GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第46页

51 GJB/Z 299C-20 06 Ap =1 b π ET QT π ATs , πe …… …… … … …… ……… …… (5 .3 .8 -1 ) 式 中 ： — 基 本 失 效 率 ， 1 0 ⁻ ⁶ / h , 见 表 5 . 3 . 8 - 1 , 表 5 . 3 . 8 - 2 和 图 5 . 3 . 8 - 1 , 图 5 . 3 . 8 - 2 ; π E— — 环 境 系数 ，见 表 5 .3 . 8 -3 …

100%1 / 160
50
GJB/Z 299C-2006
/(10⁶h)
1.00
120
0. 10日
0.01
0 20 40 60 80 100
120
!
T℃
图5.3.7-1 闸流晶体管基本失效率曲线
表5.3.7-2 环境系数πE
环境
G₃
GMs
GgI
Gp₂
GM1
Ge
Mp
Nsa
Ns1
E
1.0
1.2
2.0
5.0
5.5
11
7.5
5.5
3.5
环境
Ns2
Nu
A
AuF
Aic
Auc
Agw
Sp
M
Mp
E
7.0
14
15
24
7.5
12
17
0.60
28
15
表5.3.7-3 质量系数πQ
质 量 等 级
A
₃
A₄
As
B₁
B
₂
C
To
0.05
0.1
0.2
0.5
1
5
表5.3.7-4 额定电流系数 πr
额定平均通态电流I/A
0.1<I≤0.5
0.5<I≤1
1<I≤5
5<I≤20
再
0.76
1.0
1.9
3.3
额定平均通态电流I/A
20<I≤50
50<I≤100
100<I≤200
D>200
高
4.8
6.3
8.0
10
表5.3.7-5电压应力系数πs.
S
₂
≤0.3
0.3<S
₂
≤0.4
0.4<S
₂
≤0.5
0.5<S
₂
≤0.6
TS₂
0.30
0.54
0.81
1.1
0.6<S₂ ≤0.7
0.7<S₂ ≤0.8
0.8<S₂ ≤0.9
0.9<S₂ ≤1
πS,
1.5
2.0
2.5
3.0
5.3.8 普通二极管
本条主要包括：普通硅二极管与普通锗二极管。
工作失效率预计模型见式(5.3.8-1)。
51
GJB/Z 299C-2006
Ap=1bπETQTπATs,πe…………………… ……………(5.3.8-1)
式 中 ：
—基本失效率，10
⁻⁶
/h, 见表5.3.8-1,表5.3.8-2和图5.3.8-1,图5.3.8-2;
πE——环境系数，见表5.3.8-3;
πQ——质量系数，见表5.3.8-4;
π——额定电流系数，见表5.3.8-5;
πA——应用系数，见表5.3.8-6;
πs₂—电压应力系数，见表5.3.8-7:
π——结构系数，见表5.3.8-8。
表5.3.8-1 普通硅二极管基本失效率 单位为10 ⁻⁶ / h
T/℃
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
115
120
125
130
135
140
145
150
155
160
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
0.010
0.011
0.012
0.013
0.015
0.016
0.018
0.020
0.021
0.023
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
0.008
0.009
0.010
0.011
0.012
0.013
0.015
0.016
0.018
0.020
0.021
0.023
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
-
0.011
0.012
0.013
0.015
0.016
0.018
0.020
0.021
0.023
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
-
-
-
0.015
0.016
0.018
0.020
0.021
0.023
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
一
0.020
0.021
0.023
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
-
一
0.026
0.028
0.030
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
-
一
-
0.033
0.036
0.039
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
-
一
-
5
-
一
0.043
0.047
0.052
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
-
0.058
0.064
0.072
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
-
-
-
0.082
0.095
0.112
0.134
0.164
0.207
一
-
一
-
一
-
一
T为工作环境温度或带散热片功率器件的管壳温度。
52
GJB/Z 299C-2006
表5 .3.8-2 普通锗二极管基本失效率
单位为10⁻⁶% h
T³/℃
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
0.006
0.007
0.009
0.011
0.013
0.016
0.020
0.024
0.029
0.035
0.042
0.051
0.061
0.075
0.093
0.118
0.154
0.208
0.298
0.008
0.010
0.012
0.015
0.018
0.022
0.026
0.032
0.038
0.046
0.056
0.068
0.083
0.104
0.134
0.178
0.247
0.366
-
0.011
0.013
0.016
0.020
0.024
0.029
0.035
0.042
0.051
0.061
0.075
0.093
0.118
0.154
0.208
0.298
-
-
-
0.015
0.018
0.022
0.026
0.032
0.038
0.046
0.056
0.068
0.083
0.104
0.134
0.178
0.247
0.366
一
0.020
0.024
0.029
0.035
0.042
0.051
0.061
0.075
0.093
0.118
0.154
0.208
0.298
-
-
-
-
0.026
0.032
0.038
0.046
0.056
0.068
0.083
0.104
0.134
0.178
0.247
0.366
一
-
-
-
0.035
0.042
0.051
0.061
0.075
0.093
0.118
0.154
0.208
0.298
一
一
-
-
-
1
1
_
0.046
0.056
0.068
0.083
0.104
0.134
0.178
0.247
0.366
一
-
一
1
_
_
_
0.061
0.075
0.093
0.118
0.154
0.208
0.298
1
-
1
一
1
1
1
一
1
1
_
0.083
0.104
0.134
0.178
0.247
0.366
二
_
_
_
_
-
1
1
-
_
_
T为工作环境温度或带散热片功率器件的管壳温度，
/(10⁻⁴%)
1.000
as
0.100
0.010
60
80
100
0.001
0
120 140
20 40
04
160
10
T'℃
图5.3.8-1 普通硅二极管基本失效率曲线