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2 0 1 0 年 6 月 I P C - 7 3 5 I B CN 表 3 - 5 大 于 或 等 于 16 08 ( 0 6 0 3 ) 的 矩 形 或 方 形 端 元 器 件 （ 电 容 和 电 阻 ） （ 单 位 ： m m ) 引线 部 位 最 大 （ 最 多 ） A 级 密 度 适 中 （ 正 常 ） B 级 密 度 最 小 （ 最 少 ） C 级 密 度 趾 部 （ J T ) 0 .55 0 3 5 0 . 1 5 跟 …
IPC-7351B CN
2010 年 6 月
表 3 - 2 扁f 带 式 L 和 鸪 翼 形 引 线 （间距大于0 .6 2 5 m m )( 单位：min)
引线部位 最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.55 0.35 0.15
跟 部 (J H) 1
0.45 0.35 0.25
侧 面 (J s )
0.05 0.03 0.01
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1..00、1.05、：L10、1.15
装配余量
0.5 0.25 0.1
小外 形 集 成 电 路 （S O I C ) 结构和连接盘图形设计详见9 .1 节
小 外 形 封 装 （S O .P )结构和连接盘图形设计详见9 .2 节
方 形 扁 平 封 装 （Q F P ) 结构和连接盘图形设计详见1 L 1 节 和 11.2节
陶瓷方形扁平 封 装（C Q F P ) 结构和连接盘图形设计详见11.3节
小 外 形 晶 体 管 （S O T ) 结构和连接盘图形设计详见8.6、8.7、8 .9 和 8.1 0节
小 外 形 二 极 管 （S O D ) 结构和连接盘图形设计详见8.8
注 1 : 对于鸥翼形引线元器件，尺 寸 Smm小于等于 Ainax时，釆用下列跟部填充目标:
A 级密度 _ 0.25mm
B 级 密 度- 0.15mm
C 级 密 度 - 0,05mm
注 2 : 该要求不适用于引线端子公差T 1 大 于 0.5m m 瞎翼形引线元器件。
表 3 - 3 扁平带式 L _ _ 翼 形 引 线 （间距小于或等于0.625H1II1)( 单 位 ：min)
引线部位 最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.55 0.35 0.15
跟 部 (J H) 1
0.45 035 025
侧 面 (J s )
0.01
4102 -d04
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1..00、1,05、1,10、1.15
装配余量
0.5 025 0.1
小 外 形 封 装 （S O P ) 结 构 和 连 接 盘 图 形 设 计 详 见 9 .3 节
方 形 扁 平 封 装 （Q F P ) 结 构 和 连 接 盘 图 形 设 计 详 见 1 1 .2 节
注 1 : 对于鸥翼形引线元器件，尺 寸 Smm小于等于 Amax时，釆用下列跟部填充目标:
A 级 密度 - 0.25mm
B 级 密 度- 0.15mm
C 级 密 度 - 0,05mm
注 2 : 该要求不适用于引线端子公差T 1 大 于 0.5m m 鸥翼形引线元器件。
表 3-4 J 形 引 线 （单位：min)
引线部位 最 大
（最多）
A 级密度
适 中 ( : £ 常 )
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
跟 部 （JH) ( 见 尺 寸 Z)
0.55 0.35 0.15
趾 部 （JT) ( 见 尺 寸 G)
0.01 0.00 -0,01
侧 面 （Js )
0.05 0.03 0.01
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、1,10、1.15
装配余量
0.50 0.25 0.10
塑封 有 引线芯片载体 （P L C C ) 结构和连接盘图形设计详见1.2J.节
小外形 J 形弓1线 封 装 （S O J ) 结构和连接盘图形设计详见10.1节
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201 0 年 6 月 IPC-735IB CN
表 3 - 5 大 于 或 等 于 1608 ( 0 6 0 3 ) 的矩形或方 形端元器件（电容和电阻）（单位：m m)
引线部位 最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.55 035 0.15
跟 部 (JH)
0.00 0.00 0.00
侧 面 （Js)
0.05 0.03 -0.05
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 LOO、L05、1,10、L15
装配余量
0.50 0.25 0.10
片 式 电 阻 C R E S C )结构和连接盘图形设计详见8 .1 节
片 式 电 容 （C A P C ) 结构和连接盘图形设计详见8 .2 节
片 式 电 感 （I N D C ) 结构和连接盘图形设计详见8 .3 节
表 3 - 6 小 于 1608 ( 0 6 0 3 ) 的矩形或方 形端元器件（电容和电阻）（单 位 ：min)
引线部位
最 大 （最多）
A 级密度
适 中 ( : £ 常 )
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.30 0.20 0.10
跟 部 （JH)
0.00 0.00 0.00
侧 面 （Js)
0.05 0.00 -d05
