IPC-JEDEC J-STD-020E CN 2015 非气密表面贴装器件潮湿与再流焊敏感度分级.pdf - 第11页

2 适⽤⽂件 2.1 JEDEC 1 JEP140 Beaded Thermocouple T emperature Measurement of Semiconductor Packages JEP160 Long T erm Storage Guidelines for Electronic Solid State W afers, Dice, and Devices JESD22-A120 T est Method for the…

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1.3.3 *⾯阵列封装 其端子呈栅阵列分布在封装体底部且包含在封装外形范围内的封装。
1.3.4 *分级温度（T
c
） 按照J-STD-033在警示标签和/或条码上标注的MSL，元器件制造商保证的元
器件本体可承受的最高温度。
1.3.5 裂纹 材料本体内部分离。又见“分层”。
1.3.6 *损伤响应 因暴露在再流焊中而引起的一切不可逆的改变。
1.3.7 死⾍（朝向） 端子朝上的封装朝向。
1.3.8 分层 两种已接合的材料界面的分离。又见“裂纹”。
1.3.9 向下键合区域 晶片连接盘上的金属线键合区域，其尺寸相当于晶片上的单个键合盘。
1.3.10 车间寿命 从防潮袋里将器件取出、经干燥储存、或经干燥烘烤到
再流焊前所允许的时间期
限。
注：本标准中车间寿命“不受限”的目的，是因为本标准仅参考了潮湿/再流焊的相关失效，并未考
虑其它失效机理或因长期储存带来的保存期限问题。见JEP160。
1.3.11 整体热风返⼯ 为了仅使封装的焊点熔化，通过加热的空气直接加热封装本体的过程。
1.3.12 活⾍（朝向） 依靠端子支撑的封装朝向。
1.3.13 制造商暴露时间（MET） 在烘烤后交付用户前，元器件可能暴露在周围环境条件下的最长
累积时间。
1.3.14 潮湿/再流焊敏感度分级 再流焊时，元器件因吸潮而易受到损伤的特性。
1.3.15 潮湿敏感等级（MSL） 再流焊时，元器件因吸潮而易受到损伤的等级标识。
1.3.16 *封装厚度 元器件的厚度，不包括外部端子（焊球、凸点、焊盘和引线）和/或非集成的散
热器。
1.3.17 *封装体峰值温度（T
p
） 在MSL分级时，单个封装体所能达到的最高温度。
1.3.18 重新分级 对原已经分级的器件归到新的潮湿敏感等级的过程。
1.3.19 *吸潮 元器件在特定温度和湿度下暴露特定时间。又见“加速等量吸潮”。
1.3.20 ⾦属线键合表⾯ 金属线键合的特定区域。
IPC/JEDEC J-STD-020E-C 2015年1月
2
2 适⽤⽂件
2.1 JEDEC
1
JEP140 Beaded Thermocouple Temperature Measurement of Semiconductor Packages
JEP160 Long Term Storage Guidelines for Electronic Solid State Wafers, Dice, and Devices
JESD22-A120 Test Method for the Measurement of Moisture Diffusivity and Water Solubility in Organic
Materials Used in Integrated Circuits
JESD22-A113 Preconditioning Procedures of Plastic Surface Mount Devices Prior to Reliability Testing
JESD22-B101 External Visual
JESD22-B108 Co-planarity Test for Surface-Mount Semiconductor Devices
JESD22-B112 High Temperature Package Warpage Measurement Methodology
JESD47 Stress Test Driven Qualification Specification
JESD625 Requirements for Handling Electrostatic Discharge Sensitive (ESD) Devices
2.2 IPC
2
IPC-TM-650 测试⽅法⼿册
3
2.1.1 Microsectioning
2.1.1.2 Microsectioning - Semi or Automatic Technique Microsection Equipment
2.3 联合⼯业标准
4
J-STD-033 潮湿/再流焊敏感表面贴装器件的操作、包装、运输与使用
J-STD-035 Acoustic Microscopy for onhermetic Encapsulated Electronic Components
J-STD-075 组装工艺中非IC电子元器件的分级
3 仪器
3.1 温湿箱 能够在85°C/85％RH、85°C/60％RH、60°C/60％RH及30°C/60％RH条件下运行的湿度
箱。在箱体工作区域内，温度公差必须在±2°C范围内，相对湿度公差必须在±3%RH范围内。
3.2 再流焊设备
3.2.1 全对流热风循环（优先采⽤） 能够维持运行本标准所要求的再流焊温度曲线的全对流热风循
环系统。
3.2.2 红外线 能够维持运行本标准所要求的再流焊温度曲线的红外线（IR）/对流再流焊设备。它
需要使用红外线仅加热空气，不直接照射在测试的SMD封装/器件上。
注：潮湿敏感分级测试结果取决于封装本体的温度（而不是安装基板和/或封装端子的温度）。
1. www.jedec.org
2. www.ipc.org
3.
