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ANSI/ESD S20.20 - 2021 ii 负 责 编 制 ANSI/ ESD S20.20 - 2021 的工 作 组 成 员 如 下 ： 组 长 John T. Kinnear, Jr. IBM Christopher Al meras Raytheon Kevin Duncan Seagate Technology Reinhold Gaertne r Infineon Technolog ies AG Steven Ge…
ANSI/ESD S20.20-2021
i
(本前言不属于 ESD 协会 ANSI/ESD S20.20-2021 标准的正式要求内容）
前言
本标准为规划、制订、实施和维护 ESD 管控体系提供合适框架，适用于生产、加工、装配、安装、
运输、包装、标记、检修、测试、检查或处置那些 HBM （人体模型）敏感度大于或 等于 100V 和
CDM （带电器件模型）敏感度大于或等于 200V 的电气或电子部件、组件和设备。本标准所引用的
CDM 200V 敏感度等级是建立在有效管控制程中必用的绝缘材料所产生的静电电场的感应影响的基
础上。
本标准也明确了对孤立导体的管控要求。标准里保留引用 MM (机器模型)是出于器件 MM 敏感度和
孤立导体的传统互通的原因。
器件对 ESD 的敏感度可由 HBM 和 CDM 来表征。因此，厂家可以不执行 MM 敏感度测试，导致相
关测试数据的收集也逐渐减少。
本标准结合了军方和工业用户对 ESDS 物品的防护建立的 ESD 管控体系所需的要求。参考文献包
含 EOS/ESD 协会，美国军方及美国 ANSI 发布的材料特性与测试方法的规范。本标准基于以下静
电防护原则：
A. 所有在管控环境里的导体，包括人员，必须直接连接或链接到厂房设计接地系统或非传统接地
系统（如在船上或太空船上），使上述物件和人员处于等电位状态。只要系统里所有物件处于
等电位状态，即便对地电位水平不是零伏特 (V)，该静电防护系统依然能达到应有效果。
B. 工作场所中必用绝缘体 (process essential insulators) ，即制程中必需用到的绝缘体（如线路板
和芯片封装材料等），不能通过接地起到静电防护作用，此时需靠离子化静电消除器中和部分
绝缘体的静电荷。因此，需要对工作场所的每个必用绝缘体进行风险评估，以便对 ESDS 物品
有针对性的选择合理的静电防护措施。
C. 运送 ESDS 物品时，需要有能起到防护作用的包装材料，该包装材料要依据应用情况和目的地
而合理选择。虽说本标准不讨论这些包装材料的要求，但对各种材料在应用上的差异要有充分
的识别。如需更多说明，请参阅 ANSI/ESD S541。
任何固体，液体或含颗粒的气体间的摩擦或者分离都会产生静电。比较常见的静电事故源于操作员，
一 般
的高分子材料和生产加工设备。ESD 引起的破坏可由多种方式产生，包括：
i. 带电物体（如人体）接触 ESDS 物品。
ii. 带电的 ESDS 物品与接地系统或处于不同电位的导体接触。
iii. 对暴露于静电场中的 ESDS 物品与接地系统或其它导体接触。
微电路、分立的半导体器件、厚膜和薄膜电阻、混合型装置、印刷线路板及压电晶体等，都属于
ESDS 物品。这些物品的 ESD 敏感度可通过一些模拟的静电放电模型来确定。虽说模拟测试并不
一定能完全代表实际应用情况，但这些模拟测试得来的数据可用于对同类产品性能的比较。用于定
义电子元器件敏感度的两个放电模型是 HBM 和 CDM。
有关本标准更详尽的技术要求，可参阅 ESD TR20.20 – ESD Association Technical Report （ESD
协会 TR - 建立 ESD 管控体系指导手册)。
企业可以通过第三方认证证明符合本标准。认证过程类似于质量管理体系（如 ISO9001）的认证流
程。相关认证的流程可咨询 ESD 协会指定认证机构，该机构信息可在 www.esda.org 官网查阅。
本标准
(
1
)
最初版本为 ANSI/ESD S20.20-1999，并于 1999 年 8 月 4 日发布。ANSI/ESD S20.20-
2007 是 ANSI/ESD S20.20-1999 的修订版，并于 2007 年 2 月 11 日发布。ANSI/ESD S20.20-2014
是 ANSI/ESD 20.20-2007 的修订版，并于 2016 年 3 月 25 日发布。ANSI/ESD S20.20-2021 是
ANSI/ESD S20.20-2014 年的修订版，并于 2021 年 10 月 28 日发布。
1
ESD
协会标准：
一个阐述材料、产品、系统或制程所要满足的一系列要求的严谨明白的文件，并具体制定了
确定是否满足每项要求的程序。
ANSI/ESD S20.20-2021
ii
负责编制 ANSI/ESD S20.20-2021 的工作组成员如下：
组长 John T. Kinnear, Jr.
