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2 0 1 0 年 6 月 I P C - 7 3 5 I B CN 表 1 1 - 1 本 体 四 面 具 有 鸪 翼 形 引 线 的 元 器 件 的 可 焊 性 测 试 J - S T D - 0 0 2 中 的 测 试 方 法 A / A 1 J - S T D - 0 0 2 中 的 测 试 方 法 D 蒸 汽 老 化 默 认 值 焊 料 槽 / 浸 入 和 观 察 测 试 （ 有 引 线 元 器 件 和 标 准 金 属 线 ）…
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2010 年 6 月
10.4 :-n 艺 考 虑 J 形引线封装通常情况下都釆用标准再流焊工艺。部件应该能够承受一个标准再流焊系
统 中 的 1.0次循环。每次循环中，锡铅条件和无铅条件下分别应当有1.0-30秒 或 20-40秒处于最高温度，
局低差异在5 ° C 以内。
零件还必须能够承受在一定时间和温度下浸入熔融焊料的最短时间，详 见 表 10-2如果釆用再流焊接工艺，
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详 见 表 1.0-3。除此之外，湿度敏感性
等 级 （M S L ) 应当符合J-STD-020标准中的定义，从而合理确立元器件的现场寿命。
表 1 0 - 2 可焊性、浸入方法：测 试 严 格 条 件 （时间和温度)
合金组成
严格条件
(2 1 5 ± 3 ) °C (2 3 5 ± 5 ) °C (2 4 5 ± 5 ) °C (2 5 0 ± 5 ) °C
(3+/0.3) s (1.0± l)s (2+/0.2) s (5 ± d 5 )s (3 +/03 ) s (3 + /0 3) s
SnPb
.X .X X. X
Sn96.5Ag3„0Cu0.5 X
Sn99.3Cu.0J
X
以上合金选择仅用于测试需要。含有3.0w t% 到 4.0w t% 银，0.5w t% 到 1.0wt%铜，其余都为锡的焊料合金可以取代
Sn96.5Ag3.0Cu0.5o含 有 0.45w t%到 0.9w t% 铜 ，其余都为锡的焊料合金可以取代Sn99,3Cu0.7。
注 1 : “ X ” 代表适用。
注 2 : 合金组成的定义请参阅IPC-J-STD-006。
注 3 : 本表中所列举的基本无铅焊料合金是目前比较适用于无铅焊接工艺的。如果所使用的焊料合金未列在此表中，应该证明所
列的严格条件也是适用的。
表 1 0 - 3 封装最高再流温度
再流条件
封装厚度> 2 .5 m 或
封装体积> 350mm3
封装厚度< 2 3 匪醒或
封装体积< 350丽丽3
锡铅共晶
对流 225+0A5°C 对流 240+0/-5°C
无铅
对流 245+0 °0 对流 260+0 °0
注 1 : 封 装体积不包 括外部端 子（焊料球、凸点、连接盘和引线）和 / 或独立的散热层。
注 2 : 再流焊中达到的最大元器件温度取决于封装厚度和体积。对流再流焊工艺的使用缩小了封装之间的热梯度。但是 ，表面贴
装 器 件 （S M D )贴装的热容量不同引起的热梯度依然存在。
注 3 : 预 期 使 用 “ 无 铅” 组装工艺的元器件应当用定义的“ 无 铅” 最高温度和曲线进行评估。
11 IPC -7355本体四面具有鹃翼形引线元器件
四面_ 翼形元器件是由一个四面都有鸥翼形引线的正方形或矩形封装而得名。这个系列有模制塑料和陶
瓷体外壳两种类型。缩 写 Q F P , 包 括 PQFP ( 塑料方形扁平封装) 、 BQFP ( 带护耳的 Q F P 封 装 ）和 CQFP
