IPC J-STD-001E CN 焊接的电气与电子组件要求 2010年4月.pdf - 第57页

8 清洗⼯艺要求 要求 进 行清 洗 的 产品 应当 [N1N2D3] 按文 档 化的工艺 进 行清 洗, 去除 所有污染物 ( 尤 其 是 助焊剂 残留物 ) 。 清 洗后 的 产品 应当 [D1D2D3] 能 满足 本 章 规 定的清洁度要求(见 8.3 节 ) 。 所有 要清 洗 的 产品在 清 洗时 应当 [D1D2D3] 防 止热冲 击 和/或 有 害 的清 洗 媒介 侵 入 未完 全密封的元器 件内 。 8.1 免 除清洗 …

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7.5.17 平头柱连接 的端子有时也之为“
于这端子,尚未建立3产品的要求组装方法和材料使获得本是工艺开发
和控制
柱连接的元器件形成的连接(7–17应当[D1D2D3]满足7–19中的尺寸和焊料填充
7.6 特殊SMT端⼦ 开发此标准的IPC员会已经收到些特殊类SMT端子纳入此标准的要
常这类的端子是特殊的元器件或专为少量用户。在开发验收要求
广泛
应用量用户中获得有效效数。在复本标准1.13.2中的内
1.13.2 专⽤技术程序 致公认的标准,本文件无所有的元器件
产品组合情况。例如性线、高、高电压等等。当采用非通用和/或特殊技术
时,能有必开发专用的工艺及验收标准。在考虑产品标准时,特殊定义对考虑
体特是必要的
特殊标准的开发该有用户的与,验收标准应当[N1N2D3]用户
未规
的具工艺和/或技术的组装和焊接要求应当[N1D2D3]按文化的程序留文
化的程序,以审核
能,该向IPC技术员会这些标准,以考虑纳入标准的新版本。
7–19 尺⼨要求 平头柱连接
参数 1 2 3
最大端子偏移,方形焊 75%W)端子
1,注2
50%W)端子
1,注2
尚未建立要求
最大端子偏移,圆形焊 50%W)端子
1,注2
25%W)端子
1,注2
最大填充高度 4
最小填充高度 3
1 反最小电气间隙要求
2 引线直径小于或边长。
3 湿明
4
焊料接触元器件本体。
7–17 平头柱端⼦
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8 清洗⼯艺要求 要求行清产品应当[N1N2D3]按文化的工艺行清洗,去除所有污染物
助焊剂残留物洗后产品应当[D1D2D3]满足定的清洁度要求(见8.3
所有要清产品在洗时应当[D1D2D3]止热冲和/或的清媒介未完全密封的元器
件内
8.1 除清洗 包在密封器件(热缩焊接器件)内部的端子,免标准的清要求
器件可密封
8.2 超声波清洗 下列情况允许采超声波
a.
或组件要接线柱或连接器无内部电子线
b. 电气元器件的电子组件要制造商能提供可供审核表明使超声不会损伤
洗产品或元器件的机械或电气性能。元器件对超声波敏感性测定参考IPC-TM-650试方法
2.6.9.1定电子组件对超声波能敏感性的测及测试方法2.6.9.2定电子元器件对超声波
敏感性的测
8.3 清洁度 用目检方法按8.3.1的要求否存来颗粒物质,8.3.2(见11.2.2
)的要求
否存助焊剂及其它离子或残留物。
8.3.1 颗粒物 组件应当[D1D2D3]污物、焊、锡、焊、线头等。应当
[D1D2D3]不会松动产品正常工作环境不会引起焊球移,也不会反最小电气间隙
8.3.2 助焊剂残留物和其它离⼦机污染物 除非用户有规制造商应该指定清志。该
8.3.33材料、元器件和设备要求来确定清洗选项和清洁度测试。
如未规定清志,应当[D1D2D3]
用下文所述C-22和清洁度目要求
注:通过或其它方法定可见残留物时,要求
8.3.3 清洗标 焊接的清下列符构成至少描述本标准所包括
组件清要求。该字母C后是破折号“,最后是2位或多位1
表示8.3.4节所规定的清洗选项,2
表示8.3.5节规定的清洁度测要求
8.3.4 清洗选项 1洗选项,8–1各数义用于规定组件的表
要清
8-1 清洗表⾯的标
0 表面
1 组件的一面(焊接起始面)
2 组件的都需
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8.3.5 清洁度测 2及其面的定清洁度测要求,各数8–2
8.3.6 如有要求,最终清洗后制电组件(敷形涂覆、装、或装配到高级组件
前的清应当[D1D2D3]期以抽样方行清洁度测(见11.2.3以确认工艺
正常。如有任何印制电组件通不过测试,应当[D1D2D3]对整组件都进评估,如有必
洗,并且应当[D1D2D3]
抽样试,上一可接清洁度测试后
行测试。
应当[N1P2D3]至少每除非过程控制系统据支持变更频
8.3.6.1 松⾹助焊剂残留物 要求测松香助焊剂残留物时,应当[D1D2D3]IPC-TM-650的测
试方法2.3.27组件,并应当[D1D2D3]满足下列可允许最大助助焊剂残留物量要求
1 产品小于200μg/cm
2
2 产品小于100μg/cm
2
3 产品小于40μg/cm
2
8.3.6.2 离⼦残留物器) 要求(器)测离子残留物时,应当[D1D2D3]IP
C-TM-650试方法2.3.25C可电离的表面污染物检查和测量组件其中动态方法
该按试方法2.3.255项进方法该按2.3.256项进
其他替代方法敏感等效或优述检测可离子化的表面污染物方法时,用其它方法。在
比较这些方法敏感时,考虑残留物
剂、组件施加剂的方法以及测定残留
方法。
ROL0ROL1助焊剂焊接、用静方法的组件污染物应当[D1D2D3]小于1.56
μgcm
2
NaCl量的离子或可电离的助焊剂残留物。当采用其它测试方法或其它助焊剂
(见3.3污染物不应当[D1D2D3]过制造商或用户所规定的限值。如果由制造商,该
应当[D1D2D3]历史据支持(表明清和测工艺已经证明、建立理并是受控的)
审核的工艺定测试数据(见3.1
8.3.6.3 离⼦残留物⼿⼯) 要求(工)测离子残留物时,应当[D1D2D3]IPC-TM-650
试方法2.3.25可电离的表面污染物检查和测量组件
ROL0ROL1助焊剂焊接的组件其表面污染物应当[D1D2D3]小于1.56μgcm
2
NaCl
的离子或可电离的助助焊剂残留物。当采用其它助焊剂(见3.3污染物不应当[D1D2D3]
过制造商或用户所规定的限值。如果由制造商,该应当[D1D2D3]历史支持(表明
和测工艺已经证明、建立理并是受控的)备作审核的工艺定测试数据(见3.1
8–2 清洁度测
0 无清洁度测要求
1 要求测松香残留物8.3.6.1
2 要求测离子残留物8.3.6.2和/或8.3.6.3
3 要求测表面绝缘电阻(8.3.6.4
4 要求测其它表面污染物8.3.6.5
5 用户和制造商协商定的其它测
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