可通过订购和从IPC网站（www.ipc.org/html/testmethods.htm）下载得到现行版和修订版IPC测试方法手册IPC-TM-650。
4. www.ipc.org
2015年1月 IPC/JEDEC J-STD-020E-C
3
3.3 烘烤箱 烘烤箱的作业能力为125＋5/－0°C。
3.4 显微镜
3.4.1 光学显微镜 光学显微镜（外观检查的放大倍数为40倍，切片检查的放大倍数为100倍，更高
的放大倍数用于验证）。
3.4.2 超声波扫描显微镜 具有C-模式及穿透能力的典型超声波扫描显微镜。它应该至少具备可测
量出被测区域5％分层的能力。
注1：超声波扫描显微镜通常用于探测裂纹与分层。然而，出现了分层并不一定代表有疑似的可靠性
问题存在。对特定的晶片/封装系统，必须建立分层对可靠性的影响。
注2：关
于超声波扫描显微镜的操作，参见IPC/JEDEC J-STD-035。
3.5 切⽚ 符合IPC-TM-650测试方法2.1.1和测试方法2.1.1.2或其它适用文件所推荐的微切片设备。
3.6 电性测试 有能力对器件进行适当测试的电性测试设备。
3.7 秤重仪器（可选） 封装称重精度可达1μg的仪器。该仪器一定要存放在不通风的环境中，例如
柜子里。用于获得待测器件吸潮与去湿的数据（见第8章）。
3.8 珠形热电偶温度测量 参考JEP140指导程序，精确地、连续地测量元器件暴露在受热过程中的
温度。JEP140指南的应用范围包括，
但不仅限于，在可靠性测试箱中的温度曲线测量和将元器件组
装到印制板上的再流焊操作的温度曲线测量。
4 分级/重新分级
已合格/已分级的SMD重新分级指南见4.3节。
工程研究显示以大尺寸封装来确定的再流焊曲线，用于小而薄的SMD封装时会达到更高的温度。因
此，技术和/或商业刊物通常要求在更高的再流焊温度下对小而薄的SMD封装（参见表4-1和表4-2）
进行分级。为精确地测量封装本体的实际峰值温度，可采用JEP140所推荐的热电偶测量。
4.1 分级温度（T
C
） 原已经分级的SMD应该只 能由制造商重 新分级。用户应该参照包装袋上的
“潮湿敏感”标签来确定该SMD封装分级于多高的再流焊温度下。
除非标签有注明，否则等级1的SMD封装视为在220°C下进行的分级。
如果供应商与用户同意，元器件可在表4-1与表4-2以外的温度下进行分级。如果有使用不同的分级温
度，则使用的温度见J-STD-033中的定义，应当写于警示标签上。
表4-1 锡铅共晶⼯艺 — 分级温度（T
C
）
封装厚度 体积mm
3
<350 体积mm
3
≥350
<2.5mm 235°C 220°C
≥2.5mm 220°C 220°C
IPC/JEDEC J-STD-020E-C 2015年1月
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