( 陶 瓷 Q F P 封装）都是用来形容这个系列元器件的名称代号。
这个系列元器件的引线间距从L27.m.m到 0,30m m不等。这个系列中有高引线密度的封装，适用于复杂的
高引线密度的芯片。
本体四面具有鸥翼形引线的元器件系列通常标识有生产商部件编号、生 产商名称或标志以及1 脚位置指
示 。有些部件 没 有1 脚标识，而是在外壳上有1 脚标识。附加标识可能包括日期代码/ 生产批号和/ 或生
产地址。
引线端子上应当涂上一层表面处理剂，起到保护作用并且维持可焊性。对引线端子的评估应当使用IPC
J-STD-002中描述的方法。用户和供应商之间如果没有其他的协议，则 A /A 1和 D 应当为默认的测试方法。
用户和供应商需要对IPC-J-STD-002中定义的涂覆层耐久性要求达成一致。如果没有提供，那 么 IPC-J-
STD -002中 的 “ 典型涂覆层耐久性等级3 ” 成为表面处理剂的默认条件，详 见 表 11-1。
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表 1 1 - 1 本体四面具有鸪翼形引线的元器件的可焊性测试
J-S TD -002中的测试方法A/A1
J-STD -002中的测试方法D
蒸汽老化默认值
焊 料 槽 / 浸 入 和 观 察 测 试 （有
引线元器件和标准金属线）
抗溶 蚀 /金属层退润湿测试
类 别 3，蒸汽条 件下8h±15m m
镀层可能由锡铅合金组成，也可能是其无铅替代物。如果使用的是锡铅，焊料应该含有58%-68% 的锡。
端子上的表面涂层可以使用热浸法或使用电镀溶液。电镀后的端子应该能够进行电镀后再流焊操作，使
焊料溶化。如果使用锡铅表面涂层，其厚度应该至少达到0.0075mm[(I0003iii]。
端子应当是对称的，并且不应当有结瘤、结块和突出等等会影响元器件的对称性和尺寸公差的瑕疵。末
尾端子应当覆盖元器件的末端，并且应当延伸至元器件的顶部和底部。
在贵重金属电极上使用焊料时，在电极金属层和焊料之间应当有一层扩散阻挡层。阻挡层应该是镍或者
同性质替代物，并且其厚度应该至少达到(X00125mm[0.00005in]。
本体四面具有鸥翼形引线的元器件系列通常情况下都釆用标准再流焊工艺。元器件应该能够承受一个标
准再流焊系统中的1 0 次循环。每次循环中，锡铅条件和无铅条件下分别应当有10-30秒 或 20-40秒处于
最高温度，高低差异在5 ° C 以内。
部件还必须能够在熔融焊料中达到最低的浸入时间，相应时间和温度见表11-2。如果釆用再流焊接工艺，
IPC/JEDEC J-STD-020中的要求显示了再流条件的适合周期和曲线，详 见 表 11-3。除此之外，湿度敏感性
等 级 （M S L ) 应当符合J-STD-020标准中的定义，从而合理确立元器件的现场寿命。
表 1 1 - 2 可焊性、浸入方法：测 试 严 格 条 件 （时间和温度)
合金组成
严格条件
(215 + 3) °C
(3 + /0 3) s (1 0 ± l)s
(2 3 5 ± 5 ) °C
(2+/0.2) s (5 ± d 5 )s
(2 4 5 ± 5 ) °C
(3+ /03 ) s
(2 5 0 ± 5 ) °C
(3+ /03 ) s
SnPb
X X X X
Sn96.5Ag3.0Cu0.5
X
Sn993Cu.0.7
X
以上合金选择仅用于测试需要。含有3 .( ^ 〖％到4 1 ^ 1 % 银、0.5贾1 % 到 1.0胃〖％铜，其余都为锡的焊料合金可以取代
Sn96 jA .g3,0C ud5。含 有 0,45wt% 到 0,9wt% 铜 ，其余都为锡的焊料合金可以取代Sn99,3Cud7。
注 1 : “ X ” 代表适用。
