YGOS V2用户操作手册.pdf - 第68页
1-58 1 基 板 程 序 的 生 成 和 编 辑 「 传 料 站 」 图 标 托盘参数 晶片托盘的「传料站」图标 66 1 36 - X6 -0 0 A : 倒 置 选 择 正 置 贴 装 还 是 倒 置 贴 装 。 如 设 置 为 「 执 行 」 , H e a d 间 互 相 传 递 元 件 进 行 正 置 贴 装 。 如 设 置 为 「 不 执 行 」 , 与 传 料 站 相 关 的 项 目 变 为 有 效 , 便 可 进…

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基板程序的生成和编辑
「吸附」图标
托盘参数
晶片托盘的「吸附」图标
66135-X6-00
A: 吸料高度 (mm)
指定吸料高度(推入量)。一般设置为 0.00mm。
吸附时,晶片头在下列高度实施吸附作业。
WTCHead 吸料位置最高 (LP) 轴坐标+吸料高度-送料带厚度-元件厚度+ WTCHead 位移值+吸嘴厚度。
B: 吸附计时 (sec)
指定从上推轴(LU 轴)到达指定高度后,到 Head 上下轴 (LP 轴 ) 开始上升之前,Head 上下轴 (LP 轴 ) 需停止等待的时间的
计时。以 0.05 秒为单位,最大可设置到 0.75 秒。
C、D:吸料上升速度、吸料下降速度 (%)
指定吸料时晶片吸头的下降速度和上升速度。以 10% 为单位设置,最大设置值为 100%。
E、F:HeadLow 级别、HeadHigh 级别 (%)
输入晶片吸头在吸料及传料时判断移动级别的数值。HeadLow 级别指吸附元件时,晶片吸头一旦判断真空级别上升至设定值
并已吸住元件,就开始移动。HeadHigh 级别指传料时,晶片吸头一旦判断吸料时的真空级别下降至设定值,并已放下元件,
就开始移动。
G: 送料带厚度 (mm)
输入切片料带的厚度 (0.00 〜 2.55)。
H: 上推高度 (mm)
设置晶片吸头从晶片吸附元件时,顶针(上推顶针)需上升的高度 (-30.00 〜 30.00)。
I、J:LU 轴上升速度、LU 轴下降速度 (%)
设置顶针(上推顶针)的上升及下降速度。以 10% 为单位设置,最大设置值为 100%。
K: LU 轴下降时机 (mm)
设置晶片吸头从晶片吸附元件后上升过程中,使上推轴 (LU 轴 ) 开始下降的 LP 轴的上升量。
从理论上来说,晶片吸附头从料带剥离元件时的 LP 轴位置,进一步上升至在此所设置的上升量时,顶针 ( 上推顶针 ) 开始
下降。单位为 (mm),向上方为“+”值。

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基板程序的生成和编辑
「传料站」图标
托盘参数
晶片托盘的「传料站」图标
66136-X6-00
A: 倒置
选择正置贴装还是倒置贴装。如设置为「执行」,Head 间互相传递元件进行正置贴装。如设置为「不执行」,与传料站相关的
项目变为有效,便可进行倒置贴装作业。
B: 传料高度 (mm)
设置晶片吸头将元件传递至传料站时 LP 轴的高度。向下(下方向)为“+”值。
传料时,晶片吸附头在下列高度进行吸附作业。
传料站位置最高 (LP) 轴坐标+传料高度-元件厚度+ WTCHead 位移值+吸嘴厚度。
C: 传料计时 (sec)
设置传料时,当达到 Head 真空高级别以下,传料站真空低级别以上的条件后,到晶片吸附头上下轴 (LP 轴 ) 开始上升之前,
晶片吸附头需停止等待的时间 (0.00 〜 0.75 秒 )。
D、E:传料上升速度、传料下降速度 (5)
设置传送传料站的元件时的下降及上升速度。以 10% 为单位设置,最大设置值为 100%。
F: 传料站低级别 (%)
向主机 Head 供给元件时,真空压必须降至低于在此指定的级别。一般设置在 30% 左右。
G: 传料站高级别 (%)
指 Head 上下轴 (LP 轴 ) 到达传料高度后,在传料计时器开始计时之前,真空压必须升至高于在此指定的级别。一般设置在
30% 左右。

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基板程序的生成和编辑
「选项」图标
托盘参数
晶片托盘的「选项」图标
66137-X6-00
C: 转轴速度 (%)
设置晶片吸头的转动速度。以 10% 为单位设置,最大设置值为 100%。
D: 传送小车轴速度 (%)
设置晶片吸头往返晶片托盘交换器和传料站之间的移动速度。以 10% 为单位设置,最大设置值为 100%.
E: 使用位置校正标记
设置是否进行晶片位置校正。该功能是根据位置校正标记的理论位置与识别后的实际位置之间的偏差值来校正搜索位置
的功能。
·不使用
不使用该功能。
·搜索方向初始化后
仅限搜索方向初始化后安装各层料架时使用。
·柜门开闭后
仅限柜门开启或关闭后安装各层料架时使用。
·每次
每次安装料架时使用。
F、G:位置校正标记 1、位置校正标记 2
指定用于位置校正的标记数据的号码。
H、I:位置校正标记 1X 坐标、位置校正标记 1Y 坐标
指定坐标位置校正标记的 X 坐标,即晶片中心开始的坐标。
J、K:位置校正标记 2X 坐标、位置校正标记 2Y 坐标
指定坐标位置校正标记的 Y 坐标,即晶片中心开始的坐标。