GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第27页
24 GJB/Z 299C-200 6 表 5. 2 . 2 - 2 2 ( 续 ) 单位 为 10 ⁻⁶ % h 位数NB C C ₂ 8192 0.88 03 0.14 31 16 38 4 1.1 066 0.19 07 3276 8 1.3 909 0.25 43 6553 6 1.7 484 0.33 91 131 072 3.45 69 0.38 05 2621 44 4.2266 0.45 88 5242 88 5.16 …
GJB/Z299C-2006
20
表 5.2.2-15 CMOS 电路的温度系数 πv
Vs/V
T/C
25
50
75
100
125
150
175
12
0.61
0.72
0.85
1.0
1.17
1.37
1.61
13
0.72
0.86
1.02
1.22
1.45
1.72
2.05
14
0.85
1.02
1.23
1.49
1.79
2.16
2.61
15
0.99
1.21
1.48
1.81
2.22
2.71
3.32
16
1.16
1.44
1.79
2.22
2.75
3.41
4.22
17
1.37
1.72
2.16
2.71
3.40
4.28
5.37
18
1.60
2.04
2.60
3.31
4.21
5.37
6.83
表5.2.2-16 PROM 电路的可编程工艺系数 πPT
位数
N
双极
TPT
MOS
TPr
位数
NB
双极
TPT
MOS
TPT
≤512
1.00
1.00
262144
1.15
1.13
1024
1.02
1.01
524288
1.17
1.15
2048
1.03
1.02
1048576
1.19
1.17
4096
1.05
1.04
2097152
1.20
1.19
8192
1.06
1,05
4194304
1.22
1.20
9216
1.07
1.06
8388608
1.24
1.22
16384
1.08
1.07
16777216
1.26
1.24
32768
1.10
1.09
33554432
1.28
1.26
65536
1.11
1.10
67108864
1.30
1.27
131072
1.13
1.12
表5.2.2-17 单片双极数字电路的复杂度失效率C 及 C₂
单位为10⁻⁶ h
门数NG
C
C
₂
50
0.1227
0.0100
100
0.1574
0.0121
200
0.2021
0.0146
300
0.2338
0.0163
400
0.2593
0.0177
500
0.2810
0.0188
600
0.3001
0.0197
700
0.3172
0.0206
800
0.3328
0.0214
900
0.3473
0.0221
1000
0.3607
0.0227
3000
0.5357
0.0307
5000
0.6438
0.0354
7000
0.7267
0.0388
24
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-22(续)
单位为10⁻⁶%
h
位数NB
C
C₂
8192
0.8803
0.1431
16384
1.1066
0.1907
32768
1.3909
0.2543
65536
1.7484
0.3391
131072
3.4569
0.3805
262144
4.2266
0.4588
524288
5.1676
0.5533
1048576
6.3181
0.6671
表5.2.2-23 MOS SRAM和CCD器件的复杂度失效率C.及C₂单位为10⁻⁶%
位数N
C
C
₂
16
0.0570
0.0055
32
0.0731
0.0071
64
0.0939
0.0090
128
0.1205
0.0115
256
0.1546
0.0146
512
0.1984
0.0186
1024
0.2546
0.0238
2048
0.3268
0.0303
4096
0.4194
0.0386
8192
0.5383
0.0492
16384
0.6909
0.0627
32768
0.8867
0.0799
65536
1.1380
0.1019
131072
1.2347
0.1200
262144
1.5201
0.1478
524288
1.8714
0.1819
1048576
2.3040
0.2240
2097152
2.8366
0.2758
4194304
3.4922
0.3395
8388608
4.2994
0.4180
16777216
5.2932
0.5146
33554432
6.5167
0.6336
67108864
8.0230
0.7800
表5.2.2-24双极ROM及PROM的复杂度失效率C及C
单位为10
⁻⁶
/h
位数NB
C
C₂
16
0.1325
0.0042
32
0.1712
0.0054
64
0.2213
0.0070
128
0.2860
0.0090
25
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-24(续) 单位为10⁻⁶ % h
位数NB
C
C₂
256
0.3696
0.0117
512
0.4777
0.0151
1024
0.6173
0.0195
2048
0.7978
0.0252
4096
1.0310
0.0326
8192
1.2342
0.0421
16384
1.4986
0.0544
32768
1.8195
0.0703
65536
2.2093
0.0908
131072
2.6825
0.1174
262144
3.2571
0.1517
524288
3.9547
0.1960
1048576
4.8018
0.2533
表5.2.2-25 MOS 的 ROM 及PROM 电路的复杂度失效率C 及 C 单位为10⁶/h
位数NB
C
C₂
16
0.0331
0.0029
32
0.0410
0.0036
64
0.0508
0.0045
128
0.0630
0.0057
256
0.0781
0.0071
512
0.0968
0.0088
1024
0.1200
0.0110
2048
0.1488
0.0138
4096
0.1845
0.0172
8192
0.2287
0.0215
16384
0.2835
0.0268
32768
0.3515
0.0334
65536
0.4357
0.0417
131072
0.5402
0.0521
262144
0.6697
0.0650
524288
0.8302
0.0812
1048576
1.0292
0.1013
2097152
1.2759
0.1265
4194304
1.5818
0.1579
8388608
1.9610
0.1971
16777216
2.4310
0.2461
33554432
3.0138
0.3072
67108864
3.7362
0.3835