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2 Betriebssicherheit Betrie bsanlei tung SIPLACE Wafer System (SWS) 2.9 EGB-Richtlinien Ausgabe 02/2018 62
Betriebsanleitung SIPLACE Wafer System (SWS) 2 Betriebssicherheit
Ausgabe 02/2018 2.9 EGB-Richtlinien
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2.9 EGB-Richtlinien
2.9.1 Was bedeutet EGB?
Fast alle modernen Baugruppen sind mit hochintegrierten Bausteinen bzw. Bauelementen in
MOS-Technik bestückt. Diese elektronischen Bauelemente sind technologisch bedingt sehr emp-
findlich gegen Überspannungen und damit auch gegen elektrostatische Entladung.
Die Kurzbezeichnung für solche elektrostatisch gefährdeten Bauelementebaugruppen ist ’EGB’.
Daneben findet man häufig auch die international gebräuchliche Bezeichnung ’ESD’ (Electrostatic
Sensitive Device). Nachstehendes Symbol auf Schildern an Schränken, Baugruppenträgern oder
Verpackungen weist auf die Verwendung von elektrostatisch gefährdeten Bauelementen und da-
mit auf die Berührungsempfindlichkeit der betreffenden Baugruppen hin.
EGB können durch Spannungen und Energien zerstört werden, die weit unterhalb
der Wahrnehmungsgrenze des Menschen liegen. Solche Spannungen treten be-
reits dann auf, wenn ein Bauelement oder eine Baugruppe von einem nicht elekt-
rostatisch entladenen Menschen berührt wird. Bauelemente, die solchen
Überspannungen ausgesetzt wurden, können in den meisten Fällen nicht sofort als fehlerhaft er-
kannt werden, da sich erst nach längerer Betriebszeit ein Fehlverhalten einstellen kann.
2.9.2 Wichtige Schutzmaßnahmen gegen statische Aufladung
Die meisten Kunststoffe sind stark aufladbar und deshalb unbedingt von den gefährdeten
Bauelementen fernzuhalten!
Beim Umgang mit elektrostatisch gefährdeten Bauelementen ist auf gute Erdung von
Mensch, Arbeitsplatz und Verpackung zu achten!
2 Betriebssicherheit Betriebsanleitung SIPLACE Wafer System (SWS)
2.9 EGB-Richtlinien Ausgabe 02/2018
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Betriebsanleitung SIPLACE Wafer System (SWS) 3 Technische Daten und Baugruppen
Ausgabe 02/2018 3.1 Technische Daten - SWS
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3 Technische Daten und Baugruppen
3.1 Technische Daten - SWS
3
Technische Daten Flip Chip Die Attach
Minimale Die-Dicke (Silizium) - ohne Bauele-
mente-Sensor
50 µm 50 µm
Minimale Die-Dicke (Silizium) - mit Bauele-
mente-Sensor
100 µm 100 µm
Minimale Bumpgröße 50 µm n/a
Minimales Bumpraster 100 µm n/a
SIPLACE Wafer System SWS Horizontales System, automatischer Waferwechsel, MCM
SWS Wafergröße 4“ bis 12“
4“ / 6“ mit Adapter auf Anfrage
Waferrahmen 12“/8“
6“ auf Anfrage
4“ mit Adapter
Waferrahmen: Maximale Höhe 12“: 8,1 mm
8“: 7,6 mm
6“: 5,8 mm
Wafer Magazin
*a
bis 12"
Die-Ausstechsystem Programmierbare Ausstechgeschwindigkeit (synchron und asyn-
chron)
Option: Linear Dipping Unit LDU Frei programmierbare Geschwindigkeit
Viskosität des Flussmittels 3.000 bis 100.000 cPs
Genauigkeit der Flussmittelhöhe ± 5 µm
*)a Abhängig vom Wafer Magazin kann eine mechanische Anpassung der Grundplatte für Wafer-Magazine erforderlich sein.