GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第47页

52 GJB/ Z 299C- 2006 表5 . 3.8-2 普通锗二极管基 本失效率 单位为10 ⁻⁶ % h T³/℃ S 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1. 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 0.006 0.007 0.009 0.011 0.013 0.016 0.020 0.024 0.029 0.035…

100%1 / 160
51
GJB/Z 299C-2006
Ap=1bπETQTπATs,πe…………………… ……………(5.3.8-1)
式 中 ：
—基本失效率，10
⁻⁶
/h, 见表5.3.8-1,表5.3.8-2和图5.3.8-1,图5.3.8-2;
πE——环境系数，见表5.3.8-3;
πQ——质量系数，见表5.3.8-4;
π——额定电流系数，见表5.3.8-5;
πA——应用系数，见表5.3.8-6;
πs₂—电压应力系数，见表5.3.8-7:
π——结构系数，见表5.3.8-8。
表5.3.8-1 普通硅二极管基本失效率 单位为10 ⁻⁶ / h
T/℃
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
115
120
125
130
135
140
145
150
155
160
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
0.010
0.011
0.012
0.013
0.015
0.016
0.018
0.020
0.021
0.023
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
0.008
0.009
0.010
0.011
0.012
0.013
0.015
0.016
0.018
0.020
0.021
0.023
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
-
0.011
0.012
0.013
0.015
0.016
0.018
0.020
0.021
0.023
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
-
-
-
0.015
0.016
0.018
0.020
0.021
0.023
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
一
0.020
0.021
0.023
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
-
一
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
-
一
-
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
-
一
-
5
-
一
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
-
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
-
-
-
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
-
一
-
一
-
一
T为工作环境温度或带散热片功率器件的管壳温度。
52
GJB/Z 299C-2006
表5 .3.8-2 普通锗二极管基本失效率
单位为10⁻⁶% h
T³/℃
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
0.006
0.007
0.009
0.011
0.013
0.016
0.020
0.024
0.029
0.035
0.042
0.051
0.061
0.075
0.093
0.118
0.154
0.208
0.298
0.008
0.010
0.012
0.015
0.018
0.022
0.026
0.032
0.038
0.046
0.056
0.068
0.083
0.104
0.134
0.178
0.247
0.366
-
0.011
0.013
0.016
0.020
0.024
0.029
0.035
0.042
0.051
0.061
0.075
0.093
0.118
0.154
0.208
0.298
-
-
-
0.015
0.018
0.022
0.026
0.032
0.038
0.046
0.056
0.068
0.083
0.104
0.134
0.178
0.247
0.366
一
0.020
0.024
0.029
0.035
0.042
0.051
0.061
0.075
0.093
0.118
0.154
0.208
0.298
-
-
-
-
0.026
0.032
0.038
0.046
0.056
0.068
0.083
0.104
0.134
0.178
0.247
0.366
一
-
-
-
0.035
0.042
0.051
0.061
0.075
0.093
0.118
0.154
0.208
0.298
一
一
-
-
-
1
1
_
0.046
0.056
0.068
0.083
0.104
0.134
0.178
0.247
0.366
一
-
一
1
_
_
_
0.061
0.075
0.093
0.118
0.154
0.208
0.298
1
-
1
一
1
1
1
一
1
1
_
0.083
0.104
0.134
0.178
0.247
0.366
二
_
_
_
_
-
1
1
-
_
_
T为工作环境温度或带散热片功率器件的管壳温度，
/(10⁻⁴%)
1.000
as
0.100
0.010
60
80
100
0.001
0
120 140
20 40
04
160
10
T'℃
图5.3.8-1 普通硅二极管基本失效率曲线
55
GJB/Z 299C-2006
160
D℃
图5.3.9-1 电压调整、电压基准及电流调整二极管基本失效率曲线
表5.3.9-2 环境系数πE
环境
Gg
GMs
GFi
Gg2
GMn
GM
Mp
Nss
Ns1
E
1.0
1.2
1.7
5.0
5.5
11
7.5
4.5
3.0
环境
Ns2
Nu
Ar
AuF
Ac
Auc
Agw
Sp
M
Mp
E
6.0
14
13
20
7.0
11
15
0.5
28
15
表5.3.9-3 质量系数πQ
质量等级
A₂
A₃
A₄
A₅
B₁
B₂
C
To
0.03
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
5.0
表5.3.9-4 应用系数πA
应 用
电压调整
电压基准(温度补偿)
电流调整
TA
0.65
1.0
1.2
5.3.10 微波二极管
器件类型包括：
a) 微波硅检波二极管；
b) 微波锗检波二极管；
c) 微波硅混频二极管；
d) 微波锗混频二极管。
工作失效率预计模型见式(5.3.10-1)。
Ap=1bπETo………………………………………(5.3.10-1)
式 中 ：
—基本失效率，10
⁻
%/h, 见表5.3.10-1～表5.3.10-4和图5.3.10-1～图5.3.10-4;
πE——环境系数，见表5.3.10-5;
πQ——质量系数，见表5.3.10-6。