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IPC-7095D-W AM1 CN 2019 年 1 月 184 空洞数量和大小的工艺控制标准阻止空洞的常规出 现，这种情况表示工艺已失控并需要使用必要工具来 改善工艺和材料 。空洞大小也很重要 （如表 A-1 、表 A-2 、表 A-3 和图 A-3 所示） 。本标准基于大小和节距 定义了空洞可接受性的特性。 当可塌陷焊球连接至连接盘图形时，焊球呈椭球形而 不是一致的圆球形。因此 ，焊球中心处的焊点直径通 常大于焊球与连接盘界面的直…
IPC-7095D-WAM1 CN2019 年 1 月
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A.1.2 密节距 BGA（FBGA）的盘内孔设计
FBGA 的设计需要足够的布线空间，通常需要使用微
导通孔和盘内孔。尤其是产品需要采用无铅工艺组装
时，这些设计变得尤为关键。图 A-2 显示了由于连接
盘焊接材料的缺失，焊点中的裂纹如何从空洞扩张出
来的例子。如果导通孔被填充或上面电镀封闭，空气
截留就不会促成这种情况。盘内孔的设计需要对空洞
容差作进一步限制，如表 A-3 所示。
表 A-3 采用 0.3mm、0.4mm 或 0.5mm 节距的盘内微导通孔连接盘纠正措施指标
空洞
类型
空洞描述
纠正措施指标
采取的措施
一级 二级 三级
元器件来料评估由切片 /X 射线断层合成成像决定（依据 7.6.4 节抽样）
A
焊球中的空洞
（组装之前）
高达 90% 的焊球可能有空洞
任何焊球最大空洞大小为面积的 9%（图像直径的 30%）
调查制程根本原因并采
取纠正措施
B
空洞在封装界
面（组装之前）
高达 80% 的焊球可
能有空洞
任何焊球最大空洞大
小为面积的 6%
（图
像直径的 25%）
高达 70% 的焊球可
能有空洞
任何焊球最大空洞大
小为面积的 4%（图
像直径的 20%）
高达 50% 的焊球可
能有空洞
任何焊球最大空洞大
小为面积的 2%（图
像直径的 15%）
调查制程根本原因并采
取纠正措施
要考虑所有焊球的累积空洞（无论其大小）
组装之后评估由切片 /X 射线断层合成成像决定（依据 7.6.4 节抽样）
C
PCA 再流
后，焊球中的
空洞
高达 100% 的焊球可能有空洞
任何焊球最大空洞大小为面积的 15%（图像直径的 40%）
调查制程根本原因和来
料部件，采取纠正措施
D
PCA 再流
后，空洞在封
装界面
高达 100% 的焊球可
能有空洞
任何焊球最大空洞大
小为面积的 15%
（图
像直径的 40%）
高达 80% 的焊球可
能有空洞
任何焊球最大空洞大
小为面积的 10%（图
像直径的 32%）
高达 60% 的焊球可
能有空洞
任何焊球最大空洞大
小为面积的 5%（图
像直径的 22%）
调查制程根本原因和来
料部件，采取纠正措施
要考虑所有焊球的累积空洞（无论其大小）
E
PCA 再流
后，空洞在贴
装表面界面
高达 100% 的焊球可
能有空洞
任何焊球最大空洞大
小为面积的 15%
（图
像直径的 40%）
高达 80% 的焊球可
能有空洞
任何焊球最大空洞大
小为面积的 10%（图
像直径的 32%）
高达 60% 的焊球可
能有空洞
任何焊球最大空洞大
小为面积的 5%（图
像直径的 22%）
调查制程根本原因和来
料部件，采取纠正措施
累积空洞小于其面积的 2%
（图像直径的 15%）的焊球不计入
元器件来料或组装之后的制程评估，由切片 / 透射 X 射线图像决定（依据 7.6.4 节抽样）
A,B 来料空洞
不推荐 调查制程根本原因并采
取纠正措施
C,D,E
PCA 再流后
空洞
不推荐 调查制程根本原因和来
料部件，采取纠正措施
注：
如果设计或制造没有采用导通孔填充，应当在设计人员、客户、材料供应商和组装工程之间建立联合工作组进行试验以将空
洞最小化。一旦完成空洞最小化，应该针对具体产品建立空洞可接收水平并用于该产品的工艺控制。
图 A-2 起始于角落引脚，带有裂纹的 BGA 中空洞
A – 第一个角落引脚的 BGA 焊球（有裂纹）
B – 与第一个角落引脚相邻的 BGA 焊球（没有裂纹）
AB
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空洞数量和大小的工艺控制标准阻止空洞的常规出
现，这种情况表示工艺已失控并需要使用必要工具来
改善工艺和材料。空洞大小也很重要（如表 A-1、表
A-2、表 A-3 和图 A-3 所示）。本标准基于大小和节距
定义了空洞可接受性的特性。
当可塌陷焊球连接至连接盘图形时，焊球呈椭球形而
不是一致的圆球形。因此，焊球中心处的焊点直径通
常大于焊球与连接盘界面的直径。应用于不同焊球大
小和连接盘大小，判定标准会得出不同的空洞大小。
图 A-3 与连接盘大小相关的空洞直径
A – 焊料连接盘区域
B –12% 空洞区域
A
B
IPC-7095d-a-3-cn
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附录 B
词汇表及首字母缩写词
AABUS As agreed upon between user and supplier 由供需双方协商确定
Ag Silver 银
Al Aluminum 铝
ASIC Applications-specific IC 专用集成电路
AOI Automated optical inspection 自动光学检验
AR Acrylic resin （conformal coating） 丙烯酸树脂（敷形涂覆）
Au Gold 金
ATC Accelerated temperature cycling 加速温度循环
AXI Automated X-ray Inspection 自动 X 射线检验
B Boron 硼
Be Beryllium 铍
BGA Ball grid array 球栅阵列
Bi Bismuth 铋
BOC Board-on-chip 芯片上板直装
BT Bismaleimide-triazine 双马来酰亚胺三嗪
CAF Conductive anodic filament 阳极导电丝
CBGA Ceramic ball grid array 陶瓷球栅阵列
CCGA Ceramic column grid array 陶瓷柱栅阵列
ccc Controlled coplanarity 受控共面性
CCD Char
ged-couple device 电荷耦合器件
CGA Column grid array 柱栅阵列
Cd Cadmium 镉
COB Chip-on-board 板上芯片直装
CSP Chip scale package 芯片尺寸封装
CT Computed tomography 计算机断层扫描
CTE Coe
ffi
cient of thermal expansion 热膨胀系数
CTF Critical to function 关键功能
Cu Copper 铜
Df Dissipation factor 损耗因子
DfM Design for manufacturability 可制造性设计
DfR Design for reliability 可靠性设计
DIG Direct immersion gold 直接浸金
Dk Dielectric constant 介电常数
DMA Dynamic mechanical analysis 动态力学分析
DSBGA Die-size ball grid array 芯片尺寸球栅阵列
DRAM Dynamic random-access memory 动态随机访问存储器
DSC Di
ff
erential scanning calorimetry 差分扫描热量测定法
dT T
emperature di
ff
erential 温差