上下轴 (LP 轴 ) 需停止等待的时间的
计时。以 0.05 秒为单位，最大可设置到 0.75 秒。
C、D:吸料上升速度、吸料下降速度 (%)
指定吸料时晶片吸头的下降速度和上升速度。以 10% 为单位设置，最大设置值为 100%。
E、F:HeadLow 级别、HeadHigh 级别 (%)
输入晶片吸头在吸料及传料时判断移动级别的数值。HeadLow 级别指吸附元件时，晶片吸头一旦判断真空级别上升至设定值
并已吸住元件，就开始移动。HeadHigh 级别指传料时，晶片吸头一旦判断吸料时的真空级别下降至设定值，并已放下元件，
就开始移动。
G: 送料带厚度 (mm)
输入切片料带的厚度 (0.00 〜 2.55)。
H: 上推高度 (mm)
设置晶片吸头从晶片吸附元件时，顶针（上推顶针）需上升的高度 (-30.00 〜 30.00)。
I、J:LU 轴上升速度、LU 轴下降速度 (%)
设置顶针（上推顶针）的上升及下降速度。以 10% 为单位设置，最大设置值为 100%。
K: LU 轴下降时机 (mm)
设置晶片吸头从晶片吸附元件后上升过程中，使上推轴 (LU 轴 ) 开始下降的 LP 轴的上升量。
从理论上来说，晶片吸附头从料带剥离元件时的 LP 轴位置，进一步上升至在此所设置的上升量时，顶针 ( 上推顶针 ) 开始
下降。单位为 (mm)，向上方为“＋”值。