GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第25页

GJB/ Z 299C- 2006 18 表 5.2 .2- 10 MOS 微处理 器的 π T T/C 斯 T/℃ T T/C 斯 T/C 斯 25 0.10 53 0.63 81 2.95 11 5 14. 27 27 0.12 55 0.71 83 3.26 12 0 17. 58 29 0.13 57 0.80 85 3.60 12 5 21.56 31 0.15 59 0.89 87 3.98 13 0 26.30 33 0.…

100%1 / 160
17
GJB/Z 299C-2006
表5.2.2-7(续)
T/C
斯
T/℃
r
T/℃
斯
T/C
斯
73
1.48
89
3.11
105
6.12
145
26.55
75
1.63
91
3.40
110
7.48
150
31.28
77
1.80
93
3.71
115
9.09
155
36.71
79
1.97
95
4.04
120
10.99
160
42.92
81
2.17
97
4.40
125
13.23
165
50.00
83
2.38
99
4.78
130
15.85
170
58.05
85
2.60
101
5.20
135
18.90
175
67.18
87
2.85
103
5.65
140
22.45
-
表5.2.2-8 单片模拟电路的 πT
T/℃
斯T
T/℃
斯
T/C
斯
T/℃
斯
25
0.10
53
0.88
81
5.45
115
35.17
27
0.12
55
1.01
83
6.14
120
45.02
29
0.14
57
1.16
85
6.91
125
57.28
31
0.16
59
1.33
87
7.77
130
72.44
33
0.19
61
1.52
89
8.72
135
91.08
35
0.23
63
1.74
91
9.78
140
113.89
37
0.27
65
1.99
93
10.95
145
141.66
39
0.31
67
2.27
95
12.25
150
175.28
41
0.36
69
2.58
97
13.68
155
215.82
43
0.42
71
2.94
99
15.26
160
264.45
45
0.49
73
3.33
101
17.01
165
322.53
47
0.57
75
3.78
103
18.93
170
391.62
49
0.66
77
4.27
105
21.04
175
473.45
51
0.76
79
4.83
110
27.30
一
表5.2.2-9 双极微处理器的 π
r
T/℃
斯
T/℃
T
T/℃
斯
T/℃
25
0.10
53
0.45
81
1.59
115
5.79
27
0.11
55
0.50
83
1.73
120
6.87
29
0.13
57
0.55
85
1.88
125
8.11
31
0.14
59
0.60
87
2.04
130
9.55
33
0.16
61
0.66
89
2.20
135
11.19
35
0.18
63
0.72
91
2.39
140
13.06
37
0.20
65
0.79
93
2.58
145
15.19
39
0.22
67
0.87
95
2.79
150
17.60
41
0.24
69
0.95
97
3.01
155
20.32
43
0.27
71
1.04
99
3.25
160
23.39
45
0.30
73
1.13
101
3.50
165
26.84
47
0.33
75
1.24
103
3.77
170
30.70
49
0.37
77
1.35
105
4.06
175
35.01
51
0.41
79
1.46
110
4.86
GJB/Z 299C-2006
18
表5.2.2-10 MOS 微处理器的 πT
T/C
斯
T/℃
T
T/C
斯
T/C
斯
25
0.10
53
0.63
81
2.95
115
14.27
27
0.12
55
0.71
83
3.26
120
17.58
29
0.13
57
0.80
85
3.60
125
21.56
31
0.15
59
0.89
87
3.98
130
26.30
33
0.17
61
1.00
89
4.39
135
31.92
35
0.20
63
1.12
91
4.83
140
38.56
37
0.23
65
1.26
93
5.32
145
46.38
39
0.26
67
1.40
95
5.84
150
55.54
41
0.30
69
1.57
97
6.42
155
66.23
43
0.34
71
1.75
99
7.04
160
78.66
45
0.38
73
1.94
101
7.72
165
93.05
47
0.44
75
2.16
103
8.45
170
109.65
49
0.49
77
2.40
105
9.24
175
128.75
51
0.56
79
2.66
110
11.51
一
一
表5.2.2-11 双极存储器的 πr
T/℃
斯
T/℃
T/℃
即
T/C
斯r
25
0.10
53
0.45
81
1.59
115
5.79
27
0.11
55
0.50
83
1.73
120
6.87
29
0.13
57
0.55
85
1.88
125
8.11
31
0.14
59
0.60
87
2.04
130
9.55
33
0.16
61
0.66
89
2.20
135
11.19
35
0.18
63
0.72
91
2.39
140
13.06
37
0.20
65
0.79
93
2.58
145
15.19
39
0.22
67
0.87
95
2.79
150
17.60
41
0.24
69
0.95
97
3.01
155
20.32
43
0.27
71
1.04
99
3.25
160
23.39
45
0.30
73
1.13
101
3.50
165
26.84
47
0.33
75
1.24
103
3.77
170
30.70
49
0.37
77
1.35
105
4.06
175
35.01
51
0.41
79
1.46
110
4.86
表5.2.2-12 MOS 存储器的 πI
T/℃
斯T
T/℃
TT
T/C
T/℃C
斯
25
0.10
33
0.17
41
0.30
49
0.49
27
0.12
35
0.20
43
0.34
51
0.56
29
0.13
37
0.23
45
0.38
53
0.63
31
0.15
39
0.26
47
0.44
55
0.71
GJB/Z299C-2006
20
表 5.2.2-15 CMOS 电路的温度系数 πv
Vs/V
T/C
25
50
75
100
125
150
175
12
0.61
0.72
0.85
1.0
1.17
1.37
1.61
13
0.72
0.86
1.02
1.22
1.45
1.72
2.05
14
0.85
1.02
1.23
1.49
1.79
2.16
2.61
15
0.99
1.21
1.48
1.81
2.22
2.71
3.32
16
1.16
1.44
1.79
2.22
2.75
3.41
4.22
17
1.37
1.72
2.16
2.71
3.40
4.28
5.37
18
1.60
2.04
2.60
3.31
4.21
5.37
6.83
表5.2.2-16 PROM 电路的可编程工艺系数 πPT
位数
N
双极
TPT
MOS
TPr
位数
NB
双极
TPT
MOS
TPT
≤512
1.00
1.00
262144
1.15
1.13
1024
1.02
1.01
524288
1.17
1.15
2048
1.03
1.02
1048576
1.19
1.17
4096
1.05
1.04
2097152
1.20
1.19
8192
1.06
1,05
4194304
1.22
1.20
9216
1.07
1.06
8388608
1.24
1.22
16384
1.08
1.07
16777216
1.26
1.24
32768
1.10
1.09
33554432
1.28
1.26
65536
1.11
1.10
67108864
1.30
1.27
131072
1.13
1.12
表5.2.2-17 单片双极数字电路的复杂度失效率C 及 C₂
单位为10⁻⁶ h
门数NG
C
C
₂
50
0.1227
0.0100
100
0.1574
0.0121
200
0.2021
0.0146
300
0.2338
0.0163
400
0.2593
0.0177
500
0.2810
0.0188
600
0.3001
0.0197
700
0.3172
0.0206
800
0.3328
0.0214
900
0.3473
0.0221
1000
0.3607
0.0227
3000
0.5357
0.0307
5000
0.6438
0.0354
7000
0.7267
0.0388