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2 0 1 0 年 6 月 I P C - 7 3 5 1 B C N 8 . 8 . 3 载 体 封 装 方 式 载 体 封 装 方 式 是 卷 带 和 卷 轴 ； 1 2 . 0 m m 载 带 / 8 . 0 m m 间 距 8 . 8 . 4 耐 焊 接 温 度 元 器 件 应 该 能 够 承 受 一 个 标 准 再 流 系 统 中 的 5 次 循 环 。 每 次 循 环 中 ， 锡铅 条 件 和 无 铅 条 件 下 分 别 应…
IPC-7351B CN
2010年 6 月
8.6 SOT23 S O T 元件属于第一批表面贴装的
封装有源元器件。表面贴装本体上有三个引线
端子伸出的塑封元器件，可克服在处理插装三
极管过程中遇到的一些问题和困难。总体来说，
SOT封装多用于二极管、晶体管和小型I/O 器件。
SOT23封装是最常见的三引线表面贴装结构。
8 . 6 . 1 基 本 结 构 为符合混合电路板和印制电
路板表面贴 装 行 业 的 要 求 ，SOT23封装进行了
多次的再设计。这些改动最终形成了低、 中、
高三个外形特征，基本上反映了元件本体和贴
装表面之间的间隙。结构特征详见图8-8。
8 . 6 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况
都存在。
8 . 6 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式应当按照以下参数：本体类型TO-236，8.0m m 载 带 /4.0m m 间距。
8 . 6 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个标准再流焊系统中的5 次循环。每次循环中，锡铅条件和
无铅条件下分别应当有10-30秒 或 20-40秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺，
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详 见 表 8-3。
8.7 S O T 8 9 这些部件适用于高功率晶体管和二极管。对支撑结构的热传递很重要的地方要使用到这些
部件。IPC-7352 SOT89元器件外形摘自JE D EC出版物9 5 中的外形TO-243的 “ C ” 类型。
8 . 7 . 1 基本 结 构 详 见 图 8-9。SOT89封装尺寸是为满足混合电路和印制电路表面贴装行业的要求而设计
的。为了提供一个正确的热传递路径，元器件本体和封装及互连结构之间没有任何间隙。这个设计也可
以适应再流焊或波峰焊工艺。
8 . 7 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况
都存在。
8 . 7 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式应当按照以下
参数:本体类型TO-243，12.0mm载带/8.0mm间距。
8 . 7 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个
标 准 再 流 焊 系 统 中 的 5 次循环。每次循环中 ，
锡 铅 条 件 和 无 铅 条 件 下 分 别 应 当 有 10-30秒或
20-40秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺，
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详见 表 8-3。
8.8 SOD123 IPC-7352 SOD123元器件外形摘自JE D E C 出版物9 5 中的外形DO-214 “ B ” 类型。
8 . 8 . 1 基本 结 构 小型二极管有两种结构形式。一种 是 翼 形 引 线 （S O D 1 2 3 )结构，如 图 8-10所示。另一
种是有端子的模制结 构（DIOSMB)。
8 . 8 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况都存在。
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图 8-9 SO T89结构
IPC-7351b-8-08-cn
图 8-8 SO T23结构
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8 . 8 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式是卷带和
卷轴；12.0mm载 带 /8.0m m 间距
8 . 8 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个
标准再流系统中的5 次循环。每次循环中，锡铅
条件和无铅条件下分别应当有10-30秒 或 20-40
秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸
入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再
流焊工艺，IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示
了再流条件的适合周期和曲线，详 见 表 8-3。
8.9 S O T 1 4 3 这些部件是用两个二极管和复合
晶体管组成的。IPC-7352 SOT143元器件外形摘
自JE D E C 出版物9 5 中的外形TO-253“ C ”类型 。
8 . 9 . 1 基本 结 构 尺寸特征是为了满足表面贴装行业要求而设计的。为了适应再流焊或波峰焊工艺，元
器件本体和封装及互联结构之间的间隙规定在0.05mm〜0.13mm[0.002in〜0.005in]。（见 图 8-11)
8 . 9 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况都存在。
