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62321 ‐ 5 ? IEC:2013 Page 21 of 27 每等份并加入单独的消解罐，按照消解程序分别进行消解，合并得到的消解溶液。 举例： 对于印刷电路板的消解， 最少样品量需要 1.2 g ，因此需要称取 6 × 200 mg 粉碎试样分别倒 入六个消解罐中。在微波消解步骤 B 结束并冷却后，打开消解罐，溶液用 0.45 μ m 玻璃超纤维 滤纸过滤并合并至 100 mL 容量瓶，用 5% （ m/m ） HCl 清洗并加…
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其转移到一个 50mL 的容量瓶中。 50mL 容量瓶中的溶液将根据以下情况分别处理：
‐测定铅，加 4mL 掩体剂，用水定容至刻度。混合后，静置 30 分钟，低速滤纸过滤。测试滤
液。
‐测定镉，加 1.0mL 钴溶液， 5.0mL 掩体剂到容量瓶中，用水定容至刻度。混合后，静置 30 分
钟。测试溶液。
如果有样品的残基，离心分离或过滤器。通过适当的方法测量（如 XRF，碱熔法，其他酸消解方
法等）的残留物，以确认不存在目标元素。关于 XRF的介绍见 IEC62321‐3‐1 指令。
如果实验室没有上述建议的设备，如果当使用者可以保证方法的适用性时，可以使用较简单
的方法。对上述程序的偏离必须加以评估并记录在测试报告中。此类简易法可以下列程序为
基础：装有试样的玻璃烧杯用表面皿覆盖，加入混酸并在
120℃加热烧杯 2 h，然后在室温保持 12 h。用水冲洗表面皿底面及烧杯内壁，然后移开表面皿。
冷却后，试样用 0.45 μm 玻璃超纤维滤纸过滤且固体残留物用 15 mL 5%（ m/m ）HCl清洗四次。
溶液转入 100 mL 容量瓶并用 5%（m/m ）HCl加满至刻度。所得溶液用于进一步测试。
7.3.3 微波消解
a) 称取约 200 mg 粉碎试样（最大粒径： 250 μm）至 PTFE/TFA，PTFE/PFA 或其它碳氟化
合物材料制成的消解罐，加入 4 mLHNO
3，2 mL HBF4，1 mL H2O2 和 1 mL 水。在密闭该消解罐前
小心摇动约 10s 使刚产生的气体立刻释出，然后试样在微波炉中按照预先确定的消解程序进行
消解。在第一个消解阶段（步骤 A），有机成分如聚氯乙烯与另外一些金属元素被溶解。
备注 1：如果 HBF
4
纯度不够，可用 HF 代替。
备注 2：HBF
4
和 HF 不适合 AFS。如果只有 HCl，HN0
3
及它们的混合物，或 H
2
O
2
被使用，那么此
微波消解的方法可以是适用于 AFS。
b) 消解罐冷却至室温（约需要时间： 1 h）后打开，并加入 4 mL HCl。再密闭后，在第二次
微波强效消解阶段（步骤 B），元素将被 HCl进一步溶解。表 A.6 提供了一合适的微波程序（步
骤 A 和 B）范例。
c) 冷却消解罐至室温（约需要时间： 1 h）后，打开它，试样用 0.45 μ m 玻璃超纤维滤纸
过滤至 25 mL 容量瓶，用 5%（m/m ）HCl清洗并加满至刻度。如果滤纸上有样品遗留物，应用
合适的测量手段（如 XRF，碱熔法，其他酸消解方法等）的残留物，应检查，以确认不存在目标
元素。关于 XRF的介绍见 IEC62321‐3‐1 指令。
上述程序是微波消解系统的最低要求。强烈建议在一次试验中重复或三次重复分析。
强烈建议称入消解罐中的粉碎试样不超过 200 mg。电子产品粉末与 HNO3、HBF4、H2O2 和 HCl 反
应可能快速和剧烈，并产生气体（ CO2、NOx，等）。这将导致密闭罐中压力增加。压力骤增时，
微波炉的安全系统作用并打开消解罐，目标元素可能损失且最坏的情况是可能发生爆炸。
当一次试验中重复或三次重复分析时，称量相同量和类型的样品。
当测试样品量大于 200 mg 才能保证其代表性时，采用以下程序。将试样分成数等份，称量
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每等份并加入单独的消解罐，按照消解程序分别进行消解，合并得到的消解溶液。
举例： 对于印刷电路板的消解， 最少样品量需要 1.2 g，因此需要称取 6×200mg 粉碎试样分别倒
入六个消解罐中。在微波消解步骤 B 结束并冷却后，打开消解罐，溶液用 0.45 μm 玻璃超纤维
