GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第125页
232 GJ B/Z 299 C- 200 6 表A.2.3.2-4(续) 类 别 T/℃ 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 10 0 10 5 11 0 11 5 12 0 微波晶 体管 0.8 0.9 1. 0 1.1 5 1. 3 1. 5 1. 7 2.0 2.35 2.7 3.2 3.7 4.35 5.1 6.05 6.9 8.0 9.3 10. 7 闸流晶体管 0.9 0.9…
231
GJB/Z 299C-2006
表
A.2.3.2-1
(续) 单位为10⁶%
h
类 型
A
普通二极管
>20A
0.001167
锗
<1A
0.001300
1A～20A
0.003500
>20A
0.014667
电压调整、电压基准及电流调整二极管
<0.6W
0.006000
0.6W～1.5W
0.000800
>1.5W
0.001200
硅检波二极管
0.011667
硅混频二极管
0.014667
变容、阶跃恢复、隧道、PIN、体效应、崩越二极管
0.003300
表A.2.3.2-2环境系数π
环境
Gg
GMs
Gri
Gg2
Gn
GMn
Mp
NsB
Nst
菲
1.0
1.1
1.6
3.8
4.0
8.5
6.0
4.0
2.7
环境
Ns2
Nu
AF
AuF
Ac
Auc
Agw
SF
M
Mp
E
5.4
11.5
10.5
18
5.8
9.0
15
0.45
20
10
表A.2.3.2-3质量系数πo
质量等级
说明
πQ
JANS
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),且列入制造国军用电子元器件合格制造商目
录(QML),并备有相应详细规范号的宇航级产品
0.1
JANJ
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),且列入制造国军用电子元器件合格制造商目
录(QML),并备有相应详细规范号的准宇航级产品
0.15
JANTXV
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),且列入制造国军用电子元器件合格制造商目
录(QML),并备有相应详细规范号的超特军级产品
0.5
JANTX
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),且列入制造国军用电子元器件合格制造商目
录(QML),并备有相应详细规范号的特军级产品
1
JAN
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),且列入制造国军用电子元器件合格制造商目
录(QML),并备有相应详细规范号的军级产品
2
B-1
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),军用半导体器件试验方法标准中的试验要求
进行筛选的B-2级产品
3
B-2
按照制造商规定的生产和试验流程制造和试验的工业级产品
6
C
其他民用或未知筛选等级的产品
10
表A.2.3.2-4温度系数πI
类别
T℃
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
115
120
普通双极型晶体管
0.9
0.95
1.0
1.05
1.15
1.25
1.3
1.4
1.5
1.65
1.75
1.9
2.05
2.2
2.35
2.55
2.7
2.9
3.15
硅场效应、
砷化镓场效应
0.9
0.95
1.0
1.05
1.15
1.25
1.3
1.4
1.5
1.65
1.75
1.9
2.05
2.2
2.35
2.55
2.7
2.9
3.15
单结晶体管
0.9
0.95
1.0
1.05
1.15
1.25
1.3
1.4
1.5
1.65
1.75
1.9
2.05
2.2
2.35
2.55
2.7
2.9
3.15
232
GJB/Z 299C-2006
表A.2.3.2-4(续)
类别
T/℃
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
115
120
微波晶体管
0.8
0.9
1.0
1.15
1.3
1.5
1.7
2.0
2.35
2.7
3.2
3.7
4.35
5.1
6.05
6.9
8.0
9.3
10.7
闸流晶体管
0.9
0.95
1.0
1.05
1.15
1.25
1.3
1.4
1.5
1.65
1.75
1.9
2.05
2.2
2.35
2.55
2.7
2.9
3.15
普通硅二极管
0.9
0.95
1.0
1.05
1.15
1.25
1.3
1.4
1.5
1.65
1.75
1.9
2.05
2.2
2.35
2.55
2.7
2.9
3.15
普通锗二极管
0.8
0.9
1.0
1.15
1.35
1.55
1.85
2.2
2.65
3.2
3.8
4.55
5.45
6.55
7.8
9.3
11.05
13.05
15.4
硅检波二极管、
硅混频二极管
0.95
0.975
1.0
1.025
1.05
1.075
1.1
1.125
1.15
1.175
1.225
1.25
1.3
1.325
1.35
1.4
1.45
.475
1.525
电压调整、电压基
准及电流调整
二极管