IBM
Christopher Almeras
Raytheon
Kevin Duncan
Seagate Technology
Reinhold Gaertner
Infineon Technologies AG
Steven Gerken
Ron Gibson
Advanced Static Control
Consulting
David Girard
Staticon Support Services,
Inc.
Fatjon (Toni) Gurga
Reliant ESD
Ginger Hansel
Dangelmayer Associates
Shane Heinle
Digi-Key Corporation
Matt Jane
Tesla
Gary Latta
SAIC
Michael Manders
The United States Air Force
Chuck McClain
Micron Semiconductor
Robert "Hank" Mead
BAE Systems, Inc.
Ronnie Millsaps
Carl Newberg
Simco-Ion
Andrew Nold
Teradyne, Inc.
Daniel O'Brien
University of Dayton
Research Institute
Dale Parkin
Seagate Technology
Nathaniel Peachey
Qorvo
Keith Peterson
Missile Defense Agency
Wolfgang Stadler
Intel Deutschland GmbH
Matt Strickland
The Boeing Company
David E. Swenson
Affinity Static Control
Consulting, LLC
Terry Welsher
Dangelmayer Associates
Craig Zander
Transforming Technologies
ANSI/ESD S20.20-2021
iii
以下人员为 ANSI/ESD S20.20-2014、ANSI/ESD S20.20-2007 和/或 ANSI/ESD S20.20-1999 的编
制做出了重要贡献：
Brent Beamer
3M
Donald E. Cross
USN
Robert Cummings
NASA
Kevin Duncan
Seagate Technology
Reinhold Gaertner
Infineon Technologies
Steve Gerken
USAF
Ron Gibson
Advanced Static Control
Consulting
Tim Jarrett
Boston Scientific
Ronald L. Johnson
Intel
John T. Kinnear, Jr.
IBM
Anthony Klinowski
Boeing
Dave Leeson, Co-Chairman
Motorola SSTG
Garry McGuire
NASA
(Hernandez Engineering)
Thomas Mohler
Raytheon Systems
Corporation
Ralph Myers
ASC
Gene Monroe
NASA – LARC
Carl Newberg
MicroStat Laboratories
Dale Parkin
Seagate Technology
Robert Parr
Consultant
Brian Retzlaff
Plexus
Jeffrey Scanlon
ASC
Jeremy Smallwood
Electrostatic Solutions Ltd.
David E. Swenson
Affinity Static Control
Consulting, LLC
Sam Theabo
Plexus
Scott Ward
Texas Instruments
Joel Weidendorf
River's Edge Technical
Service
Craig Zander
Transforming Technologies
Sheryl Zayic
Boeing
下列个人对本文件的中文翻译做出了重要贡献：
戴清祥，苏州天华
Tay Chin Siang
Suzhou TA&A Ultra Clean
Tech
褚贝丽
Betty Chu
胡良盛，苏州科艺
Hu Liang Sheng
Suzhou CEP
林军，天马微电子
Lin Jun
Tianma Microelectronics
张夫春
Zhang Fu Chun