注 2 : 合金组成的定义请参阅IPC-J-SHM )06。
注 3 : 本表中所列举的基本无铅焊料合金是目前比较适用于无铅焊接工艺的。如果所使用的焊料合金未列在此表中，应该证明所
列的严格条件也是适用的。
表 1 1 - 3 封装最高再流温度
再流条件
封装厚度> 2 .5m m 或
封装体积> 350mm3
封装厚度< 2 .5m m 或
封装体积< 350醒歷3
锡铅共晶
对流 225+0/-5°C 对流 240+0/-5°C
无铅
对流 245+0 ° C 对流 260+0 ° C
注 1 : 封装体积不包括外 部端子 （焊料球、凸点、连接盘和引线）和 / 或独立的散热层。
注 2 : 再流焊中达到的最大元器件温度取决于封装厚度和体积。对流再流焊工艺的使用缩小了封装之间的热梯度。
但是，表 面 贴 装 器 件 （S_MD)贴装的热容量不同引起的热梯度依然存在。
注 3 : 预 期 使 用 “ 无 铅” 组装工艺的元器件应当用定义的“ 无铅” 最高温度和曲线进行评估。
所有元件都应当标识有元件编号和索引区域。索引区域应当指明1 脚的位置。
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IPC-7351b-ll-02-cn IPC-7351b-ll-03-cn
图 11-2 Q F P 结构
图 11-3 CQFP结构
注 ：本体四面具有鸥翼形封装通常釆用再流焊工艺。高引线密度细间距元件可能需要在基本贴装和再流
制造操作之外进行特殊的工艺流程。某些情况 下，贴装、切割和再流工艺的独立操作可以代替传统的
SM T工艺。
11.1 BQFP 或 PQFP 见图 11-1。 BQFP 的 引 线
中 心 距 为 0.635mm。IPC-7355 B Q FP元器件外形来
源 于 JED EC第 9 5 出 版 物 中 的 外 形 M O-069和 MO-
086。
1 1 . 1 .1 载 体 封 装 方 式 B Q F P 的载体封装方式是管
装 ；但是，托盘封装可以提供最佳的处理条件。
11.2 Q F P 扁 平 封 装 （QFP) 是为了适应低厚度和
高密度的要求而开发的。和 SO P —样 ，Q F P 元器件
多用于存储卡技术。正 方 形 Q F P 系列的引线中心距
有 0.80mm、0.65mm、0.63mm、0.40mm 或 0.30mm
几种。IPC-7375 Q F P 元器件外形来源于JED EC第 9 5 出版物中的外形MO-108。
元件封装底部具有散热焊盘，直接与印制板表面接触，这 是 Q F P 系列元件的显著特征。在印制板上进行
焊接时，Q F P 元件可以通过这种方式获得热传导途径从而达到有效散热目的。也有 些 Q FP 元件没有热焊
盘引脚。详 见 3.1.5.7热焊盘的钢网设计要求。
每个封装有两种不同的引脚数量可供选择，元器 件 还 是 会 符合标准（例如：一个 间距为0.3m m 的 5X 5封
装 可 以 有 5 6 或 4 8 个引脚，还是 符 合 EIAJ-7404-1标 准 ）。方 形 扁 平 封 装 （Q F P ) 也是正方形的，且有更
大的间距。（见 图 11-2)
1 1 . 2 . 1 载 体 封 装 方 式 扁平封装的载体封装方式可能是管装；但是，在很多情况下，扁平封装使用托盘
作为载体。
11.3 C Q F P 见 图 11-3中的陶瓷 方 形扁平 封 装 （C Q F P )结构。有引线陶瓷芯片载体通常有一个用于放
芯片的腔体。围绕这个腔体用陶瓷或者玻璃料焊接、用环氧树脂粘合或玻璃原料密封，以达到密封效果。
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