IPC CH-65B CHINESE.pdf - 第163页

1 1.2.3.1.3 ⽯蜡 烃 石蜡 烃是简 单的 直链 碳 氢 化合 物 。 这些 材料 非 常稳 定 且 通 常 不可能 改 变 。 石蜡 烃 对 于 很 多 非极 性污染 物具 有 非 常 好 的 溶 解 性。要 去 除 离 子 残留物 和 极 性 助焊剂 成 分 , 配 方 中 应 加 入 一 种 含 氧碳 氢 化合 物 。 石蜡 烃 不 溶于水 但加入 表面 活 性 剂 后 可 以 助冲 洗。 与 这些混 合 物 一 起配 …

100%1 / 215
I型半水基清洗-有限的水溶
II型半水基清洗-易溶于水
11.2.3.1 I型半⽔基清洗剂 I型半水基清洗的设计可溶于水或者分溶于水设计
选择一个化的有化合组合来匹配于助焊剂中的不溶于水非极料。清洗
能与表面,对松脂结吸引力,而对有残留物吸引
力。这种清洗的设计,润湿并在印制电路板表面均匀扩散
成一个单,其中
氧基面相互键合,而与松污染合在一
第二设计考虑进入化学分离冲阶段残留清洗剂分离出来的能力。清洗
成一列不性的这些清洗剂液
其各的表面张力。机械接合设
中提清洗。有时这种的清洗环使用,
有时候则为一收集化合,可为排入的化学分离
流降低化学需氧量和生物需氧量。另外方法吸附法污染
使其能使用。
的用电子组装清洗的不溶于水的化学制下:
11.2.3.1.1 三萜烃类
公司开发替代性的清洗代含类分子对松和一
助焊剂残留物表现出良好性能。萜烯类是广于自中的溶剂萜烯
的电子清洁产品的一半水基清洗溶剂1988-1992年,的出现成为
要的清洗代含
萜烯类产品,在用电子清洗用时其度十分要。杂萜烯
类氧往往
发一刺鼻子气这些物质是较高的材料,并可清洗的部件表面
积。萜烯物具性,此,含萜烯类产品使高纯材料。不仅能
产品性能减少异味
萜烯类是非溶剂在室很好地范围43° C-54° C[110° F-130° F]。适
电子清洗萜烯可为松和一些以助焊剂残留物供良好性。萜烯
方采步冲洗的程。第一步使用一萜烯乳液水协助清洗组件。进入到单
槽后机械方法萜烯分离出来。
11.2.3.1.2 脂肪以脂合了低蒸材料和段共表面
较高
本上异味。主要优点是小的排放量清洗,138° C[280° F]、气
小,助焊剂能力和油脂。主要点是很难助焊剂残留物
匹配
酯配和一清洗助焊剂残留物溶于水用来
水冲效果
已溶助焊剂残留物
使用成膜过分离以进步处理处
或者返到制程中分离的清洗溶剂行收集或者环利或者作行处
可用路。
肪族在大部电子组装程的元器件上表现出的兼容性。技术所来的不
件,接器和对低固
表现去焊剂性能上一个不前
问题
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11.2.3.1.3 ⽯蜡 石蜡烃是简单的直链化合这些材料常稳不可能石蜡
非极性污染物具性。要残留物助焊剂
氧碳化合石蜡溶于水但加入表面助冲洗。
这些混起配制的半水基清洗产品性和非极性组
清洗性能。产品具
高闪低毒性。当结于冲洗时,这些清洗剂已证实在印制线路板上子污染
残留的有性。
操作中,石蜡可用于行业标准的半水基清洗设。洗49° C-71° C[120° F-160° F]可提
清洗性能。清洗组件要用DI去离洗。这种材料不是水溶性的,所用一
种两步冲步骤用一90%
去离水/10%清洗乳液冲为可这种
方法可提清洗离基质洗能力。残留物和清洗到一个中,在此
和清洗剂是分离的。以降低排中有机物的含量,减少水处理的要求。
洗用含有平的污染,可排入或者送入封环系统处理
像脂石蜡
低毒性和高闪>93° C[>200° F]特点这种技术所来的
中,对助焊剂的清洗效果有限,步骤
不前的问题
11.2.3.1.4 ⼆醇醚化合物 一组使子量的性能的复合溶剂
溶剂多种溶剂用的,并可通
过初、在/
性和清洗行选择
-化合半水基产品证明其对水溶性、松低固和合成
