GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第26页

GJB/ Z299 C-200 6 20 表 5 . 2 .2 - 1 5 CM O S 电 路的 温 度 系 数 π v Vs/V T/C 25 50 75 10 0 12 5 15 0 17 5 12 0.61 0.72 0.85 1. 0 1.1 7 1.3 7 1.6 1 13 0.72 0.86 1.0 2 1.2 2 1.4 5 1.7 2 2.05 14 0.85 1.0 2 1.2 3 1.4 9 1.7 9 2.16 …

100%1 / 160
GJB/Z 299C-2006
18
表5.2.2-10 MOS 微处理器的 πT
T/C
斯
T/℃
T
T/C
斯
T/C
斯
25
0.10
53
0.63
81
2.95
115
14.27
27
0.12
55
0.71
83
3.26
120
17.58
29
0.13
57
0.80
85
3.60
125
21.56
31
0.15
59
0.89
87
3.98
130
26.30
33
0.17
61
1.00
89
4.39
135
31.92
35
0.20
63
1.12
91
4.83
140
38.56
37
0.23
65
1.26
93
5.32
145
46.38
39
0.26
67
1.40
95
5.84
150
55.54
41
0.30
69
1.57
97
6.42
155
66.23
43
0.34
71
1.75
99
7.04
160
78.66
45
0.38
73
1.94
101
7.72
165
93.05
47
0.44
75
2.16
103
8.45
170
109.65
49
0.49
77
2.40
105
9.24
175
128.75
51
0.56
79
2.66
110
11.51
一
一
表5.2.2-11 双极存储器的 πr
T/℃
斯
T/℃
T/℃
即
T/C
斯r
25
0.10
53
0.45
81
1.59
115
5.79
27
0.11
55
0.50
83
1.73
120
6.87
29
0.13
57
0.55
85
1.88
125
8.11
31
0.14
59
0.60
87
2.04
130
9.55
33
0.16
61
0.66
89
2.20
135
11.19
35
0.18
63
0.72
91
2.39
140
13.06
37
0.20
65
0.79
93
2.58
145
15.19
39
0.22
67
0.87
95
2.79
150
17.60
41
0.24
69
0.95
97
3.01
155
20.32
43
0.27
71
1.04
99
3.25
160
23.39
45
0.30
73
1.13
101
3.50
165
26.84
47
0.33
75
1.24
103
3.77
170
30.70
49
0.37
77
1.35
105
4.06
175
35.01
51
0.41
79
1.46
110
4.86
表5.2.2-12 MOS 存储器的 πI
T/℃
斯T
T/℃
TT
T/C
T/℃C
斯
25
0.10
33
0.17
41
0.30
49
0.49
27
0.12
35
0.20
43
0.34
51
0.56
29
0.13
37
0.23
45
0.38
53
0.63
31
0.15
39
0.26
47
0.44
55
0.71
GJB/Z299C-2006
20
表 5.2.2-15 CMOS 电路的温度系数 πv
Vs/V
T/C
25
50
75
100
125
150
175
12
0.61
0.72
0.85
1.0
1.17
1.37
1.61
13
0.72
0.86
1.02
1.22
1.45
1.72
2.05
14
0.85
1.02
1.23
1.49
1.79
2.16
2.61
15
0.99
1.21
1.48
1.81
2.22
2.71
3.32
16
1.16
1.44
1.79
2.22
2.75
3.41
4.22
17
1.37
1.72
2.16
2.71
3.40
4.28
5.37
18
1.60
2.04
2.60
3.31
4.21
5.37
6.83
表5.2.2-16 PROM 电路的可编程工艺系数 πPT
位数
N
双极
TPT
MOS
TPr
位数
NB
双极
TPT
MOS
TPT
≤512
1.00
1.00
262144
1.15
1.13
1024
1.02
1.01
524288
1.17
1.15
2048
1.03
1.02
1048576
1.19
1.17
4096
1.05
1.04
2097152
1.20
1.19
8192
1.06
1,05
4194304
1.22
1.20
9216
1.07
1.06
8388608
1.24
1.22
16384
1.08
1.07
16777216
1.26
1.24
32768
1.10
1.09
33554432
1.28
1.26
65536
1.11
1.10
67108864
1.30
1.27
131072
1.13
1.12
表5.2.2-17 单片双极数字电路的复杂度失效率C 及 C₂
单位为10⁻⁶ h
门数NG
C
C
₂
50
0.1227
0.0100
100
0.1574
0.0121
200
0.2021
0.0146
300
0.2338
0.0163
400
0.2593
0.0177
500
0.2810
0.0188
600
0.3001
0.0197
700
0.3172
0.0206
800
0.3328
0.0214
900
0.3473
0.0221
1000
0.3607
0.0227
3000
0.5357
0.0307
5000
0.6438
0.0354
7000
0.7267
0.0388
24
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-22(续)
单位为10⁻⁶%
h
位数NB
C
C₂
8192
0.8803
0.1431
16384
1.1066
0.1907
32768
1.3909
0.2543
65536
1.7484
0.3391
131072
3.4569
0.3805
262144
4.2266
0.4588
524288
5.1676
0.5533
1048576
6.3181
0.6671
表5.2.2-23 MOS SRAM和CCD器件的复杂度失效率C.及C₂单位为10⁻⁶%
位数N
C
C
₂
16
0.0570
0.0055
32
0.0731
0.0071
64
0.0939
0.0090
128
0.1205
0.0115
256
0.1546
0.0146
512
0.1984
0.0186
1024
0.2546
0.0238
2048
0.3268
0.0303
4096
0.4194
0.0386
8192
0.5383
0.0492
16384
0.6909
0.0627
32768
0.8867
0.0799
65536
1.1380
0.1019
131072
1.2347
0.1200
262144
1.5201
0.1478
524288
1.8714
0.1819
1048576
2.3040
0.2240
2097152
2.8366
0.2758
4194304
3.4922
0.3395
8388608
4.2994
0.4180
16777216
5.2932
0.5146
33554432
6.5167
0.6336
67108864
8.0230
0.7800
表5.2.2-24双极ROM及PROM的复杂度失效率C及C
单位为10
⁻⁶
/h
位数NB
C
C₂
16
0.1325
0.0042
32
0.1712
0.0054
64
0.2213
0.0070
128
0.2860
0.0090