GJB Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册.pdf - 第123页
230 GJB/Z 299C-2006 d) 微波晶体管； e) 闸流 品体 管 ； f) 普 通二 极管：普 通硅二 极管 ，普通 锗二极管 ； g) 电压调整 、电压基准及 电流调整二极 管； h) 硅检波 二极 管、硅混 频二极 管； i) 变容 、阶跃恢复、 隧道、 PIN 、体效应 、崩越二极管 ； j) 光电子器件。 A.2.3.2 晶体管 与二极 管 晶体管与二极 管的工作失效 率预计模型见 式 (A.2.3.2-1) 。…
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GJB/Z 299C-2006
表A.2.2.3-6(续) 单位为10⁻⁶h
外贴元器件
iDe
晶体管：硅NPN
硅 P N P
硅场效应
砷化镓场效应
单结
闸流
0.00025
0.00032
0.0015
0.0066
0.0012
0.0027
电位器：普通线绕
精密线绕
微调线绕
功率线绕
有机实芯
合成碳膜
玻璃釉
0.0255
0.0360
0.0296
0.0390
0.0050
0.1890
0.1120
电容器：纸和薄膜
玻璃釉
云母
瓷介
固体钽电解
非固体钽电解
铝电解
0.0022
0.0004
0.0003
0.0004
0.0005
0.0021
0.0024
电阻器：合成
金属膜
碳膜
线绕
功率线绕
热敏
压敏
0.00020
0.00015
0.00015
0.00300
0.00330
0.00110
0.00090
感性元件：线圈、电感器
变压器
0.0030
0.0011
表A.2.2.3-7工艺和封装失效率is
单位为10
⁻⁶
h
工 艺
厚 膜
薄 膜
厚膜-薄膜混合
0.05
0.05
0.075
A.2.3 半导体分立器件
A.2.3.1 概述
本条对下列类型半导体分立器件的工作失效率进行预计：
a) 普通双极型晶体管：硅NPN, 硅 PNP;
b) 场效应晶体管：硅场效应晶体管，砷化镓场效应晶体管：
c)
单结晶体管：
230
GJB/Z 299C-2006
d) 微波晶体管；
e) 闸流品体管；
f) 普通二极管：普通硅二极管，普通锗二极管；
g) 电压调整、电压基准及电流调整二极管；
h) 硅检波二极管、硅混频二极管；
i) 变容、阶跃恢复、隧道、PIN、体效应、崩越二极管；
j) 光电子器件。
A.2.3.2 晶体管与二极管
晶体管与二极管的工作失效率预计模型见式(A.2.3.2-1)。
=iπETQTTTs…………………………………(A.2.3.2-1)
式中：
命—工作失效率，10⁻⁶/h;
一 基本失效率，见表A.2.3.2-1;
πE——环境系数，见表A.2.3.2-2;
πQ——质量系数，见表A.2.3.2-3;
——温度系数，见表A.2.3.2-4:
πs——应力系数，见表A.2.3.2-5～ 表 A.2.3.2-7.
表A.2.3.2-1 基本失效率
单位为10⁻⁶%
h
类 型
普通双极型晶体管
硅 N P N
<0.6W
0.000667
0.6W～6.0W
0.001000
>6.0W
0.001250
硅P NP
<0.6W
0.000833
0.6W～6.0W
0.001167
>6.0W
0.001667
场效应晶体管
硅
线性
0.003333
开关
0.001667
高频
0.014167
砷化镓
低噪声(≤100mW)
0.014667
驱动器(≤100mW)
0.102167
单结晶体管
0.002633
微波晶体管
脉冲放大器
0.128333
连续波
0.256667
闸流品体管
≤1A
0.006000
>1A
0.012500
普通二极管
硅
<1A
0.000700
1A~20A
0.001033
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GJB/Z 299C-2006
表
A.2.3.2-1
(续) 单位为10⁶%
h
类 型
A
普通二极管
>20A
0.001167
锗
<1A
0.001300
1A～20A
0.003500
>20A
0.014667
电压调整、电压基准及电流调整二极管
<0.6W
0.006000
0.6W～1.5W
0.000800
>1.5W
0.001200
硅检波二极管
0.011667
硅混频二极管
0.014667
变容、阶跃恢复、隧道、PIN、体效应、崩越二极管
0.003300
表A.2.3.2-2环境系数π
环境
Gg
GMs
Gri
Gg2
Gn
GMn
Mp
NsB
Nst
菲
1.0
1.1
1.6
3.8
4.0
8.5
6.0
4.0
2.7
环境
Ns2
Nu
AF
AuF
Ac
Auc
Agw
SF
M
Mp
E
5.4
11.5
10.5
18
5.8
9.0
15
0.45
20
10
表A.2.3.2-3质量系数πo
质量等级
说明
πQ
JANS
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),且列入制造国军用电子元器件合格制造商目
录(QML),并备有相应详细规范号的宇航级产品
0.1
JANJ
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),且列入制造国军用电子元器件合格制造商目
录(QML),并备有相应详细规范号的准宇航级产品
0.15
JANTXV
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),且列入制造国军用电子元器件合格制造商目
录(QML),并备有相应详细规范号的超特军级产品
0.5
JANTX
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),且列入制造国军用电子元器件合格制造商目
录(QML),并备有相应详细规范号的特军级产品
1
JAN
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),且列入制造国军用电子元器件合格制造商目
录(QML),并备有相应详细规范号的军级产品
2
B-1
符合军用半导体器件制造总规范(性能规范),军用半导体器件试验方法标准中的试验要求
进行筛选的B-2级产品
3
B-2
按照制造商规定的生产和试验流程制造和试验的工业级产品
6
C
其他民用或未知筛选等级的产品
10
表A.2.3.2-4温度系数πI
类别
T℃
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
105
110
115
120
普通双极型晶体管
0.9
0.95
1.0
1.05
1.15
1.25
1.3
1.4
1.5
1.65
1.75
1.9
2.05
2.2
2.35
2.55
2.7
2.9
3.15
硅场效应、
砷化镓场效应
0.9
0.95
1.0
1.05
1.15
1.25
1.3
1.4
1.5
1.65
1.75
1.9
2.05
2.2
2.35
2.55
2.7
2.9
3.15
单结晶体管
0.9
0.95
1.0
1.05
1.15
1.25
1.3
1.4
1.5
1.65
1.75
1.9
2.05
2.2
2.35
2.55
2.7
2.9
3.15