GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第35页
40 GJB/ Z 299C- 2006 表5 .3. 2- 4锗 NPN晶体 管 基本 失效 率 单位为 10 ⁻⁶ / h T³/C S 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1. 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 0.092 0.106 0.122 0.139 0.158 0.179 0.203 0.230 0.261…

39
GJB/Z 299C-2006
表5.3.2-3 锗 PNP 晶体管基本失效率之 单位为10⁻⁶% h
r³/℃
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.061
0.075
0.090
0.108
0.129
0.153
0.182
0.217
0.262
0.324
5
0.070
0.085
0.102
0.122
0.145
0.172
0.204
0.245
0.300
0.382
10
0.079
0.096
0.115
0.136
0.162
0.192
0.230
0.280
0.350
0.462
15
0.090
0.108
0.129
0.153
0.182
0.217
0.262
0.324
0.418
0.581
20
0.102
0.122
0.145
0.172
0.204
0.245
0,300
0.382
0.515
0.769
25
0.115
0.136
0.162
0.192
0.230
0.280
0.350
0.462
0.664
1.092
30
0.129
0.153
0.182
0.217
0.262
0.324
0.418
0.581
0.907
35
0.145
0.172
0.204
0.245
0.300
0.382
0.515
0.769
40
0.162
0.192
0.230
0.280
0.350
0.462
0.664
1.092
一
二
45
0.182
0.217
0.262
0.324
0.418
0.581
0.907
二
-
50
0.204
0.245
0.300
0.382
0.515
0.769
一
-
二
55
0.230
0.280
0.350
0.462
0.664
1.092
一
一
一
一
60
0.262
0.324
0.418
0.581
0.907
65
0.300
0.382
0.515
0.769
一
一
70
0.350
0.462
0.664
1.092
一
-
一
一
一
一
75
0.418
0.581
0.907
一
-
80
0.515
0.769
一
-
-
1
-
85
0.664
1.092
一
-
-
90
0.907
-
-
-
-
1
-
T为工作环境温度或带散热片功率器件的管壳温度。
五/(10 ⁶ %)
90
7℃
图5.3.2-3 锗 PNP 晶体管基本失效率曲线

40
GJB/Z 299C-2006
表5.3.2-4锗NPN晶体管基本失效率 单位为10⁻⁶/h
T³/C
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
0.092
0.106
0.122
0.139
0.158
0.179
0.203
0.230
0.261
0.296
0.336
0.384
0.442
0.514
0.606
0.728
0.897
1.142
1.514
0.114
0.130
0.148
0.168
0.191
0.216
0.245
0.278
0.315
0.359
0.412
0.476
0.557
0.663
0.806
1.008
1.307
1.777
-
0.139
0.158
0.179
0.203
0.230
0.261
0.296
0.336
0.384
0.442
0.514
0.606
0.728
0.897
1.142
1.514
-
-
0.168
0.191
0.216
0.245
0.278
0.315
0.359
0.412
0.476
0.557
0.663
0.806
1.008
1.307
1.777
-
-
-
-
0.203
0.230
0.261
0.296
0.336
0.384
0.442
0.514
0.606
0.728
0.897
1.142
1.514
-
-
-
-
-
0.245
0.278
0.315
0.359
0.412
0.476
0.557
0.663
0.806
1.008
1.307
1.777
-
-
-
-
0.296
0.336
0.384
0.442
0.514
0.606
0.728
0.897
1.142
1,514
-
-
一
一
_
_
-
1
1
0.359
0.412
0.476
0.557
0.663
0.806
1.008
1.307
1.777
-
-
-
1
-
-
_
-
-
一
0.442
0.514
0.606
0.728
0.897
1.142
1,514
1
一
-
_
1
一
1
1
0.557
0.663
0.806
1.008
1.307
1.777
-
-
_
_
_
_
_
-
-
T为工作环境温度或带散热片功率器件的管壳温度。
元/(10 ⁻⁶ h)
10.00
16 D3 Idd
o中
1.00
0.10
0.01
0 10 20 30 40 50
60
70
80 90
T℃
图5.3.2-4 锗 NPN 晶体管基本失效率曲线

41
GJB/Z 299C-2006
表5.3.2-5 环境系数 πE
环境
GB
GMs
G1
Gr₂
Gu
GMa2
Mp
NsB
Ns1
E
1.0
1.2
2.0
5.0
5.5
11
7.5
5.0
3.5
环境
Ns2
Nu
A
Au
AIc
Auc
Agw
S
M
Mp
E
7.0
14
15
24
7.5
12
17
0.50
28
15
表5.3.2-6 质量系数πQ
质量等级
A₂
A₃
A₄
As
B₁
B₂
C
Q
0.03
0.05
0.1
0.2
0.4
1
5
表5.3.2-7 应用系数 πA
应 用
逻辑开关
线性放大
高 频
(200MHz<f<500MHz)
微 波
(P<1W,f≥0.5GHz)
A
0.7
1
3
4
表5.3.2-8电压应力系数πs,
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.25
≤0.25
S
3.0
2.2
1.62
1.2
0.88
0.65
0.48
0.35
0.30
0.30
表5.3.2-9额定功率系数π
额定功率
P/W
P<0.7
0.7≤P<1
1≤P<5
5≤P<20
20≤P<50
50≤P<200
P≥200
高
0.80
1.0
1.5
2.2
3.0
4.0
5.5
表5.3.2-10 结构系数 πc
结构
不匹配对或互补对
双发射极
达林顿对
单管
匹配对
复式发射极
Tc
0.70
1.1
0.80
1.0
1.2
1.2
5.3.3 大功率微波双极型晶体管
器件类型:微波双极型晶体管(输出功率不小于1W, 工作频率不小于0.5GHz)。
工作失效率预计模型见式(5.3.3-1)。
λp=AbTETQπAπTπMTB……………………………………(5.3.3-1)
式 中 :
——基本失效率,10
⁻
%/h, 见表5.3.3-1;
πE——环境系数,见表5.3.3-2;
πQ——质量系数,见表5.3.3-3;
πA——应用系数,见表5.3.3-4;
T—— 温度应力系数,见表5.3.3-5与表5.3.3-6;
πM——匹配网络系数,见表5.3.3-7;
πB——发射极镇流系数,见表5.3.3-8。