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2 0 1 0 年 6 月 I P C - 7 3 5 1 B C N 表 3 - 1 3 内 弯 扁 平 带 式 L 形 引 线 （ 模 制 电 感 、 二 极 管 和 极 性 电 容 ） （ 单 位 : 引线 部 位 最 大 （ 最 多 ） A 级 密 度 适 中 （ 正 常 ） B 级 密 度 最 小 （ 最 少 ） C 级 密 度 趾 部 （ J T ) ( 见 G 尺 寸 ) 0 . 2 5 0 . 1 5 0 . 0 7 跟…
IPC-7351B CN
2010 年 6 月
表 3 - 9 四形片式阵列元器件引线封装（单位：min)
引线部位 最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.55 0.45 0.35
跟 部 (J H)
■ 5 4107 -CU0
侧 面 (J s )
-0.05 4107 -0.10
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1..00、1.05、：L10、1.15
装配余量
0.5 0.25 0.1
凹形片 式 阵 列 电阻（R E S C A C ) 结构和连接盘图形设计详见14.5.1节
凹形片 式 阵 列 电容（C A P C A C )结构和连接盘图形设计详见14.5.1.节
凹形片 式 阵 列 电感（IN D C A C )结构和连接盘图形设计详见14.5.1节
凹形片 式阵列振荡器 （O S C A C )结构和连接盘图形设计详见14.5.1节
表 3 - 1 0 凸形片式阵列元器件引线封装（单 位 ：mm)
引线部位
最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （止:常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.55 0.45 035
跟 部 （JH)
4105 4107 -dlO
侧 面 (J s )
4105 -0.07 -(U0
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、1.10、L15
装配余量
0 J 0.25 0.1
E 型 凸形片式 阵列电阻 （R E S C A X E )结构和连接盘图形设计详见14.5.2节
S 型 凸 形片式阵 列 电阻（R E S C A X S )结构和连接盘图形设计详见1 4 1 2 节
表 3 - 1 1 扁平片式阵列元器件引线封装（单 位 ：mm )
引线部位 最 大
（最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.55 0.45 035
跟 部 (J H)
-0.05 ^0.07 -0.10
侧 面 (J s )
-0.05 4107 -0.10
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1..00、1.05、：L10、1.15
装配余量
0.5 0.25 0.1
扁平芯片阵列电阻 （R E S C A F ) 结构和连接盘图形设计详见14.5,3节
扁 平 芯 片 阵 列 电 容 （C A P C A F )结构和连接盘图形设计详见1 .4 1 3 节
扁 平 芯 片 阵 列 电 感 （IN D C A F )结构和连接盘图形设计详见14.5.3节
表 3-12 直 插 连 接 （单 位：mm)
引线部位
最 大 （最多）
A 级密度
适 中 ( : £ 常 )
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
1.0 0.8 0.6
跟 部 （JH)
1.0 0.8 0.6
侧 面 （Js )
03
0.2 0
.1
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1,00、1,05、1,10、1.15
装配余量
1.5 0.8
0.2
双列直插安 装 元 器件（D I P B ) 结构和连接盘图形设计详见13.0节
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2010年 6 月 IPC - 7351BCN
表 3 - 1 3 内弯扁平带式L 形 引 线 （模制电感、二极管和极性电容）（单位:
引线部位 最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT) ( 见 G 尺寸)
0.25 0.15 0.07
跟 部 （JH) ( 见 Z 尺 寸)
0.8 0.5
0.2
侧 面 （Js)
0.01 »0.05 ■0:10
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、L10、1.15
装配余量
0.5 0.25 0 J
模 制 极 性 电 容 （C A P M P )结构和连接盘图形设计详见8 .4 节
模 制 电 感 （IN D M .)结构和连接盘图形设计详见8 .4 节
模 制 二 极 管 C DIO M :)结构和连接盘图形设计详见8 .4 节
表 3 - 1 4 扁 平 焊 片 引 线 （单位:
