GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第28页
25 GJB/ Z 299C-20 06 表 5 . 2 . 2 - 2 4 ( 续 ) 单 位 为 1 0 ⁻⁶ % h 位数NB C C ₂ 256 0.36 96 0.01 17 512 0.47 77 0.01 51 10 24 0.61 73 0.01 95 2048 0.79 78 0.02 52 4096 1.0 310 0.03 26 8192 1.2 342 0.04 21 16 38 4 1.4 986 0.05 4…
24
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-22(续)
单位为10⁻⁶%
h
位数NB
C
C₂
8192
0.8803
0.1431
16384
1.1066
0.1907
32768
1.3909
0.2543
65536
1.7484
0.3391
131072
3.4569
0.3805
262144
4.2266
0.4588
524288
5.1676
0.5533
1048576
6.3181
0.6671
表5.2.2-23 MOS SRAM和CCD器件的复杂度失效率C.及C₂单位为10⁻⁶%
位数N
C
C
₂
16
0.0570
0.0055
32
0.0731
0.0071
64
0.0939
0.0090
128
0.1205
0.0115
256
0.1546
0.0146
512
0.1984
0.0186
1024
0.2546
0.0238
2048
0.3268
0.0303
4096
0.4194
0.0386
8192
0.5383
0.0492
16384
0.6909
0.0627
32768
0.8867
0.0799
65536
1.1380
0.1019
131072
1.2347
0.1200
262144
1.5201
0.1478
524288
1.8714
0.1819
1048576
2.3040
0.2240
2097152
2.8366
0.2758
4194304
3.4922
0.3395
8388608
4.2994
0.4180
16777216
5.2932
0.5146
33554432
6.5167
0.6336
67108864
8.0230
0.7800
表5.2.2-24双极ROM及PROM的复杂度失效率C及C
单位为10
⁻⁶
/h
位数NB
C
C₂
16
0.1325
0.0042
32
0.1712
0.0054
64
0.2213
0.0070
128
0.2860
0.0090
25
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-24(续) 单位为10⁻⁶ % h
位数NB
C
C₂
256
0.3696
0.0117
512
0.4777
0.0151
1024
0.6173
0.0195
2048
0.7978
0.0252
4096
1.0310
0.0326
8192
1.2342
0.0421
16384
1.4986
0.0544
32768
1.8195
0.0703
65536
2.2093
0.0908
131072
2.6825
0.1174
262144
3.2571
0.1517
524288
3.9547
0.1960
1048576
4.8018
0.2533
表5.2.2-25 MOS 的 ROM 及PROM 电路的复杂度失效率C 及 C 单位为10⁶/h
位数NB
C
C₂
16
0.0331
0.0029
32
0.0410
0.0036
64
0.0508
0.0045
128
0.0630
0.0057
256
0.0781
0.0071
512
0.0968
0.0088
1024
0.1200
0.0110
2048
0.1488
0.0138
4096
0.1845
0.0172
8192
0.2287
0.0215
16384
0.2835
0.0268
32768
0.3515
0.0334
65536
0.4357
0.0417
131072
0.5402
0.0521
262144
0.6697
0.0650
524288
0.8302
0.0812
1048576
1.0292
0.1013
2097152
1.2759
0.1265
4194304
1.5818
0.1579
8388608
1.9610
0.1971
16777216
2.4310
0.2461
33554432
3.0138
0.3072
67108864
3.7362
0.3835
34
GJB/Z 299C-2006
=0.0602×10⁻⁶h
示例3:已知符合SJ 820的双稳态触发器H-sW21, 其厚膜衬底面积As=1.5cm², 内有厚膜电阻七个，硅NPN 晶
体管二只，普通硅二极管三只，云母电容器二只，使用环境为普通地面固定，该混合集成电路底座温度为85℃,计算其
工作失效率。
第一步根据5.2.3条，其预计模型为：
=EQ 而 年
第二步 查表5 .2 . 3- 1,得=2 . 5;
第三步 查表5.2.3-2,得o=0.50;
第四步 查表5.2.2-4,得x=1.0;
第五步 查表5.2.3-4,得a=1.0;
第六步 由T=85℃, 查表5.2.3-3,得ar=4.54;
第七步 根据5.2.3条，其基本失效率模型为；
福 =Ac+kNr+2pecNbc+isF
第八步 根据厚膜衬底As=1.5cm², 厚膜电阻数NRr=7, 计算(Ayc+2urNa₇) 值 ：
查表5.2.3-5,得c=0.016, 查表5.2.3-6,得gr=0.002:
所以：
Alc=1.5×0.032=0.024
gTNgr=0.002×7=0.014
第九步 计算LipcNoe的值，根据硅NPN 晶体管二只，普通硅二极管三只，云母电容二只，查表5.2.3-7得nc 分
别为0.0152,0.0087.0.0061.
所以：LipeNbc=0.0152×2+0.0087×3+0.0061×2=0.0687
第十步 该电路为厚膜电路，查表5.2.3-8,得is=0.12;
第十一步计算基本失效率：
A=Ac+λgNgr+2peNbc+isF
=0.024+0.014+0.0687+0.06
=0.1667×10⁻⁶h
第十二步计算工作失效率：
=4πEToLTj
=0.1667×2.5×0.50×1.0×4.54×1.0
=0.946×10⁻⁶%h
示例4:已知某一按
SJ 2968
总规范组织生产和管理的声表面波器件，用于一般地面固定的电信设备中，计算其工作
失效率。
第一步 查表5.2.4-2,得其质量等级为B₂ 时 ，o=1.0;
第二步 查表5.2.4-1,得一般地面固定环境条件πg=2.0;
第三步 计算工作失效率：
高 =TQE
=0.27×1.0×2.0
=0.54×10⁶%h
5.3 半导体分立器件
5.3.1 概述
半导体分立器件包括晶体管、二极管和光电子器件，其分类见表5.3.1-1.