GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第23页
16 GJB/ Z 299C- 2006 表5.2 .2- 5 b) 结到 管壳的 热阻 的参考 值 封 装 形 式 Ragv/ ℃/W 密封器 件 金属圆 形封装 70 金属菱 形封装 6 双列直插 (DIP)封装 28 扁平封 装 22 针栅阵列(CP GA)封装 20 球栅阵列(CB GA)封装 15 小外形(S O)封装 20 芯片载体 (LCC)封装 16 非密封 器件 双列直插 (DIP)封装 63 扁平封 装 45 针栅阵…
15
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-1(续)
类 别
工作失效率预计模型
Mere——EEPROM、FLASH电路的读)写循环率系数，见表5.2.2-29:
C
₁
及C
₂
——电路复杂度失效率，见表5.2.2-17至表5.2.2-28;
C—封装复杂度失效率，见表5.2.2-30;
A——GaAs MMIC应用系数，见表5.2.2-31;
即——GaAs MMIC工艺系数，见表5.2.2-32.
表5.2.2-2 环境系数 πE
环境
Gg
Gs
GFi
Gp
Gn
Ge
Mp
NsB
Ns1
E
1.0
1.5
2.4
6.5
6.3
11
6.8
7.5
4.5
环境
Ns
Nu
AF
Aur
Ac
Auc
Agw
S
M
M
E
10
14
15
20
10
13
19
1.2
32
15
表5.2.2-3半导体单片集成电路质量等级与质量系数πQ
质量等级
质量要求说明
质量要求补充说明
o
A
A₁
符合GJB 597A,且列入军用电子元器件合格
产品目录(QPL)的S级产品
符合GJB 597-1988且列入军用电子
元器件合格产品目录(QPL)的S级产品
一
A
₂
符合GJB 597A,且列入军用电子元器件合格
产品目录(QPL)的B级产品
符合GJB 597-1988且列入军用电子
元器件合格产品目录(QPL)的B级产品
0.08
A
₃
符合GJB 597A,且列入军用电子元器件合
格产品目录(QPL)的BI级产品
符合GJB 597-1988且列入军用电子
元器件合格产品目录(QPL)的B1级产品
0.13
A₄
符合GB/T 4589.1的Ⅲ类产品，或经中国电
子元器件质量认证委员会认证合格的Ⅱ类产品
按QZJ 840614~840615“七专”技术
条件组织生产的I、I₃类产品
符合*SJ 331的I,IA类产品
0.25
B
B₁
按军用标准的筛选要求进行筛选的B₂质量
等级产品
符合GB/T4589.1的Ⅱ类产品
按“七九O五”七专质量控制技术协
议组织生产的产品
符合*SJ 331的Ⅱ类产品
0.50
B
₂
符合GB/T 4589.1的I类产品
符合+SJ 331的Ⅲ类产品
1.0
C
C:
一
符合*SJ 331的IV类产品
3.0
C
₂
低档产品
10
表5.2.2-4 成熟系数 πL
成熟程度
符合相应的标准或技术条件，
已稳定生产的产品
质量尚未稳定的产品
试制品或新投产的初批次产品：设计或工艺上有
重大变更；长期中断生产或生产线有重大变化
IL
1.0
3.0
10
表5.2.2-5a) 半导体集成电路管壳温度的参考值
环境
GB
GMs
Gg
Gg
Gm
GMe
Mp
NsB
Ns1
Te/℃
35
35
45
45
60
65
45
50
45
环境
Ns2
Nu
AF
AuF
Ac
Auc
Agw
Sp
M
MF
Tc/C
50
75
60
80
60
80
60
35
60
60
16
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-5
b)
结到管壳的热阻的参考值
封 装 形 式
Ragv/℃/W
密封器件
金属圆形封装
70
金属菱形封装
6
双列直插(DIP)封装
28
扁平封装
22
针栅阵列(CPGA)封装
20
球栅阵列(CBGA)封装
15
小外形(SO)封装
20
芯片载体(LCC)封装
16
非密封器件
双列直插(DIP)封装
63
扁平封装
45
针栅阵列(PGA)封装
38
球栅阵列(BGA)封装
35
小外形(SO)封装
53
芯片载体(LCC)封装
30
表5.2.2-6 单片双极数字电路的 πT
T/℃
T
T/℃
I
T/℃
斯
T/℃
r
25
0.10
53
0.40
81
1.30
115
4.28
27
0.11
55
0.44
83
1.40
120
5.01
29
0.12
57
0.48
85
1,51
125
5.85
31
0.14
59
