GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第122页
229 GJB/ Z 299C-20 06 表 A . 2 . 2 . 3 - 6 ( 续 ) 单 位 为 1 0 ⁻ ⁶ h 外贴元 器件 iD e 晶体管：硅NPN 硅 P N P 硅场效 应 砷化镓 场效应 单结 闸流 0.00 025 0.00 032 0. 0 0 1 5 0. 0 0 6 6 0. 0 0 1 2 0.00 27 电位器：普通线绕 精密线 绕 微调线 绕 功率线 绕 有机实 芯 合成碳 膜 玻璃 釉 0.02…
GJB/Z 299C-2006
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表A.2.2.3-3温度应力系数πT
T/℃
TTI
IT2
T/℃
TTI
UT2
35
0.71
0.24
110
6.36
2.76
40
0.84
0.30
115
7.15
3.14
45
1.00
0.36
120
8.01
3.56
50
1.19
0.44
125
8.95
4.02
55
1.40
0.52
130
4.52
60
1.64
0.62
135
一
5.08
65
1.91
0.73
140
-
5.69
70
2.22
0.87
145
-
6.35
75
2.57
1.02
150
7.07
80
2.95
1.19
155
-
7.86
85
3.39
1.38
160
8.71
90
3.87
1.60
165
二
9.63
95
4.40
1.84
170
10.62
100
5.00
2.11
175
11.69
105
5.65
2.42
-
-
一
注1:若T为电路封装底座的温度，则取πr的数值。
注2:若T为封装内的最高温度，则取π┐的数值。
表A.2.2.3-4 电路功能系数 πF
电路类型
ⅡF
数字
1.0
高频
1.1
微波
1.5
线性
2.0
功率
2.6
表
A.2.2.3-5
网络复杂度失效率
ic 单位为10⁻⁶% h·cm²
工 艺
薄 膜
厚 膜
ic
0.013
0.016
表A.2.2.3-6混合集成电路外贴元器件的失效率λDc 单位为10⁻⁶h
外贴元器件
Dc
单片集成电路
当单片半导体集成电路作为外贴元器件时，ic为从
A.2.2.2中算出的相应p,在计算时，取Tc=35℃,E=1,
质量等级及zo值见表A.2.2.2-2
二极管：普通硅
普通锗
齐纳和雪崩(电压调整、电压基准)
微波硅检波
微波硅混频
变容、阶跃、隧道、PIN
崩越、体效应
0.00026
0.0004
0.00018
0.0053
0.0069
0.0015
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表A.2.2.3-6(续) 单位为10⁻⁶h
外贴元器件
iDe
晶体管：硅NPN
硅 P N P
硅场效应
砷化镓场效应
单结
闸流
0.00025
0.00032
0.0015
0.0066
0.0012
0.0027
电位器：普通线绕
精密线绕
微调线绕
功率线绕
有机实芯
合成碳膜
玻璃釉
0.0255
0.0360
0.0296
0.0390
0.0050
0.1890
0.1120
电容器：纸和薄膜
玻璃釉
云母
瓷介
固体钽电解
非固体钽电解
铝电解
0.0022
0.0004
0.0003
0.0004
0.0005
0.0021
0.0024
电阻器：合成
金属膜
碳膜
线绕
功率线绕
热敏
压敏
0.00020
0.00015
0.00015
0.00300
0.00330
0.00110
0.00090
感性元件：线圈、电感器
变压器
0.0030
0.0011
表A.2.2.3-7工艺和封装失效率is
单位为10
⁻⁶
h
工 艺
厚 膜
薄 膜
厚膜-薄膜混合
0.05
0.05
0.075
A.2.3 半导体分立器件
A.2.3.1 概述
本条对下列类型半导体分立器件的工作失效率进行预计：
a) 普通双极型晶体管：硅NPN, 硅 PNP;
b) 场效应晶体管：硅场效应晶体管，砷化镓场效应晶体管：
c)
单结晶体管：
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d) 微波晶体管；
e) 闸流品体管；
f) 普通二极管：普通硅二极管，普通锗二极管；
g) 电压调整、电压基准及电流调整二极管；
h) 硅检波二极管、硅混频二极管；
i) 变容、阶跃恢复、隧道、PIN、体效应、崩越二极管；
j) 光电子器件。
A.2.3.2 晶体管与二极管
晶体管与二极管的工作失效率预计模型见式(A.2.3.2-1)。
=iπETQTTTs…………………………………(A.2.3.2-1)
式中：
命—工作失效率，10⁻⁶/h;
一 基本失效率，见表A.2.3.2-1;
πE——环境系数，见表A.2.3.2-2;
πQ——质量系数，见表A.2.3.2-3;
——温度系数，见表A.2.3.2-4:
πs——应力系数，见表A.2.3.2-5～ 表 A.2.3.2-7.
表A.2.3.2-1 基本失效率
单位为10⁻⁶%
h
类 型
普通双极型晶体管
硅 N P N
<0.6W
0.000667
0.6W～6.0W
0.001000
>6.0W
0.001250
硅P NP
<0.6W
0.000833
0.6W～6.0W
0.001167
>6.0W
0.001667
场效应晶体管
硅
线性
0.003333
开关
0.001667
高频
0.014167
砷化镓
低噪声(≤100mW)
0.014667
驱动器(≤100mW)
0.102167
单结晶体管
0.002633
微波晶体管
脉冲放大器
0.128333
连续波
0.256667
闸流品体管
≤1A
0.006000
>1A
0.012500
普通二极管
硅
<1A
0.000700
1A~20A
0.001033