0.95
0.95
1.0
1.05
1.1
1.15
1.2
1.25
1.3
1.35
1.45
1.5
1.6
1.65
1.7
1.8
1.9
1.95
2.05
变容、阶跃恢复、
隧道、PIN、体效应、
崩越二极管
0.95
0.95
1.0
1.05
1.1
1.15
1.2
1.25
1.3
1.35
1.45
1.5
1.6
1.65
1.7
1.8
1.9
1.95
2.05
表A.2.3.2-5 普通双极型晶体管应力系数 πs
Sy
Sp
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.1
0.16
0.2
0.24
0.32
0.4
0.52
0.64
0.84
1.04
0.2
0.2
0.25
0.3
0.4
0.5
0.65
0.8
1.05
1.3
0.3
0.24
0.3
0.36
0.48
0.6
0.78
0.96
1.26
1.56
0.4
0.32
0.4
0.48
0.64
0.8
1.04
1.18
1.68
2.08
0.5
0.4
0.5
0.6
0.8
1
1.3
1.6
2.1
2.6
0.6
0.52
0.65
0.78
1.04
1.3
1.69
2.08
2.73
3.38
0.7
0.64
0.8
0.96
1.28
1.6
2.08
2.56
3.36
4.16
0.8
0.84
1.05
1.26
1.68
2.1
2.73
3.36
4.41
5.46
0.9
1.04
1.3
1.56
2.08
2.6
3.38
4.16
5.46
6.76
注 ： 功率负荷率； 电压负荷率。
表
A.2.3.2-6
普通二极管应力系数 π
s
S;
Sv
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.1
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.33
0.33
0.16
0.79
0.2
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.44
0.44
0.48
0.52
0.3
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.66
0.66
0.72
0.78
0.4
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
0.77
0.77
0.84
0.91
0.5
1
1
1
1
1
1.1
1.1
1.2
1.3
0.6
1.3
1.3
1.3
1.3
1.3
1.43
1.43
1.56
1.69
0.7
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.98
1.98
2.16
2.34
0.8
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.64
2.64
2.88
3.12
233
GJB/Z 299C-2006
表A.2.3.2-6 (续)
S
Sv
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.9
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.52
3.52
3.84
4.16
注 ： 电压负荷率： 电流负荷率。
表A.2.3.2-7 其他晶体管和二极管的应力系数 πs
类别
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
硅场效应、砷化镓场效应
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
1.6
2.1
2.6
单结晶体管
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
1.6
2.1
2.6
微波晶体管
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
1.6
2.1
2.6
硅检波二极管、
硅混频二极管
0.3
0.4
0.6
0.7
1.0
1.3
1.8
2.4
3.2
电压调整、电压基准及
电流调整二极管
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
1.3
1.6
2.1
2.6
闸流晶体管
0.3
0.4
0.6
0.7
1.0
1.3
1.8
2.4
3.2
变容、阶跃恢复、隧道、PIN、
体效应、崩越二极管
0.2
0.3
0.4
0.7
1.0
1.5
2.3
3.4
5.2
A.2.3.3 光电子器件
本条对下列类型光电子器件的工作失效率进行预计：
a) 光电耦合器；
b) 单发光二极管；
c) 光敏二极管；
d) 光敏二极管探测器(单个);
e) 光敏晶体管；
f) 光敏品体管探测器(单个);
g) 数码管；
h) 光电滤波器；
i) 光纤激光模块；
j) 光纤发光二极管模块：
k) 光纤探测器模块；
1) 光纤耦合器；
m) 波分复用器。
光电子器件的工作失效率预计模型见式(A.2.3.3-1)。
p=AbπETQr………………………………(A.2.3.3-1)
式 中 ：
——工作失效率，10⁻⁶/h;
——基本失效率，10⁻⁶%h, 见 表A.2.3.3-1 和 表A.2.3.3-2;
πE——环境系数，见表A.2.3.3-3;