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1,00、1,05、1,10、L15
装配余量
0.20 0.15 0.10
片 式 电 阻 （R E S C ) 结构和连接盘图形设计详见8 .1 节
片 式 电 容 （C A P C ) 结构和连接盘图形设计详见8 2 节
片 式 电 感 （I N D C ) 结构和连接盘图形设计详见8 .3 节
表 3 _ 7 圆柱 体 帽 形 端 子 （M E L F ) ( 单 位：腿m)
引线部位 最 大
（最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.60 0.40 0.20
跟 部 (JH)
0.2 0
.1
0.02
侧 面 （Js)
0.1 0.05 0.01
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、1.10、L15
装配余量
0.5 0.25 0.1
金 属 电 极 面 电 阻 （R E S M E L F )结构和连接盘图形设计详见8 .5 节
金 属 电 极 面 二 极 管 （M O M E L F ) 结构和连接盘图形设计详见8 .5 节
表 3 - 8 城堡形端子的无引线芯片载体（单 位 ：m m)
引线部位
最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
跟 部 （JH) ( 见 尺 寸 Z)
0.65 0.55 0.45
趾 部 （JT) ( 见 尺 寸 G)
0.25 0.15 0.05
侧 面 (Js)
0.05 »0.05 4U 5
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、L10、1.15
装配余量
0.5 0.25 0.1
无引线 陶 瓷芯片载体（L C C ) 结构和连接盘图形设计详见1.5J.节
无引线陶瓷芯片载体侧面1 脚 （L C C S )结构和连接盘图形设计详见15.1节
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IPC-7351B CN
2010 年 6 月
表 3 - 9 四形片式阵列元器件引线封装（单位：min)
引线部位 最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.55 0.45 0.35
跟 部 (J H)
■ 5 4107 -CU0
侧 面 (J s )
-0.05 4107 -0.10
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1..00、1.05、：L10、1.15
装配余量
0.5 0.25 0.1
凹形片 式 阵 列 电阻（R E S C A C ) 结构和连接盘图形设计详见14.5.1节
凹形片 式 阵 列 电容（C A P C A C )结构和连接盘图形设计详见14.5.1.节
凹形片 式 阵 列 电感（IN D C A C )结构和连接盘图形设计详见14.5.1节
凹形片 式阵列振荡器 （O S C A C )结构和连接盘图形设计详见14.5.1节
表 3 - 1 0 凸形片式阵列元器件引线封装（单 位 ：mm)
引线部位
最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （止:常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.55 0.45 035
跟 部 （JH)
4105 4107 -dlO
侧 面 (J s )
4105 -0.07 -(U0
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、1.10、L15
装配余量
0 J 0.25 0.1
E 型 凸形片式 阵列电阻 （R E S C A X E )结构和连接盘图形设计详见14.5.2节
S 型 凸 形片式阵 列 电阻（R E S C A X S )结构和连接盘图形设计详见1 4 1 2 节
表 3 - 1 1 扁平片式阵列元器件引线封装（单 位 ：mm )
引线部位 最 大
（最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.55 0.45 035
跟 部 (J H)
-0.05 ^0.07 -0.10
侧 面 (J s )
-0.05 4107 -0.10
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1..00、1.05、：L10、1.15
装配余量
0.5 0.25 0.1
扁平芯片阵列电阻 （R E S C A F ) 结构和连接盘图形设计详见14.5,3节
扁 平 芯 片 阵 列 电 容 （C A P C A F )结构和连接盘图形设计详见1 .4 1 3 节
扁 平 芯 片 阵 列 电 感 （IN D C A F )结构和连接盘图形设计详见14.5.3节
表 3-12 直 插 连 接 （单 位：mm)
引线部位
最 大 （最多）
A 级密度
适 中 ( : £ 常 )
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
1.0 0.8 0.6
跟 部 （JH)
1.0 0.8 0.6
侧 面 （Js )
03
0.2 0
.1
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1,00、1,05、1,10、1.15
装配余量
1.5 0.8
0.2
双列直插安 装 元 器件（D I P B ) 结构和连接盘图形设计详见13.0节
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