GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第109页
207 GJB/Z 299C-2006 表7 -1 ( 续 ) 元器件或部件 名称 失效 模式 比 例 晶体管 双极型晶体管 短路 36.0% 开路 44.0% 增益等性能的 退化 20.0% 场效应晶体管 短路 35.0% 参数漂 移 25.0% 开路 40.0% GaAs场效 应晶体管 短路 61.0% 开路 26.0% 参数漂 移 13. 0% 半导体 闸流晶体管 断不开 45.0% 短路 40.0% 开路 10. 0% 闭合失效…
GJB/Z 299C-2006
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表7-1(续)
元器件或部件名称
失效模式
比例
衰减器
非线性
13.9%
隔离度变小
10.6%
RF输出变小
10.0%
压控振荡器
无输出
80.0%
频率未调谐
15.0%
能力降低
5.0%
二极管
普通二极管(综合)
短路
17.0%
开路
50.0%
参数漂移
33.0%
整流二极管
短路
51.0%
开路
29.0%
参数漂移
20.0%
可控硅整流二极管
短路
98.0%
开路
2.0%
开关二极管
烧毁
9.1%
不明原因失效
9.1%
不连续
22.7%
游离颗粒
4.5%
参数负漂移
4.5%
开路
9.1%
短路
41%
微波二极管
开路
80.0%
参数漂移
11.0%
短路
9.0%
变容、阶跃、隧道、PIN、体效应、崩越二极管
参数漂移
43.0%
开路
50.0%
短路
7.0%
电压基准二极管(齐纳)
参数漂移
69.0%
开路
18.0%
短路
13.0%
电压调整二极管(齐纳)
开路
45.0%
参数漂移
35.0%
短路
20.0%
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GJB/Z 299C-2006
表7-1(续)
元器件或部件名称
失效模式
比例
晶体管
双极型晶体管
短路
36.0%
开路
44.0%
增益等性能的退化
20.0%
场效应晶体管
短路
35.0%
参数漂移
25.0%
开路
40.0%
GaAs场效应晶体管
短路
61.0%
开路
26.0%
参数漂移
13.0%
半导体闸流晶体管
断不开
45.0%
短路
40.0%
开路
10.0%
闭合失效
5.0%
光电子器件
发光二极管
开路
70.0%
短路
30.0%
光电耦合器
引线故障
3.9%
污染
2.0%
退化
54.8%
过电应力
5.9%
不能切换
27.5%
开路
5.9%
光电传感器
短路
50.0%
开路
50.0%
真空电子器件
普通电子管
破裂
5.1%
烧毁
5.1%
失控
25.6%
超出额定值
12.8%
性能退化
15.4%
电源故障
36%
微波电子管
阴极
31%
发射降低
灯丝断
16%
放电打火
11%
GJB/Z 299C-2006
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表7-1(续)
元器件或部件名称
失效模式
比例
微波电子管
自然老化
9.0%
收集极
7.0%
击穿
真空度下降
4.0%
自激振荡
4.0%
螺旋线电流大
4.0%
其他(栅发射、频响差等)
14%
电阻器
合成电阻器
参数漂移
66.0%
开路
31.0%
短路
3.0%
金属膜电阻器
参数漂移
8.10%
开路
91.9%
碳膜电阻器
开路
83.4%
参数漂移
16.6%
线绕电阻器
开路
97.0%
参数漂移
3.0%
功率线绕电阻器
开路
97.1%
参数漂移
2.9%
电阻网络
开路
92.0%
短路
8.0%
电位器(综合)
开路
53.0%
输出不稳定
40.0%
短路
7.0%
普通线绕电位器
开路
48.6%
短路
12.1%
接触不良
39.3%
微调线绕电位器
开路
10%
短路
10%
接触不良
80%
有机实芯电位器
开路
60.6%
短路
5.60%
接触不良
33.8%
合成碳膜电位器
开路
34.2%
短路
8.70%
参数漂移
17.1%
接触不良
40.0%