GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第126页
233 GJB/Z 299C-2006 表 A.2.3 .2-6 (续) S Sv 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 0.9 3.2 3.2 3.2 3.2 3.2 3.52 3.52 3.84 4.16 注 ： 电压 负荷率： 电流 负荷率。 表 A.2.3 .2-7 其他晶体管和二极管的应力系数 π s 类 别 S 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 硅场效应…
232
GJB/Z 299C-2006
表A.2.3.2-4(续)
类别
T/℃
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
115
120
微波晶体管
0.8
0.9
1.0
1.15
1.3
1.5
1.7
2.0
2.35
2.7
3.2
3.7
4.35
5.1
6.05
6.9
8.0
9.3
10.7
闸流晶体管
0.9
0.95
1.0
1.05
1.15
1.25
1.3
1.4
1.5
1.65
1.75
1.9
2.05
2.2
2.35
2.55
2.7
2.9
3.15
普通硅二极管
0.9
0.95
1.0
1.05
1.15
1.25
1.3
1.4
1.5
1.65
1.75
1.9
2.05
2.2
2.35
2.55
2.7
2.9
3.15
普通锗二极管
0.8
0.9
1.0
1.15
1.35
1.55
1.85
2.2
2.65
3.2
3.8
4.55
5.45
6.55
7.8
9.3
11.05
13.05
15.4
硅检波二极管、
硅混频二极管
0.95
0.975
1.0
1.025
1.05
1.075
1.1
1.125
1.15
1.175
1.225
1.25
1.3
1.325
1.35
1.4
1.45
.475
1.525
电压调整、电压基
准及电流调整
二极管
0.95
0.95
1.0
1.05
1.1
1.15
1.2
1.25
1.3
1.35
1.45
1.5
1.6
1.65
1.7
1.8
1.9
1.95
2.05
变容、阶跃恢复、
隧道、PIN、体效应、
崩越二极管
0.95
0.95
1.0
1.05
1.1
1.15
1.2
1.25
1.3
1.35
1.45
1.5
1.6
1.65
1.7
1.8
1.9
1.95
2.05
表A.2.3.2-5 普通双极型晶体管应力系数 πs
Sy
Sp
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.1
0.16
0.2
0.24
0.32
0.4
0.52
0.64
0.84
1.04
0.2
0.2
0.25
0.3
0.4
0.5
0.65
0.8
1.05
1.3
0.3
0.24
0.3
0.36
0.48
0.6
0.78
0.96
1.26
1.56
0.4
0.32
0.4
0.48
0.64
0.8
1.04
1.18
1.68
2.08
0.5
0.4
0.5
0.6
0.8
1
1.3
1.6
2.1
2.6
0.6
0.52
0.65
0.78
1.04
1.3
1.69
2.08
2.73
3.38
0.7
0.64
0.8
0.96
1.28
1.6
2.08
2.56
3.36
4.16
0.8
0.84
1.05
1.26
1.68
2.1
2.73
3.36
4.41
5.46
0.9
1.04
1.3
1.56
2.08
2.6
3.38
4.16
5.46
6.76
注 ： 功率负荷率； 电压负荷率。
表
A.2.3.2-6
普通二极管应力系数 π
s
S;
Sv
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.1
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.33
0.33
0.16
0.79
0.2
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.44
0.44
0.48
0.52
0.3
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.66
0.66
0.72
0.78
0.4
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
0.77
0.77
0.84
0.91
0.5
1
1
1
1
1
1.1
1.1
1.2
1.3
0.6
1.3
1.3
1.3
1.3
1.3
1.43
1.43
1.56
1.69
0.7
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.98
1.98
2.16
2.34
0.8
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.64
2.64
2.88
3.12
233
GJB/Z 299C-2006
表A.2.3.2-6 (续)
S
Sv
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.9
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.52
3.52
3.84
4.16
注 ： 电压负荷率： 电流负荷率。
表A.2.3.2-7 其他晶体管和二极管的应力系数 πs
类别
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
硅场效应、砷化镓场效应
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
1.6
2.1
2.6
单结晶体管
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
1.6
2.1
2.6
微波晶体管
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
1.6
2.1
2.6
硅检波二极管、
硅混频二极管
0.3
0.4
0.6
0.7
1.0
1.3
1.8
2.4
3.2
电压调整、电压基准及
电流调整二极管
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
1.6
2.1
2.6
闸流晶体管
0.3
0.4
0.6
0.7
1.0
1.3
1.8
2.4
3.2
变容、阶跃恢复、隧道、PIN、
体效应、崩越二极管
0.2
0.3
0.4
0.7
1.0
1.5
2.3
3.4
5.2
A.2.3.3 光电子器件
本条对下列类型光电子器件的工作失效率进行预计：
a) 光电耦合器；
b) 单发光二极管；
c) 光敏二极管；
d) 光敏二极管探测器(单个);
e) 光敏晶体管；
f) 光敏品体管探测器(单个);
g) 数码管；
h) 光电滤波器；
i) 光纤激光模块；
j) 光纤发光二极管模块：
k) 光纤探测器模块；
1) 光纤耦合器；
m) 波分复用器。
光电子器件的工作失效率预计模型见式(A.2.3.3-1)。
p=AbπETQr………………………………(A.2.3.3-1)
式 中 ：
——工作失效率，10⁻⁶/h;
——基本失效率，10⁻⁶%h, 见 表A.2.3.3-1 和 表A.2.3.3-2;
πE——环境系数，见表A.2.3.3-3;
234
GJB/Z 299C-2006
πQ——质量系数，其中a)～g) 项见表A.2.3.3-4,h)～m) 项见表A.2.3.3-5;
π——温度系数，见表A.2.3.3-6。
表A.2.3.3-1 光电子器件基本失效率 单位为10⁻⁶%
器件类型
光电耦合器
0.00137
单发光二极管
0.00030
光敏二极管
0.00133
光敏二极管探测器(单个)
0.00167
光敏晶体管
0.00500
光敏晶体管探测器(单个)
0.00250
光电滤波器
4.500
光纤激光模块
4.500
光纤发光二极管模块*
0.240
光纤探测器模块
0.500
光纤耦合器
0.036
波分复用器
0.550
模块定义为包括激光二极管/发光二极管/探测器的小封装组件，其电连接和光耦合的方式较简易。如果模
块中包含其他的电子器件或混合电路(例如激光模块中的激光驱动器和探测器模块中的放大器),此时失效
率应加上附加的失效率。
表A.2.3.3-2 数码管基本失效率 单位为10⁶h
器件类型
数码管
单位数码管
0.006
单位数码管/有逻辑芯片
0.008
双位数码管
0.010
双位数码管/有逻辑芯片
0.020
三位数码管
0.030
三位数码管/有逻辑芯片
0.040
四位数码管
0.035
五位数码管
0.040
六位数码管
0.040
七位数码管
0.045
八位数码管
0.050
九位数码管
0.055
十位数码管
0.060
多位数码管
0.01+0.005×字符数