8 . 9 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式应当按照以下参数：本体类型TO-253，8.0m m载 带 /4.0m m 间距。
8 . 9 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个标准再流焊系统中的5 次循环。每次循环中，锡铅条件和
无铅条件下分别应当有10-30秒 或 20-40秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 之内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺，
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详 见 表 8-3。
8.10 S O T 2 2 3 这些部件是由两个二极管和复合
晶体管组成的。IPC-7352 SOT223元器件外形摘自
JED EC出版物9 5 中的外形TO-261 “ C ” 类型。
8 . 1 0 . 1 基本 结 构 该尺寸特征是为了满足表面
贴装行业的要求而设计的。为了适应再流焊或波
峰焊工艺，元器件本体和封装及互联结构之间的
空 隙 规 定 在 0.06mm[0.00236in]( 基 本 ），详见图
8- 12。
8 . 1 0 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况
都存在。
8 . 1 0 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式应当按照以
下参数:本体类型TO-261，12mm载带/8m m 间距。
8 . 1 0 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个标准再流焊系统中的5 次循环。每次循环中，锡铅条件和
无铅条件下分别应当有10-30秒 或 20-40秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺，
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详 见 表 8-3。
图 8-11 SOT143 结构
图 8-10 SOD123 结构
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2010年 6 月
8.11 D PA K 类 型 （TO) 这 些 部 件 是 由 两 个
二极管 和 复合 晶 体管 组 成 。IPC-7352 T 0 2 5 2 元
器 件 外 形 摘 自 JE D E C 出 版 物 9 5 中 的 外 形 TO-
252 “ B ” 类型。
8 . 1 1 .1 基 本 结 构 详 见 图 8-13, DPA K元件独
特的结构组成为：身体的一端为一组翼形引脚，
另一端为一个扁平引脚。
元件封装底部具有散热焊 盘，直接与印制板表
面接触 ，这是此类型元件的显著特征。在印制
板上进行焊接时，D PAK 元件可以通过这种方式
获得热传导途径从而达到 有效散热目的。详见
3.1.5.7热焊盘的钢网设计要求。
需要注意的是，较之本标准中的推荐值，元器件厂家通常会建议设计一个更大的热连接盘，并且增大铺铜区域。
8 . 1 1 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况都存在。
8 . 1 1 . 3 载 体 封 装 方 式 载体封装方式应当按照以下参数：本体类 型DPAK，12.0mm载 带 /8.0m m 间距
8 . 1 1 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个
标 准 再 流 焊 系 统 中 的 5 次 循环。每 次 循 环 中，
锡 铅 条 件 和 无 铅 条 件 下 分 别 应 当 有 10-30秒或
20-40秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸
入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再
流焊工艺，IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示
了再流条件的适合周期和曲线，详 见 表 8-3。
8 . 1 2 铝 电 解 电 容 （C A P A E ) 这类电解电容的
容 值 通 常 在 luF〜 1F 之间，工作电压可高达直流
几百伏特。电介质是一层很薄的氧化铝片。
8 . 1 2 . 1 基本 结 构 详 见 图 8-14。
8 . 1 2 . 2 标 识 部件上有标识和没有标识的情况
都存在。
8 . 1 2 . 3 载 体 封 装 方 式 散 装 杆 ，8.0mm载带
/4.0m m 间距是达到最佳操作条件的首选格式。
带卷规范文件提供了一些附加要求。
8 . 1 2 . 4 耐 焊 接 温 度 元器件应该能够承受一个
标 准 再 流 焊 系 统 中 的 5 次循环。每 次循 环 中，
锡 铅 条 件 和 无 铅 条 件 下 分 别 应 当 有 10-30秒或
20-4丨0 秒处于最尚温度，尚低差异在5°C 以内。
元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸
入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再
流焊工艺，IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详 见 表 8-3。
图 8-13 DPAK(TO) 类型
图 8 - 1 4 铝 电 解 电 容 （CAPAE) 的结构
IPC-7351b-8-12-cn
图 8-12 SOT223 结构
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