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IP C -7 3 5 1 B CN 2 0 1 0 年 6 月 8.6 SO T2 3 S O T 元 件 属 于 第 一 批 表 面 贴 装 的 封 装 有 源 元 器 件 。表 面 贴 装 本 体 上 有 三 个 引 线 端 子 伸 出 的 塑 封 元 器 件 , 可 克 服 在 处 理 插 装 三 极 管 过 程 中 遇 到 的 一 些 问 题 和 困 难 。 总 体 来 说 , S O T 封 装 多 用 于 二 极 管 、 …

2010 年 6 月 IPC-7351BCN
8.4 模 制 本 体 元 器 件 (CAPMP、 CAPM、DIOM、FUSM、 INDM、INDP、LEDM、R E S M ) 模制本
体元器件存在多种参数。本节只描述最普遍的几种类别。
8 . 4 . 1 基本 结 构 详 见 图 8-5。
8 . 4 .2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况都存在。
8 . 4 . 3 载 体 封 装 方 式 散装 杆 ,8.0m m 载 带 /4.0m m 间距
是达到最佳操作条件的首选格式。带卷规范文件提供了一
些附加要求。
8 . 4 .4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个标准再流焊
系统中 的 5 次循环。每次循环中,锡铅条件和无铅条件下
分 别 应 当 有 10-30秒 或 20-40秒处于最高温度,高低差异
在 5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊 料中达到最低的浸入 时间,
相 应 时 间 和 温 度 见 表 8-2。如 果 用 到 再 流 焊 工 艺 ,IPC/
JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和
曲线,详 见 表 8-3。
8 . 5 金属电极面二极管(DIOMELF、R E SM E L F )电阻、陶瓷电容以及钽电容都可能被封装在这些管状
物中。
8 . 5 . 1 基本 结 构 详 见 图 8 -6和 8-7。
8 . 5 .2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况都存在。
8 . 5 . 3 载 体 封 装 方 式 散装杆,8.0m m载 带 /4.0m m 间距是达到最佳操作条件的首选格式。带卷规范文件
提供了一些附加要求。
8 . 5 .4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个标准再流焊系统中的5 次循环。每次循环中,锡铅条件和
无铅条件下分别应当有10-30秒 或 20-40秒处于最高温度,高低差异在5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间,相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺,
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线,详见 表 8-3。
IPC-7351b-8-05-cn
图 8 - 5 模制本体元器件结构
图 8 - 6 金属电极无引线面元器件结构
图 8 - 7 金属电极无引线面元器件的分解图
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IPC-7351B CN
2010年 6 月
8.6 SOT23 S O T 元件属于第一批表面贴装的
封装有源元器件。表面贴装本体上有三个引线
端子伸出的塑封元器件,可克服在处理插装三
极管过程中遇到的一些问题和困难。总体来说,
SOT封装多用于二极管、晶体管和小型I/O 器件。
SOT23封装是最常见的三引线表面贴装结构。
8 . 6 . 1 基 本 结 构 为符合混合电路板和印制电
路板表面贴 装 行 业 的 要 求 ,SOT23封装进行了
多次的再设计。这些改动最终形成了低、 中、
高三个外形特征,基本上反映了元件本体和贴
装表面之间的间隙。结构特征详见图8-8。
8 . 6 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况
都存在。
8 . 6 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式应当按照以下参数:本体类型TO-236,8.0m m 载 带 /4.0m m 间距。
8 . 6 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个标准再流焊系统中的5 次循环。每次循环中,锡铅条件和
无铅条件下分别应当有10-30秒 或 20-40秒处于最高温度,高低差异在5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间,相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺,
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线,详 见 表 8-3。
8.7 S O T 8 9 这些部件适用于高功率晶体管和二极管。对支撑结构的热传递很重要的地方要使用到这些
部件。IPC-7352 SOT89元器件外形摘自JE D EC出版物9 5 中的外形TO-243的 “ C ” 类型。
8 . 7 . 1 基本 结 构 详 见 图 8-9。SOT89封装尺寸是为满足混合电路和印制电路表面贴装行业的要求而设计
的。为了提供一个正确的热传递路径,元器件本体和封装及互连结构之间没有任何间隙。这个设计也可
以适应再流焊或波峰焊工艺。
8 . 7 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况
都存在。
8 . 7 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式应当按照以下
参数:本体类型TO-243,12.0mm载带/8.0mm间距。
8 . 7 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个
标 准 再 流 焊 系 统 中 的 5 次循环。每次循环中 ,
锡 铅 条 件 和 无 铅 条 件 下 分 别 应 当 有 10-30秒或
20-40秒处于最高温度,高低差异在5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间,相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺,
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线,详见 表 8-3。
8.8 SOD123 IPC-7352 SOD123元器件外形摘自JE D E C 出版物9 5 中的外形DO-214 “ B ” 类型。
8 . 8 . 1 基本 结 构 小型二极管有两种结构形式。一种 是 翼 形 引 线 (S O D 1 2 3 )结构,如 图 8-10所示。另一
种是有端子的模制结 构(DIOSMB)。
8 . 8 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况都存在。
IPC-7351b-8-09-cn
图 8-9 SO T89结构
IPC-7351b-8-08-cn
图 8-8 SO T23结构
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8 . 8 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式是卷带和
卷轴;12.0mm载 带 /8.0m m 间距
8 . 8 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个
标准再流系统中的5 次循环。每次循环中,锡铅
条件和无铅条件下分别应当有10-30秒 或 20-40
秒处于最高温度,高低差异在5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸
入时间,相应时间和温度见表8-2。如果用到再
流焊工艺,IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示
了再流条件的适合周期和曲线,详 见 表 8-3。
8.9 S O T 1 4 3 这些部件是用两个二极管和复合
晶体管组成的。IPC-7352 SOT143元器件外形摘
自JE D E C 出版物9 5 中的外形TO-253“ C ”类型 。
8 . 9 . 1 基本 结 构 尺寸特征是为了满足表面贴装行业要求而设计的。为了适应再流焊或波峰焊工艺,元
器件本体和封装及互联结构之间的间隙规定在0.05mm〜0.13mm[0.002in〜0.005in]。(见 图 8-11)
8 . 9 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况都存在。
8 . 9 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式应当按照以下参数:本体类型TO-253,8.0m m载 带 /4.0m m 间距。
8 . 9 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个标准再流焊系统中的5 次循环。每次循环中,锡铅条件和
无铅条件下分别应当有10-30秒 或 20-40秒处于最高温度,高低差异在5 ° C 之内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间,相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺,
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线,详 见 表 8-3。
8.10 S O T 2 2 3 这些部件是由两个二极管和复合
晶体管组成的。IPC-7352 SOT223元器件外形摘自
JED EC出版物9 5 中的外形TO-261 “ C ” 类型。
8 . 1 0 . 1 基本 结 构 该尺寸特征是为了满足表面
贴装行业的要求而设计的。为了适应再流焊或波
峰焊工艺,元器件本体和封装及互联结构之间的
空 隙 规 定 在 0.06mm[0.00236in]( 基 本 ),详见图
8- 12。
8 . 1 0 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况
都存在。
8 . 1 0 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式应当按照以
下参数:本体类型TO-261,12mm载带/8m m 间距。
8 . 1 0 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个标准再流焊系统中的5 次循环。每次循环中,锡铅条件和
无铅条件下分别应当有10-30秒 或 20-40秒处于最高温度,高低差异在5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间,相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺,
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线,详 见 表 8-3。
图 8-11 SOT143 结构
图 8-10 SOD123 结构
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