GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第24页

17 GJB/ Z 299 C-2006 表 5 . 2 . 2 - 7 ( 续 ) T/C 斯 T/℃ r T/℃ 斯 T/C 斯 73 1.4 8 89 3.11 10 5 6.12 14 5 26.55 75 1.6 3 91 3.40 11 0 7.4 8 15 0 31.28 77 1.8 0 93 3.71 11 5 9.09 15 5 36.71 79 1.9 7 95 4.04 12 0 10. 99 16 0 42.9…

100%1 / 160
16
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-5
b)
结到管壳的热阻的参考值
封 装 形 式
Ragv/℃/W
密封器件
金属圆形封装
70
金属菱形封装
6
双列直插(DIP)封装
28
扁平封装
22
针栅阵列(CPGA)封装
20
球栅阵列(CBGA)封装
15
小外形(SO)封装
20
芯片载体(LCC)封装
16
非密封器件
双列直插(DIP)封装
63
扁平封装
45
针栅阵列(PGA)封装
38
球栅阵列(BGA)封装
35
小外形(SO)封装
53
芯片载体(LCC)封装
30
表5.2.2-6 单片双极数字电路的 πT
T/℃
T
T/℃
I
T/℃
斯
T/℃
r
25
0.10
53
0.40
81
1.30
115
4.28
27
0.11
55
0.44
83
1.40
120
5.01
29
0.12
57
0.48
85
1,51
125
5.85
31
0.14
59
0.52
87
1.63
130
6.79
33
0.15
61
0.57
89
1.75
135
7.87
35
0.17
63
0.62
91
1.88
140
9.08
37
0.19
65
0.68
93
2.03
145
10.44
39
0.21
67
0.74
95
2.18
150
11.97
41
0.23
69
0.80
97
2.34
155
13.67
43
0.25
71
0.87
99
2.51
160
15.57
45
0.28
73
0.95
101
2.69
165
17.69
47
0.30
75
1.02
103
2.88
170
20.03
49
0.33
77
1.11
105
3.08
175
22.62
51
0.37
79
1.20
110
3.64
-
表5.2.2-7 单片MOS 数字电路的 πT
T/℃
斯T
T/℃
开
T/℃
斯
T/C
斯
25
0.10
37
0.21
49
0.43
61
0.81
27
0.11
39
0.24
51
0.48
63
0.90
29
0.13
41
0.27
53
0.53
65
1.00
31
0.15
43
0.30
55
0.59
67
1.10
33
0.17
45
0.34
57
0.66
69
1.22
35
0.19
47
0.38
59
0.73
71
1.35
17
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-7(续)
T/C
斯
T/℃
r
T/℃
斯
T/C
斯
73
1.48
89
3.11
105
6.12
145
26.55
75
1.63
91
3.40
110
7.48
150
31.28
77
1.80
93
3.71
115
9.09
155
36.71
79
1.97
95
4.04
120
10.99
160
42.92
81
2.17
97
4.40
125
13.23
165
50.00
83
2.38
99
4.78
130
15.85
170
58.05
85
2.60
101
5.20
135
18.90
175
67.18
87
2.85
103
5.65
140
22.45
-
表5.2.2-8 单片模拟电路的 πT
T/℃
斯T
T/℃
斯
T/C
斯
T/℃
斯
25
0.10
53
0.88
81
5.45
115
35.17
27
0.12
55
1.01
83
6.14
120
45.02
29
0.14
57
1.16
85
6.91
125
57.28
31
0.16
59
1.33
87
7.77
130
72.44
33
0.19
61
1.52
89
8.72
135
91.08
35
0.23
63
1.74
91
9.78
140
113.89
37
0.27
65
1.99
93
10.95
145
141.66
39
0.31
67
2.27
95
12.25
150
175.28
41
0.36
69
2.58
97
13.68
155
215.82
43
0.42
71
2.94
99
15.26
160
264.45
45
0.49
73
3.33
101
17.01
165
322.53
47
0.57
75
3.78
103
18.93
170
391.62
49
0.66
77
4.27
105
21.04
175
473.45
51
0.76
79
4.83
110
27.30
一
表5.2.2-9 双极微处理器的 π
r
T/℃
斯
T/℃
T
T/℃
斯
T/℃
25
0.10
53
0.45
81
1.59
115
5.79
27
0.11
55
0.50
83
1.73
120
6.87
29
0.13
57
0.55
85
1.88
125
8.11
31
0.14
59
0.60
87
2.04
130
9.55
33
0.16
61
0.66
89
2.20
135
11.19
35
0.18
63
0.72
91
2.39
140
13.06
37
0.20
65
0.79
93
2.58
145
15.19
39
0.22
67
0.87
95
2.79
150
17.60
41
0.24
69
0.95
97
3.01
155
20.32
43
0.27
71
1.04
99
3.25
160
23.39
45
0.30
73
1.13
101
3.50
165
26.84
47
0.33
75
1.24
103
3.77
170
30.70
49
0.37
77
1.35
105
4.06
175
35.01
51
0.41
79
1.46
110
4.86
GJB/Z 299C-2006
18
表5.2.2-10 MOS 微处理器的 πT
T/C
斯
T/℃
T
T/C
斯
T/C
斯
25
0.10
53
0.63
81
2.95
115
14.27
27
0.12
55
0.71
83
3.26
120
17.58
29
0.13
57
0.80
85
3.60
125
21.56
31
0.15
59
0.89
87
3.98
130
26.30
33
0.17
61
1.00
89
4.39
135
31.92
35
0.20
63
1.12
91
4.83
140
38.56
37
0.23
65
1.26
93
5.32
145
46.38
39
0.26
67
1.40
95
5.84
150
55.54
41
0.30
69
1.57
97
6.42
155
66.23
43
0.34
71
1.75
99
7.04
160
78.66
45
0.38
73
1.94
101
7.72
165
93.05
47
0.44
75
2.16
103
8.45
170
109.65
49
0.49
77
2.40
105
9.24
175
128.75
51
0.56
79
2.66
110
11.51
一
一
表5.2.2-11 双极存储器的 πr
T/℃
斯
T/℃
T/℃
即
T/C
斯r
25
0.10
53
0.45
81
1.59
115
5.79
27
0.11
55
0.50
83
1.73
120
6.87
29
0.13
57
0.55
85
1.88
125
8.11
31
0.14
59
0.60
87
2.04
130
9.55
33
0.16
61
0.66
89
2.20
135
11.19
35
0.18
63
0.72
91
2.39
140
13.06
37
0.20
65
0.79
93
2.58
145
15.19
39
0.22
67
0.87
95
2.79
150
17.60
41
0.24
69
0.95
97
3.01
155
20.32
43
0.27
71
1.04
99
3.25
160
23.39
45
0.30
73
1.13
101
3.50
165
26.84
47
0.33
75
1.24
103
3.77
170
30.70
49
0.37
77
1.35
105
4.06
175
35.01
51
0.41
79
1.46
110
4.86
表5.2.2-12 MOS 存储器的 πI
T/℃
斯T
T/℃
TT
T/C
T/℃C
斯
25
0.10
33
0.17
41
0.30
49
0.49
27
0.12
35
0.20
43
0.34
51
0.56
29
0.13
37
0.23
45
0.38
53
0.63
31
0.15
39
0.26
47
0.44
55
0.71