Oxford 100 材料蚀刻率 2011 年 8 月.pdf

Material: SiO2 5% Area SiO2 100% Area SiN 5% Area SiN 100% Area Si S1813 + S1813 + Recipe: BB CF4/O2 10mT BB CF4/O2 10mT BB CF4/O2 10mT BB CF4/O2 10mT BB CF4/O2 10mT BB CF4/O2 10mT BB O2 10mT % Area Etched: 5 100 5 100 5…

Material: SiO2 5% Area SiO2 100% Area SiN 5% Area SiN 100% Area Si S1813 + S1813 +

Recipe: BB CF4/O2 10mT BB CF4/O2 10mT BB CF4/O2 10mT BB CF4/O2 10mT BB CF4/O2 10mT BB CF4/O2 10mT BB O2 10mT

% Area Etched: 5 100 5 100 5 5 5

Gas 1:

O2 O2 O2 O2 O2 O3 O2

Flow (sccm): 5 5555550

Gas 2:

CF4 CF4 CF4 CF4 CF4 CF4 N/A

Flow (sccm): 50 50 50 50 50 50 N/A

Set Pressure (mT):

10 10 10 10 10 10 10

Set Chuck Temperature (°C)

26 28 26 28 26 26 26

ICP Forward (W) 500 500 500 500 500 500 500

RF CCP (W) 100 100 100 100 100 100 100

Average Etch Rate (nm/min):

113.85 94.41 163.70 161.05 164.53 251.16 705.01

%Uniformity: 5.78 3.81 5.68 3.89 4.90 6.79 3.84

Run to Run %Uniformity 7.17 7.04 7.00 7.85 6.83 14.74 6.35

Material : SiO2 5% Area Etched 1 : 1.00 1 : 1.21 1 : 0.70 1 : 0.71 1 : 0.69 1 : 0.45

N/A

Material:SiO2100%AreaEtched 1 : 0.83 1 : 1.00 1 : 0.58 1 : 0.59 1 : 0.57 1 : 0.38

N/A

Material : SiN 5% Area Etched 1 : 1.44 1 : 1.73 1 : 1.00 1 : 1.02 1 : 0.99 1 : 0.65

N/A

Material:SiN100%AreaEtched 1 : 1.41 1 : 1.71 1 : 0.98 1 : 1.00 1 : 0.98 1 : 0.64

N/A

Material : Si 1 : 1.45 1 : 1.74 1 : 1.00 1 : 1.02 1 : 1.00 1 : 0.66

N/A

Material : S1813 + (BB CF4/O2 10 mT) 1 : 2.21 1 : 2.66 1 : 1.53 1 : 1.56 1 : 1.53 1 : 1.00

N/A

Material : S1813 + (BB O2 10 mT) 1 : 6.19 1 : 7.47 1 : 4.31 1 : 4.38 1 : 4.28 1 : 2.81

N/A

Oxford 100 Material Etch Rates

Average Selectivity:

Powers: