GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第121页
GJB/Z 299C-200 6 228 表A.2. 2 .3-3温 度应力系数πT T/℃ TTI IT2 T/℃ TTI UT2 35 0.71 0.24 11 0 6.36 2.76 40 0.84 0.30 11 5 7.1 5 3.14 45 1.0 0 0.36 12 0 8.01 3.56 50 1.1 9 0.44 12 5 8.95 4.02 55 1.4 0 0.52 13 0 4.52 60 1.6 4 0.62 …
224
GJB/Z299C-2006
表A.2.2.2-14微处理器温度应力系数π
T/C
T
T/℃
斯
Ty℃
T/℃
Y
双极
MOS
双极
MOS
双极
MOS
双极
MOS
25
0.100
0.100
53
0.297
0.415
81
0.744
1.376
115
1.898
4.676
27
0.109
0.112
55
0.319
0.455
83
0.790
1.489
120
2.148
5.499
29
0.118
0.124
57
0.342
0.499
85
0.839
1.609
125
2.424
6.439
31
0.128
0.139
59
0.367
0.546
87
0.889
1.737
130
2.727
7.512
33
0.139
0.154
61
0.393
0.597
89
0.942
1.874
135
3.060
8.729
35
0.151
0.171
63
0.420
0.652
91
0.998
2.020
140
3.423
10.108
37
0.163
0.190
65
0.449
0.711
93
1.056
2.175
145
3.819
11.663
39
0.177
0.210
67
0.479
0.775
95
1.117
2.341
150
4.251
13.411
41
0.191
0.233
69
0.512
0.843
97
1.181
2.517
155
4.718
15.372
43
0.206
0.257
71
0.546
0.917
99
1.248
2.704
160
5.225
17.564
45
0.222
0.284
73
0.581
0.997
101
1.318
2.903
165
5.773
20.007
47
0.239
0.312
75
0.619
1.082
103
1.390
3.115
170
6.364
22.724
49
0.257
0.344
77
0.659
1.174
105
1.466
3.339
175
7.000
25.736
51
0.277
0.378
79
0.700
1.272
110
1.671
3.960
表A.2.2.2-15 存储器温度应力系数 πT
T/C
T/℃
开
T/C
T/C
双极
MOS
双极
MOS
双极
MOS
双极
MOS
25
0.100
0.100
53
0.298
0.416
81
0.745
1.379
115
1.901
4.683
27
0.109
0.112
55
0.320
0.456
83
0.792
1.491
120
2.151
5.507
29
0.118
0.125
57
0.343
0.500
85
0.840
1.611
125
2.428
6.449
31
0.129
0.139
59
0.367
0.547
87
0.891
1.740
130
2.732
7.523
33
0.140
0.154
61
0.393
0.598
89
0.944
1.877
135
3.064
8.742
35
0.151
0.172
63
0.421
0.653
91
1.000
2.023
140
3.428
10.122
37
0.164
0.190
65
0.450
0.712
93
1.058
2.179
145
3.825
11.679
39
0.177
0.211
67
0.480
0.776
95
1.119
2.345
150
4.257
13.430
41
0.191
0.233
69
0.512
0.845
97
1.183
2.521
155
4.725
15.393
43
0.206
0.257
71
0.546
0.919
99
1.250
2.709
160
5.233
17.588
45
0.222
0.284
73
0.582
0.999
101
1.320
2.908
165
5.781
20.035
47
0.240
0.313
75
0.620
1.084
103
1.393
3.120
170
6.373
22.754
49
0.258
0.345
77
0.660
1.176
105
1.469
3.344
175
7.010
25.770
51
0.277
0.379
79
0.702
1.274
110
1.674
3.966
一
GJB/Z 299C-2006
228
表A.2.2.3-3温度应力系数πT
T/℃
TTI
IT2
T/℃
TTI
UT2
35
0.71
0.24
110
6.36
2.76
40
0.84
0.30
115
7.15
3.14
45
1.00
0.36
120
8.01
3.56
50
1.19
0.44
125
8.95
4.02
55
1.40
0.52
130
4.52
60
1.64
0.62
135
一
5.08
65
1.91
0.73
140
-
5.69
70
2.22
0.87
145
-
6.35
75
2.57
1.02
150
7.07
80
2.95
1.19
155
-
7.86
85
3.39
1.38
160
8.71
90
3.87
1.60
165
二
9.63
95
4.40
1.84
170
10.62
100
5.00
2.11
175
11.69
105
5.65
2.42
-
-
一
注1:若T为电路封装底座的温度，则取πr的数值。
注2:若T为封装内的最高温度，则取π┐的数值。
表A.2.2.3-4 电路功能系数 πF
电路类型
ⅡF
数字
1.0
高频
1.1
微波
1.5
线性
2.0
功率
2.6
表
A.2.2.3-5
网络复杂度失效率
ic 单位为10⁻⁶% h·cm²
工 艺
薄 膜
厚 膜
ic
0.013
0.016
表A.2.2.3-6混合集成电路外贴元器件的失效率λDc 单位为10⁻⁶h
外贴元器件
Dc
单片集成电路
当单片半导体集成电路作为外贴元器件时，ic为从
A.2.2.2中算出的相应p,在计算时，取Tc=35℃,E=1,
质量等级及zo值见表A.2.2.2-2
二极管：普通硅
普通锗
齐纳和雪崩(电压调整、电压基准)
微波硅检波
微波硅混频
变容、阶跃、隧道、PIN
崩越、体效应
0.00026
0.0004
0.00018
0.0053
0.0069
0.0015
229
GJB/Z 299C-2006
表A.2.2.3-6(续) 单位为10⁻⁶h
外贴元器件
iDe
晶体管：硅NPN
硅 P N P
硅场效应
砷化镓场效应
单结
闸流
0.00025
0.00032
0.0015
0.0066
0.0012
0.0027
电位器：普通线绕
精密线绕
微调线绕
功率线绕
有机实芯
合成碳膜
玻璃釉
0.0255
0.0360
0.0296
0.0390
0.0050
0.1890
0.1120
电容器：纸和薄膜
玻璃釉
云母
瓷介
固体钽电解
非固体钽电解
铝电解
0.0022
0.0004
0.0003
0.0004
0.0005
0.0021
0.0024
电阻器：合成
金属膜
碳膜
线绕
功率线绕
热敏
压敏
0.00020
0.00015
0.00015
0.00300
0.00330
0.00110
0.00090
感性元件：线圈、电感器
变压器
0.0030
0.0011
表A.2.2.3-7工艺和封装失效率is
单位为10
⁻⁶
h
工 艺
厚 膜
薄 膜
厚膜-薄膜混合
0.05
0.05
0.075
A.2.3 半导体分立器件
A.2.3.1 概述
本条对下列类型半导体分立器件的工作失效率进行预计：
a) 普通双极型晶体管：硅NPN, 硅 PNP;
b) 场效应晶体管：硅场效应晶体管，砷化镓场效应晶体管：
c)
单结晶体管：