GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第49页
GJB/ Z299 C-200 6 58 表 5 . 3 . 1 0 - 3 ( 续 ) 单 位 为 1 0 ⁻ ⁶ h T/℃ S 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1. 0 70 75 80 85 90 95 10 0 10 5 11 0 11 5 12 0 12 5 13 0 13 5 0.636 0.656 0.680 0.707 0.738 0.776 0.821 0.877 0.946 …
55
GJB/Z 299C-2006
160
D℃
图5.3.9-1 电压调整、电压基准及电流调整二极管基本失效率曲线
表5.3.9-2 环境系数πE
环境
Gg
GMs
GFi
Gg2
GMn
GM
Mp
Nss
Ns1
E
1.0
1.2
1.7
5.0
5.5
11
7.5
4.5
3.0
环境
Ns2
Nu
Ar
AuF
Ac
Auc
Agw
Sp
M
Mp
E
6.0
14
13
20
7.0
11
15
0.5
28
15
表5.3.9-3 质量系数πQ
质量等级
A₂
A₃
A₄
A₅
B₁
B₂
C
To
0.03
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
5.0
表5.3.9-4 应用系数πA
应 用
电压调整
电压基准(温度补偿)
电流调整
TA
0.65
1.0
1.2
5.3.10 微波二极管
器件类型包括：
a) 微波硅检波二极管；
b) 微波锗检波二极管；
c) 微波硅混频二极管；
d) 微波锗混频二极管。
工作失效率预计模型见式(5.3.10-1)。
Ap=1bπETo………………………………………(5.3.10-1)
式 中 ：
—基本失效率，10
⁻
%/h, 见表5.3.10-1～表5.3.10-4和图5.3.10-1～图5.3.10-4;
πE——环境系数，见表5.3.10-5;
πQ——质量系数，见表5.3.10-6。
GJB/Z299C-2006
58
表5.3.10-3(续) 单位为10⁻⁶h
T/℃
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
70
75
80
85
90
95
100
105
110
115
120
125
130
135
0.636
0.656
0.680
0.707
0.738
0.776
0.821
0.877
0.946
1.033
1.145
1.292
1.488
1.756
0.693
0.722
0.756
0.797
0.847
0.909
0.987
1.086
1.214
1.383
1.611
1.928
一
-
0.776
0.821
0.877
0.946
1.033
1.145
1.292
1.488
1.756
一
-
0.909
0.987
1.086
1.214
1.383
1.611
1.928
-
1.145
1.292
1.488
1.756
一
-
-
-
-
1.611
1.928
-
-
-
-
-
-
-
-
-
一
一
一
一
-
一
-
-
-
一
__
__
1 -
T为工作环境温度或带散热片功率器件的管壳温度。
M(10°h)
10.0
0
98 96
o
62
10
0.1
0 15 30 45 60
75
105
120
135
D℃
图5.3.10-3 微波硅混频二极管基本失效率曲线
表5.3.10-4微波锗混频二极管基本失效率
单位为10⁻⁶%
T/℃
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
0.781
0.815
0.852
0.894
0.942
0.999
1.068
1.153
1.262
1.403
1.591
1.852
2.223
2.773
0.811
0.848
0.889
0.937
0.993
1.060
1.144
1.249
1.387
1.570
1.822
2.179
2.707
0.844
0.885
0.932
0.987
1.053
1.135
1.238
1.371
1.549
1.792
2.137
2.644
-
0.881
0.927
0.981
1.046
1.126
1.226
1.356
1.529
1.764
2.097
2.583
-
-
0.922
0.975
1.039
1.117
1.215
1.341
1.509
1.737
2,058
2.525
一
-
0.969
1.032
1.108
1.204
1.327
1.490
1.711
2,020
2.470
一
-
1.025
1.100
1.193
1.313
1.471
1.685
1.984
2.416
一
一
一
1.092
1.183
1.300
1.453
1.661
1.949
2.365
一
-
1.173
1.287
1.436
1.637
1.916
2.316
一
-
-
一
1
1
1.274
1.419
1.614
1.883
2.268
2.842
-
-
_
_
_
_
t
T为工作环境温度或带散热片功率器件的管壳温度。
90
一
__
-
__
__
-
一
一
一
一
一
1
二
-
-
1
-
1
__
一
一
一
59
GJB/Z 299C-2006
0 10 20 30 40 50 70
T℃
图5.3.10-4 微波锗混频二极管基本失效率曲线
表5.3.10-5环境系数πE
环境
Gg
Gus
G1
Gp
₂
Gn
GMa
Mp
NsB
Nsi
E
1.0
1.2
2.0
5.0
6.0
15
7.5
5.0
3.5
环境
Ns
₂
Nu
A
AuF
AIc
Auc
Agw
Sp
M
M
E
7.0
14
15
24
7.0
11
15
0.60
28
15
表5.3.10-6质量系数πo
质量等级
A₃
A₄
As
B₁
B₂
C
πQ
0.06
0.13
0.25
0.5
1
5
5.3.11 变容、阶跃、隧道、PIN 、体效应、崩越二极管
工作失效率预计模型见式(5.3.11-1)。
Ap=ATETQr…… …… ……………………(5.3.11-1)
式 中 ；
—基本失效率，10
⁻⁶
/h, 见表5.3.11-1和图5.3.11-1;
πE——环境系数，见表5.3.11-2;
πQ——质量系数，见表5.3.11-3;
πK——种类系数，见表5.3.11-4。
表5.3.11-1基本失效率石 单位为10⁻⁶%h
T/℃
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.103
0.126
0.151
0.180
0.212
0.249
0.295
0.355
0.443
0.585
5
0.110
0.134
0.161
0.190
0.224
0.264
0.313
0.380
0.482
0.654
10
0.118
0.143
0.170
0.201
0.236
0.279
0.333
0.409
0.528
0.740
15
0.126
0.151
0.180
0.212
0.249
0.295
0.355
0.443
0.585
0.850
20
0.134
0.161
0.190
0.224
0.264
0.313
0.380
0.482
0.654
0.991
25
0.143
0.170
0.201
0.236
0.279
0.333
0.409
0.528
0.740
1.178
30
0.151
0.180
0.212
0.249
0.295
0.355
0.443
0.585
0.850
35
0.161
0.190
0.224
0.264
0.313
0.380
0.482
0.654
0.991
-
40
0.170
0.201
0.236
0.279
0.333
0.409
0.528
0.740
1.178
-