引线部位 最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.55 0.35 0.15
跟 部 （JH)
0.45 0.35 0.25
侧 面 (Js)
0.05 0.03 0.01
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、1.1.0、1.15
装配余量
0.5 0.25 0.1
普 通 DPAK ( T O ) 结构和连接盘图形设计详见8.11节
注 1 : 取决于热要求。
表 3 - 1 5 方 形 扁 平 无 引 线（单 位 ：mm)
引线部位 最 大
（最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.40 0.30 0.20
跟 部 （JH)
0.00 0.00 0.00
侧 面 （Js)
■0.04 摘 4 »0.04
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、L10、1.15
装配余量
0.5 0.25 0.1
方 形 扁 平 无 引 线 （Q F N ) 结^
f勾和连接盘图形设计详见15.2节
注 1 : 理论上比较大的负跟部使得引线长度的公差也较大。为了保持最小的0,20m m到热片的间隙，有必要修改跟部到-0.2mm。
没有热片，跟部通常可以增加到0.50mm。
表 3 - 1 6 小 外 形 无 引 线 （单位：mm)
引线部位 最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.40 030 020
跟 部 (JH)
0.00 0.00 0.00
侧 面 （Js)
-0.04 ^0.04 -0.04
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、1.10、L15
装配余量
0.5 0.25 0.1
小 外 形 无 引 线 （S O N ) 结构和连接盘图形设计详见15.3节
注 1 : 如有热片，跟部通常可增至0.1mm。
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IPC-7351B CN
2010年 6 月
表 3 - 1 7 球栅 阵 列 元 器 件 （单位：mm)
引线部位 最 大
（最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
四周可塌落的球
比标称球直径减小25 % 比标称球直径减小20 % 比标称球直径减小15 %
四周非塌落的球或柱
比标称球或柱直径增加15 % 比标称球或柱直径增加10 %
比标称球或柱直径增加5 %
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、1.10、1.15
装配余量
2.00 1.00 0.50
球栅阵列元器件（B G A )结构和连接盘图形设计详见14.1.1和 14.1.2节
表 3 - 1 8 引线为回缩型的小外形方形扁平无引线（单位：mm)
引线部位
最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
四周
0.05 0.00 -0.05
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、1.10、1.15
装配余量
0.5 0.25 0.10
引线为回缩型的小外形无引线（P S O N )结构和连接盘图形设计详见15.4节
引线为回缩型的方形扁平无引线（P Q F N ) 结构和连接盘图形设计详见15.4节
双列小外形无引线（D F N ) 结构和连接盘图形设计详见15.5节
表 3 - 1 9 凹形角振荡器引线封装（单位：mm)
引线部位
最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
外部周围1
0.35 0.25 0.15
内部周围2
0.10 0.0 -0.05
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、1.10、1.15
装配余量
0.5 0.25 0.10
凹形角振荡器（O S C C C )结构和连接盘图形设计详见14.5.1节
注 1 : 与元器件体外有关的焊盘边缘。
注2,:元器件体下的焊盘边缘。
表 3 - 2 0 铝电解电容和2 管脚 晶 振 （单位：mm)
引线部位
最 大 （最多）
A 级密度
适 中 （正常）
B 级密度
最 小 （最少）
C 级密度
趾 部 （JT)
0.70 0.50 0.30
10.0mm或更高 1.00 0.70 0.40
跟 部 (JH)
0.00 -0.10 -0.20
10.0mm或更高 0.00 -0.05 -0.10
侧 面 (Js)
0.50 0.40 0.30
10.0mm或更高 0.60 0.50 0.40
舍入因子
四舍五入到小数点最接近的两位，即 1.00、1.05、1.10、1.15
装配余量
1.00 0.50 0.25
铝电解电 容（C A P A E )结构和连接盘图形设计详见8.12节
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