助焊剂残留物的有性。本产品一个优点于它以被设计、而达到清洗
要达到的性能。类产品操作37° C-71° C[100° F-160° F]时性能表现佳。
它半水基清洗,工程清洗可用工业设计的半水基清洗设
11.2.3.2 II型半⽔基清洗剂 水溶半水基清洗上通是非极性,可与有,松
助焊剂中发现的团很好地用。含的清洗能与水分
含了永子,使其可子包很好地用。这些哥伦和范德华增强
水基
水溶半水基清洗剂因为清洗
中的可改善去离效果使水溶半水基
来的不是无法或者分离出清洗。通,化学离析冲液是
要的后送处理的公共机构果需环防洗,可使膜过系统
分离出有复化学离析冲洗部闭循
环使
11.2.3.2.1 ⾮直链式 直链甘蔗和其它生物
化合含有醚键了化合。 了化合物去
性和非极性污染效果。此氧基了与助焊剂残留物
成。
直链剂已证实能有所有助焊剂残留类型,包水溶性、松低固
和合成以这种技术为能有效去烘烤助焊剂残留物的表面张力和
湿细间距元器渗透类产品操作范围为37° C-71° C[100° F-160° F]时能
好地直链工业要
半水基清洗设
11.2.4 半⽔基清洗剂的性11.1列出了一半水基产品的清洗性能。
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半水基产品不会除油蒸馏。相们用于批或者在线设,其中部半水基
清洗溶剂用一水基冲行冲洗,然干燥纯净半水基清洗剂是的,
大程上影了工技术。然而,所有这些艺已安全年。
11.2.5 清洗剂的兼容性 必须考虑半水基清洗与用印制线路组件产品中的料、和其
材料的兼容性。大数半水基清洗
会提兼容性数据表。这些数据是作个主要的
兼容性问题导方经历清洗的兼容性和经历清洗的长兼容性。讨论材料与清
的兼容性时要考虑因素是
材料暴露在清洗是什么状态高温暴露的长数据必须自于严格
产品测试方法意义
测试材料产品的一量不
或者增塑材料的兼容
性能。
•比目前的清洗方法作准参的兼容性数据
清洗对所有适用性能材料的影附着力、腐蚀
考虑清洗材料与清洗工和设的兼容性。包于液体高压喷淋超声波能量、干燥步骤
中的高温等等
于测试方法的不同以及与各个生产相关的具体件的要,位用评估半水基清洗
的兼容性测试
11.2.6 半⽔基⼯艺中冲洗⽔的性
半水基水作剂使用。在半水基清洗工中通
水冲阶段。第一个阶段去大部分溶剂溶剂无法去的任何残留物
第二用来确保组件传送干燥阶段的时表面上仅有高纯净水存在。然而,世
一个一个水质大的化。这种水质时影到清洗洗能力和设
性能。
因素应行检查
确认清洗。第一是最检测水纯净方法是测的电
或者、电导率纯净的电阻率18.25MU或者0.55μmhos导率取决组件
的关性,一流入半水基清洗工艺冲阶段阻率应1-5MU。组件
阻率应该越。要满足这种要求消除在组件上的子材料,这些子材料对产品的可
性有不
于非离子污染检测总悬浮TSS、化学和生物需氧量(CODCOB)和/或者
的有机质含量(TOC必须进行测量。这些阻率为复杂,纯净
11-1 列以半⽔基产品的清洗性
萜烯础脂础⽯
⾮直链式
氧化的
° C[° F] >170 [>338] >200 [>392] >200 [>392] >170 [>338] >160 [>320]
° C[° F] 55 [131] >130 [>266] >90 [>194] >70 [>158] >70° C [>158]
比重25° C[77 °F] 0.80-0.90 0.80-0.90 0.8-0.90 1.02-1.08 0.88-0.98
表面张力,dyne/cm
25° C[77° F]
25-30 25-30 27-34 22-28 26-32
味柑 和的 常低 和的
<2.0 <0.2 <0.002 <0.3 <0.3
密度
=1 <1 <7 <1 <4 <5
中的性不 溶溶 分溶
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