0.52
87
1.63
130
6.79
33
0.15
61
0.57
89
1.75
135
7.87
35
0.17
63
0.62
91
1.88
140
9.08
37
0.19
65
0.68
93
2.03
145
10.44
39
0.21
67
0.74
95
2.18
150
11.97
41
0.23
69
0.80
97
2.34
155
13.67
43
0.25
71
0.87
99
2.51
160
15.57
45
0.28
73
0.95
101
2.69
165
17.69
47
0.30
75
1.02
103
2.88
170
20.03
49
0.33
77
1.11
105
3.08
175
22.62
51
0.37
79
1.20
110
3.64
-
表5.2.2-7 单片MOS 数字电路的 πT
T/℃
斯T
T/℃
开
T/℃
斯
T/C
斯
25
0.10
37
0.21
49
0.43
61
0.81
27
0.11
39
0.24
51
0.48
63
0.90
29
0.13
41
0.27
53
0.53
65
1.00
31
0.15
43
0.30
55
0.59
67
1.10
33
0.17
45
0.34
57
0.66
69
1.22
35
0.19
47
0.38
59
0.73
71
1.35
17
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-7(续)
T/C
斯
T/℃
r
T/℃
斯
T/C
斯
73
1.48
89
3.11
105
6.12
145
26.55
75
1.63
91
3.40
110
7.48
150
31.28
77
1.80
93
3.71
115
9.09
155
36.71
79
1.97
95
4.04
120
10.99
160
42.92
81
2.17
97
4.40
125
13.23
165
50.00
83
2.38
99
4.78
130
15.85
170
58.05
85
2.60
101
5.20
135
18.90
175
67.18
87
2.85
103
5.65
140
22.45
-
表5.2.2-8 单片模拟电路的 πT
T/℃
斯T
T/℃
斯
T/C
斯
T/℃
斯
25
0.10
53
0.88
81
5.45
115
35.17
27
0.12
55
1.01
83
6.14
120
45.02
29
0.14
57
1.16
85
6.91
125
57.28
31
0.16
59
1.33
87
7.77
130
72.44
33
0.19
61
1.52
89
8.72
135
91.08
35
0.23
63
1.74
91
9.78
140
113.89
37
0.27
65
1.99
93
10.95
145
141.66
39
0.31
67
2.27
95
12.25
150
175.28
41
0.36
69
2.58
97
13.68
155
215.82
43
0.42
71
2.94
99
15.26
160
264.45
45
0.49
73
3.33
101
17.01
165
322.53
47
0.57
75
3.78
103
18.93
170
391.62
49
0.66
77
4.27
105
21.04
175
473.45
51
0.76
79
4.83
110
27.30
一
表5.2.2-9 双极微处理器的 π
r
T/℃
斯
T/℃
T
T/℃
斯
T/℃
25
0.10
53
0.45
81
1.59
115
5.79
27
0.11
55
0.50
83
1.73
120
6.87
29
0.13
57
0.55
85
1.88
125
8.11
31
0.14
59
0.60
87
2.04
130
9.55
33
0.16
61
0.66
89
2.20
135
11.19
35
0.18
63
0.72
91
2.39
140
13.06
37
0.20
65
0.79
93
2.58
145
15.19
39
0.22
67
0.87
95
2.79
150
17.60
41
0.24
69
0.95
97
3.01
155
20.32
43
0.27
71
1.04
99
3.25
160
23.39
45
0.30
73
1.13
101
3.50
165
26.84
47
0.33
75
1.24
103
3.77
170
30.70
49
0.37
77
1.35
105
4.06
175
35.01
51
0.41
79
1.46
110
4.86