GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第40页

45 GJB/ Z 2 99 C-200 6 A/(10 ⁻⁶%) 10. 00 1.0 0 s 1 0.10 0.01 60 90 120 150 0 30 T ℃ 图5 .3. 4-1 硅场效 应晶体 管 基本失 效率曲 线 表5.3 .4-2 环境 系数 π E 环境 GB GMs GH1 Gr ₂ GMt Gue Mp NsB Ns1 E 1. 0 1. 2 2.0 5.0 5.5 11 7.5 5.0 3.5 环境 Nsz N…

100%1 / 160
44
GJB/Z299C-2006
5.3.4 硅场效应晶体管
工作失效率预计模型见式(5.3.4-1)。
Ap=1bπETQπAπCTKπ……………………………………(5.3.4-1)
式中：
A— 基本失效率，10-
⁶
%h, 见表5.3.4-1和图5.3.4-1;
πE——环境系数，见表5.3.4-2;
πQ——质量系数，见表5.3.4-3;
πA——应用系数，见表5.3.4-4;
πc—— 结构系数，见表5.3.4-5;
πK——种类系数，见表5.3.4-6;
π ——额定功率系数，见表5.3.4-7。
表5 .3 .4- 1 基本失效率B 单位为10⁻⁶/ h
T/℃
S
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
115
120
125
130
135
140
145
150
0.066
0.070
0.075
0.080
0.086
0.091
0.097
0.102
0.109
0.115
0.121
0.128
0.135
0.143
0.151
0.159
0.168
0.178
0.188
0.200
0.212
0.227
0.243
0.261
0.282
0.307
0.337
0.373
0.417
0.472
0.542
0.080
0.086
0.091
0.097
0.102
0.109
0.115
0.121
0.128
0.135
0.143
0.151
0.159
0.168
0.178
0.188
0.200
0.212
0.227
0.243
0.261
0.282
0.307
0.337
0.373
0.417
0.472
0.542
0.632
0.752
0.097
0.102
0.109
0.115
0.121
0.128
0.135
0.143
0.151
0.159
0.168
0.178
0.188
0.200
0.212
0.227
0.243
0.261
0.282
0.307
0.337
0.373
0.417
0.472
0.542
0.632
0.752
-
-
-
0.115
0.121
0.128
0.135
0.143
0.151
0.159
0.168
0.178
0.188
0.200
0.212
0.227
0.243
0.261
0.282
0.307
0.337
0.373
0.417
0.472
0.542
0.632
0.752
一
0.135
0.143
0.151
0.159
0.168
0.178
0.188
0.200
0.212
0.227
0.243
0.261
0.282
0.307
0.337
0.373
0.417
0.472
0.542
0.632
0.752
一
-
-
0.159
0.168
0.178
0.188
0.200
0.212
0.227
0.243
0.261
0.282
0.307
0.337
0.373
0.417
0.472
0.542
0.632
0.752
一
-
-
-
1
一
1
1
-
1
0.188
0.200
0.212
0.227
0.243
0.261
0.282
0.307
0.337
0.373
0.417
0.472
0.542
0.632
0.752
-
-
_
_
_
一
一
-
-
0.227
0.243
0.261
0.282
0.307
0.337
0.373
0.417
0.472
0.542
0.632
0.752
0.282
0.307
0.337
0.373
0.417
0.472
0.542
0.632
0.752
-
1
_
-
_
-
_
-
-
_
-
_
-
-
_
1
1
0.373
0.417
0.472
0.542
0.632
0.752
1
一
-
-
-
_
_
_
一
一
一
1
T为工作环境温度或带散热片功率器件的管壳温度。
__ __
45
GJB/Z 299C-2006
A/(10⁻⁶%)
10.00
1.00 s1
0.10
0.01
60
90
120
150
0
30
T℃
图5.3.4-1 硅场效应晶体管基本失效率曲线
表5.3.4-2 环境系数 π
E
环境
GB
GMs
GH1
Gr₂
GMt
Gue
Mp
NsB
Ns1
E
1.0
1.2
2.0
5.0
5.5
11
7.5
5.0
3.5
环境
Nsz
Nu
Ap
AuF
Arc
Auc
Agw
S
M
Mp
E
7.0
14
15
24
7.5
12
17
0.60
28
15
表5.3.4-3质量系数πo
质量等级
A₃
Aq
As
B₁
B₂
C
πQ
0.05
0.1
0.2
0.5
1
5
表5.3.4-4应用系数πA
应 用
线 性 放 大
开 关
高 频
f>400MHz
πA
1.0
0.70
3.3
表5.3.4-5结构系数πe
结 构
单 管
双 管
(不匹配或补偿)
双 管
(匹配)
四极管
Tc
1.0
0.70
1.2
1.1
表5.3.4-6 种类系数πK
种 类
结 型
M O S 型
蒸K
0.38
1.0
表5.3.4-7 额定功率系数π,
额定功率
P/W
P≤0.5
0.5<P≤1
1<P≤5
5<P≤20
20<P≤50
50<P≤200
P>200
焉
0.80
1.0
1.5
2.2
3.0
4.0
5.5
46
GJB/Z 299C-2006
5.3.5 砷化镓场效应晶体管
器件类型包括：GaAs 低噪声，驱动器和功率场效应管。
工作失效率预计模型见式(5.3.5-1).
λp=ATETQTAT7M……………
式中：
—基本失效率，10⁶/h, 见表5.3.5-1;
πE——环境系数，见表5.3.5-2;
πQ——质量系数，见表5.3.5-3;
πA——应用系数，见表5.3.5-4;
π ——温度应力系数，见表5.3.5-5;
TM——匹配网络系数，见表5.3.5-6。
表5.3.5-1 基本失效率
……………………(5.3.5-1)
单位为10
⁶
h
工作频率
f/GHz
平均输出功率
P/W
<0.1
0.1
0.5
1
2
4
6
8
1
0.229
0.240
0.292
0.372
0.605
1.600
4.230
11.181
2
0.287
0.301
0.366
0.466
0.758
2.004
5.297
14.002
3
0.359
0.377
0.458
0.584
0.950
2.510
6.634
17.535
4
0.450
0.472
0.574
0.731
1.189
3.143
8.308
21.959
5
0.563
0.591
0.718
0.916
1.489
3.936
10.404
27.500
6
0.706
0.741
0.900
1.147
1.865
4.929
13.029
34.439
8
1.106
1.162
1.411
1.799
2.925
7.731
20.434
54.011
10
1.735
1.822
2.213
2.821
4.587
12.124
32.046
84.706
12
2.722
2.857
3.470
4.425
7.194
19.014
50.259
132.845
15
5.345
5.611
6.815
8.690
14.128
37.344
98.710
260.912
18
10.498
11.021
13.386
17.068
27.749
73.346
193.869
512.440
表5.3.5-2 环境系数 πE
环境
GB
GMs
Ggi
Gp
₂
Gn
Ga
Mp
NsB
Ns1
E
1,0
1.2
2.0
5.0
5,5
11
7.5
5.0
3.5
环境
Ns2
Nu
Ar
AuF
Aic
Auc
Agw
Sp
M
M;
E
7.0
14
15
24
7.5
12
17
0.60
28
15
表5.3.5-3 质量系数πQ
质量等级
A₂
A;
A₄
As
B₁
B₂
C
πQ
0.03
0.05
0.1
0.2
0.5
1
5
表5 .3 .5-4 应用系数πA
状 态
低功耗或脉冲
连 续
TA
1
3