滤纸过滤并合并至 100 mL 容量瓶，用 5%（m/m ）HCl 清洗并加满至刻度。
如果有样品的残留，通过适当的方法测量（如 XRF，碱熔法，其他酸消解方法等）的残留物， 以
确认不存在目标元素。关于 XRF的介绍见 IEC62321‐3‐1 指令。
7.4 试剂空白溶液的制备
和样品制备程序是相同的，并同时进行，但没有样品。
8 校准
8.1 概述
样品成分在未知的情况下，建议使用内标法（强度比较法） 。如果有必要，使用标准添加法或基
体匹配法也可使用。如果没有基体元素干扰，或者样品的组分是已知的，可以使用校准曲线法。
8.2 校准溶液的配制
逐渐稀释每一种标准元素溶液后，将含有每种元素 0 μg 到 100 μg 的稀释标准溶液移入 100 mL
的容量瓶中。接下来，添加试剂，在使用 AFS或内标准法的情况下，加入适量的钴溶液和硫脲溶
液，或掩体剂钴溶液，或者添加内标溶液，以获取和样品溶液相同的试剂浓度。
最终溶液是用于 ICP‐OES，ICP‐MS 或 AAS校准的混标溶液。
8.3 校准曲线的绘制
光谱法用于定量分析。在使用 ICP‐OES，ICP‐MS 或 AAS的情况下，如 8.2 中所述得到的溶液雾化
成气体进入氩气等离子体或乙炔 /空气火焰。 当样品溶液含有 HF 时，应使用耐 HF 样品引入系统。
使用 AFS的情况下，无论是测试溶液中的 Pb（Ⅱ）被铁氰化钾氧化成铅（Ⅳ） ，并和硼氢化钾反
应，并生成挥发性氢化 PbH
4，还是测试溶液中的 Cd离子与硼氢化钾反应， 产生挥发性气体。 PbH4
或气态的 Cd 都从液体中分离，并被载气（ Ar）引入到石英炉原子化。
a) ICP‐OES
－ 测定目标元素的发射强度的读数（并且，如果需要，内标元素的发射强度的读数也能
被测定）。在校准曲线法中，显示了目标元素的发射强度与它们浓度关系的曲线被作
为校准曲线来制定。在内标法中，显示了与内标元素有关的目标元素强度比与浓度关
系的曲线被作为校准曲线来制定。
－ 推荐的波长和干扰元素在表 A.1 和 A.2. 中给出
。
b) ICP‐MS
－ 测定目标元素的质荷比读数， （并且，如果需要，内标元素的质荷比读数也能被测定。 ）
在校准曲线法中，显示了目标元素质荷比强度与其浓度关系的曲线被作为校准曲线来
制定。在内标法中，显示了与内标元素有关的目标元素强度比与浓度关系的曲线被作
为校准曲线来制定。
－ 基于数据定义的质荷比在附录的表 F.2 中给出。
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c) AAS
－ 测定目标元素的吸收强度读数。在校准法中，显示了目标元素吸收强度与浓度关系的
曲线被作为校准曲线来制定。
－ 在标准加入法中，标准加入到样品溶液中，未知浓度由加入曲线延伸到吸光度为零得
到。
－ 波长应选择表 F.3 中所列元素典型测试波长。如果存在共存物质的干扰，应采用标准
加入法。
d) AFS
－ 对于铅的测定，载气流量 1(4.2 r) 1)) 和氧化 ‐还原剂 (4.2 p))应该使用。对于镉的测定，载气
流量 2 (4.2 r) 2))和还原剂 1(4.2 q) 1))应该使用；读数用来确定的目标元素的荧光强度。在校准法
中，是使用校准曲线来描述目标元素的荧光强度和浓度之间的关系。
－ 在标准添加法中， 标准品加入样品溶液， 通过到零吸光度的增加曲线的外推法来确定样品未
知浓度。
－ 波长应选择表 A.5 中给出的元素的典型测量波长。
8.4 测试样品
建立校准曲线后， 测试校准空白和样品溶液。 如果样品溶液浓度超出校准曲线的浓度范围， 应稀
释至校准曲线浓度范围内，确认适当的酸化并重新测试。
测量精密度通过按次序间隔（如每隔 10 个样品）用标准物质、校准溶液检查。如必要，则重新
制作校准曲线。
如校准结果与预期结果相差超过 20%，则校准溶液和顺次所有样品应重新测定。
如果样品稀释至校准的浓度范围内， 必须确保稀释样品溶液中的酸， 内标和其他试剂的浓度调整
到和标准溶液一致。
9 计算
按照 10.5.3 获得光谱仪测量每个样品读数，及按照 10.5.4 制作的校准曲线，用于测量每种
待测元素的净光谱强度。用下式计算样品中每种元素的浓度：
其中
c 样品中 Pb 或 Cd 的浓度，单位 μg/g；
A1 样品溶液中 Pb 或 Cd 的浓度，单位 mg/L ；
A2 实验室试剂空白中 Pb 或 Cd 的浓度，单位 mg/L ；
V 样品溶液总体积，单位 mL，取决于所采用的不同的消解方式；