IPC-7351B CN_edit.pdf - 第72页

IP C -7 3 5 1 B CN 2 0 1 0 年 6 月 8 . 1 1 D P A K 类型（ T O ) 这些部件是由两个二极管和复合晶体管组成。 IP C - 7 3 5 2 T 0 2 5 2 元器件外形摘自 J E D E C 出版物 9 5 中的外形 TO- 2 5 2 “ B ” 类型。 8 . 1 1 . 1 基本结构详见图 8 - …

2010 年 6 月 IPC-7351BCN

8 . 8 . 3 载体封装方式载体封装方式是卷带和

卷轴；12.0mm载带 /8.0m m 间距

8 . 8 . 4 耐焊接温度元器件应该能够承受一个

标准再流系统中的5 次循环。每次循环中，锡铅

条件和无铅条件下分别应当有10-30秒或 20-40

秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 以内。

元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸

入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再

流焊工艺，IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示

了再流条件的适合周期和曲线，详见表 8-3。

8.9 S O T 1 4 3 这些部件是用两个二极管和复合

晶体管组成的。IPC-7352 SOT143元器件外形摘

自JE D E C 出版物9 5 中的外形TO-253“ C ”类型。

8 . 9 . 1 基本结构尺寸特征是为了满足表面贴装行业要求而设计的。为了适应再流焊或波峰焊工艺，元

器件本体和封装及互联结构之间的间隙规定在0.05mm〜0.13mm[0.002in〜0.005in]。（见图 8-11)

8 . 9 . 2 标识部件上有标识和没有标识的情况都存在。

8 . 9 . 3 载体封装方式载体封装方式应当按照以下参数：本体类型TO-253，8.0m m载带 /4.0m m 间距。

8 . 9 . 4 耐焊接温度元器件应该能够承受一个标准再流焊系统中的5 次循环。每次循环中，锡铅条件和

无铅条件下分别应当有10-30秒或 20-40秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 之内。

元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺，

IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详见表 8-3。

8.10 S O T 2 2 3 这些部件是由两个二极管和复合

晶体管组成的。IPC-7352 SOT223元器件外形摘自

JED EC出版物9 5 中的外形TO-261 “ C ” 类型。

8 . 1 0 . 1 基本结构该尺寸特征是为了满足表面

贴装行业的要求而设计的。为了适应再流焊或波

峰焊工艺，元器件本体和封装及互联结构之间的

空隙规定在 0.06mm[0.00236in]( 基本），详见图

8- 12。

8 . 1 0 . 2 标识部件上有标识和没有标识的情况

都存在。

8 . 1 0 . 3 载体封装方式载体封装方式应当按照以

下参数:本体类型TO-261，12mm载带/8m m 间距。

8 . 1 0 . 4 耐焊接温度元器件应该能够承受一个标准再流焊系统中的5 次循环。每次循环中，锡铅条件和

无铅条件下分别应当有10-30秒或 20-40秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 以内。

元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺，

IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详见表 8-3。

图 8-11 SOT143 结构

图 8-10 SOD123 结构

IPC-7351B CN

2010年 6 月

8.11 D PA K 类型（TO) 这些部件是由两个

二极管和复合晶体管组成。IPC-7352 T 0 2 5 2 元

器件外形摘自 JE D E C 出版物 9 5 中的外形 TO-

252 “ B ” 类型。

8 . 1 1 .1 基本结构详见图 8-13, DPA K元件独

特的结构组成为：身体的一端为一组翼形引脚，

另一端为一个扁平引脚。

元件封装底部具有散热焊盘，直接与印制板表

面接触，这是此类型元件的显著特征。在印制

板上进行焊接时，D PAK 元件可以通过这种方式

获得热传导途径从而达到有效散热目的。详见

3.1.5.7热焊盘的钢网设计要求。

需要注意的是，较之本标准中的推荐值，元器件厂家通常会建议设计一个更大的热连接盘，并且增大铺铜区域。

8 . 1 1 . 2 标识部件上有标识和没有标识的情况都存在。

8 . 1 1 . 3 载体封装方式载体封装方式应当按照以下参数：本体类型DPAK，12.0mm载带 /8.0m m 间距

8 . 1 1 . 4 耐焊接温度元器件应该能够承受一个

标准再流焊系统中的 5 次循环。每次循环中，

锡铅条件和无铅条件下分别应当有 10-30秒或

20-40秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 以内。

元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸

入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再

流焊工艺，IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示

了再流条件的适合周期和曲线，详见表 8-3。

8 . 1 2 铝电解电容（C A P A E ) 这类电解电容的

容值通常在 luF〜 1F 之间，工作电压可高达直流

几百伏特。电介质是一层很薄的氧化铝片。

8 . 1 2 . 1 基本结构详见图 8-14。

8 . 1 2 . 2 标识部件上有标识和没有标识的情况

都存在。

8 . 1 2 . 3 载体封装方式散装杆，8.0mm载带

/4.0m m 间距是达到最佳操作条件的首选格式。

带卷规范文件提供了一些附加要求。

8 . 1 2 . 4 耐焊接温度元器件应该能够承受一个

标准再流焊系统中的 5 次循环。每次循环中，

锡铅条件和无铅条件下分别应当有 10-30秒或

20-4丨0 秒处于最尚温度，尚低差异在5°C 以内。

元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸

入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再

流焊工艺，IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详见表 8-3。

图 8-13 DPAK(TO) 类型

图 8 - 1 4 铝电解电容（CAPAE) 的结构

IPC-7351b-8-12-cn

图 8-12 SOT223 结构

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8 . 1 3 小外形二极管、扁平引脚（SODFL) / 小外形三极管、扁平引脚（SOTFL) 二极管、三极管和

M O S 管等此类元件用于热传导，电池管理及供电稳定化。IPC-7352 SODFL和 SO TFL的元器件外形摘自

JED E C 出版物9 5 中 D O -221的外形。

8 . 1 3 . 1 基本结构与 SOT89的封装类似，元器件本体和封装及互连结构之间没有任何间隙。不同于其他

的扁平引脚元件，元件引脚端子在本体下方并向外引出，这样的封装结构容易进行焊点的目检。封装可

以使用一个或多个不同尺寸的热焊盘。一个元件可以有不同大小的引脚。多引脚的 SOTFL元件引脚间距

最小为 0.5mm。详见图 8-15。

注：此类元件的焊盘通常设计0.00mm的脚跟宽度，为达到这个目的，板厂在印制板线路制作过程中通常

会釆用过蚀的方法，这种方法应该避免。因为过蚀会导致焊接面积不足，影响焊接效果。同时要注意SODFL/

SOTFL元件厂家会增大推荐连接盘盘的尺寸来对蚀刻进行补偿，如IPC-7351中连接盘设计已经考虑了这种补偿。

8 . 1 3 . 2 标识部件上有标识和没有标识的情况都存在。

8 . 1 3 . 3 载体封装方式散装杆，8.0mm载带 /4.0m m 间距是达到最佳操作条件的首选格式。带卷规范文

件提供了一些附加要求。

8 . 1 3 . 4 耐焊接温度元器件应该能够承受一个标准再流焊系统中的5 次循环。每次循环中，锡铅条件和

无铅条件下分别应当有 10-30秒或 20-40秒处于最高温度，高低差异在5 ° C 以内。

元器件还应该能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间，相应时间和温度见表8-2。如果用到再流焊工艺，

IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详见表 8-3。

IPC-7351b-8-15-cn

图 8-15 SODFL/SOTFL 结构

9 IPC-7353本体两面具有鸥翼形引线的元器件

双面翼形引线系列有许多封装尺寸。尽管本体尺寸有很大差异，该基本系列的共同特征是 1.27mm或

0.63m m 的引线中心距，以及矩形本体的较长两边布有引线。这个元器件系列范围已经有所扩大，覆盖了

0.80mm、0.65mm、0.50mm、0.40mm 和 0.30mm 间距的器件。

在元器件系列中，本体宽度和引线跨距是固定的，但是本体长度会随着引线数量的不同而变化。

这种封装形式的一个主要优点是，在依然提供相对高的密度的同时，可以在基板组装前进行预测试。相

比于双列直插封装DIP，它的优点是面积小、厚度小并且重量轻。该封装的边缘标识极性标识，以便于操

作和识别极性。

共面性是所有两面有翼形引线元器件面临的一个问题。概括地说，引线的共面性必须控制在0.1mm以内。也

就是说，当元器件被放置于一个平面时，（例如一个花岗岩块) ，所有引线离开平面的距离都不能超过0.1mm。