IPC-7093 CN 2011 底部端子元器件(BTC)设计和组装工艺的实施.pdf - 第115页
SRAM ( Static Random Access Memory ) 静 态 随 机 存取 内 存 SSO ( Synchronously Switching Output ) 同 步 开关 输 出 TA B ( T ape Automatically Bonding ) 载 带 自动 键 合 TBBP A ( T etrabromobisphenol A ) 四 溴 双 酚－ A T d ( Decomposition T emp…
LGA (Land Grid Array)
盘栅阵列
LMC (Least Material Condition)
最小材料条件
MCM (Multichip Module)
多芯片模块
MCM-L (Multichip Module-Laminate)
多芯片模块-层压板
MCP (Multichip Package)
多芯片封装
MD (Metal Defined)
指定金属
MDS (MDS Device Subassembly)
多元器件子组件
MLC (Multilayer Ceramic)
多层陶瓷
MMB (Moisture Membrane Bag)
隔潮袋
MMC (Maximum Material Conditions)
最大材料条件
MSL (Moisture Sensitivity Level)
湿敏等级
SMD (on Solder Mask Defined)
非阻焊限定
OEM (Original Equipment Manufacturer)
原始设备制造商
OSP (Organic Solderability Preservative)
有机
可焊性保护
PBB (Polybrominated Biphenyl)
多溴化联二苯
PBBO (Polybrominated Biphenyl Oxide)
多溴联苯氧化物
PBDE (Polybrominated Diphenyl Ether)
多溴联苯醚
PBGA (Plastic Ball Grid Array)
模封球栅阵列
PCA (Printed Circuit Assembly)
印制电路组装
PCB (Printed Circuit Board)
印制电路板
PCM (Phase Change Materials)
相变材料
PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)
塑料有引线芯片载体
PSA (Pressure Sensitive Adhesive)
压敏粘胶剂
PTH (Plated Through Hole)
镀覆孔
QF (Quad Flat o-Lead)
方形扁平无引线
QFP (Quad Flat Pack)
方形扁平封装
RDS (Rectangular Die Size)
矩形芯片尺寸
RF (
Radio Frequency)
射频
RFID (Radio Frequency Identification)
射频标识
RMS (Root Mean Square)
均方根
RoHS (Restriction of Harmful Substance)
有害物质限制
SDRAM (Synchronous Dynamic Random
Access Memory)
同步动态随机存取内存
SMD (Solder Mask Defined)
阻焊限定
SMOBC (Solder Mask Over Bare Copper)
裸铜上覆盖阻焊膜
SMT (Surface Mount Technology)
表面贴装技术
SO-DIMM (Small Outline-Dual In-Line
Memory Module)
小外形双排直列内存模组
SOIC (Small Outline Integrated Circuit)
小外形集成电路
SO (Small Outline o-Lead)
小外形无引线封装
SPC (Statistical Process Control)
统计过程控制
IPC-7093-C 2011年3月
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SRAM (Static Random Access Memory)
静态随机存取内存
SSO (Synchronously Switching Output)
同步开关输出
TAB (Tape Automatically Bonding)
载带自动键合
TBBPA (Tetrabromobisphenol A)
四溴双酚－A
T
d
(Decomposition Temperature )
分解温度
TFBGA (Thin Profile Fine Pitch Ball
Grid Array)
薄形细间距球栅阵列
T
g
(Transition Temperature)
转化温度
TIM (Thermal Interface Temperature)
热界面温度
UFPT (Ultra Fine Pitch Technology)
超细间距技术
UtRAM (Uni-Transistor Random
Access Memory)
单晶随机存取内存
UUT (Unit Under Test)
待测试产品
UV (Ultraviolet)
紫外
VFBGA (Very-Thin Profile Fine-Pitch
Ball Grid Array)
极薄外形细间距球栅阵列
11 参考⽂献
1. D. Bernard and B. Willis, Common Process
Defect Identification of QF Packages Using
Optical and X-Ray Inspection. SMTAI Proceed-
ings, 2007
2. F. Schuler, M. Rosch, Johannes Horber, Klaus
Feldmann, Reliability Aspects of Electronic
Devices for Advanced Packages, Circuit World,
Vol 34, o 3, 2008.
3. A. Syed, and W. J. Kang, Board Level Assembly
And Reliability Considerations For Qfn Type
Packages, SMTAI Proceedings, 2003
4. Engelmaier, W., Surface Mount Solder Joint
Reliability: Issues, Design, Testing, Prediction,
Workshop otes, Engelmaier Associates, Inc.,
Mendham, J, 1995.
2011年3月 IPC-7093-C
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附录A
⾦相处理
引⾔
制 备 锡铅 焊 点对 于金相评估来 说需要格外注
意。样品由高硬度(铜-锡)金属间化合物粒子构
成，这些粒子散布在非常软的基材(铅、铅-锡)
上。将这不均匀的物质涂在铜或铁合金硬基材
料上。在达到环氧灌胶材料或热塑性灌胶材料
固化期间的温度，铅锡基质会再结晶。所以推
荐使用固化或制备时温升尽可能
低的聚酯和丙
烯酸灌胶材料。要特别注意在浅表层没有出现
变形和损坏的结构。
金相样品的准备、灌胶和打磨的总要求可在IPC-
TM-650，2.1.10和IPC-MS-810，2.1.1.2上找到。
“Guidelines for High Volume Microsection”和
Leco公司的“金相显微镜原理和程序”也包含有
ASTM E407-70和ASTM E340-68的内容。此外，
ITRI出版物580第5-12页对锡铅焊点破坏性物理
分析(DPA)有启发意义。
A1 切割 金相样品准备的第一步是分离要灌
胶的元器件或焊点。
采用宝石锯、刨锯、磨切
机或类似的切割设备来取走样品。第一步应该
要考虑几个因素：
1. 切割位置：取样时必须格外小心，不能太靠
近切割到感兴趣的焊点。但是，切割应该足
够靠近而不需要过多的打磨。如有疑问，留
出少些多余的材料。通常离感兴趣点留有2.5
mm的材 料是充足的。
2. 夹具：必须小心在夹持样品切割时不要损坏
样
品。
3. 切割速度：应该维持平稳的给料速率和压力以
避免损坏样品。切割时必须避免样品的振动。
4. 切割液体：油、水或其它冷却液体应该可用
于打磨片，尤其是金刚石打磨片。切割液主
要有两方面的目的：
a) 带走碎屑以有效去除切割。
b) 带走切割时产生的热量。当需要干切时，
必须极为小心避免产生的热量可能
影响样
品，尤其是焊点或聚酯材料。选择的冷却
液应该是容易且能够被彻底清除的样品，
这样密封的环氧树脂才能贴合样品表面。
5. 陶瓷预防：由于高硬度，氧化铝陶瓷样品在
切割和研磨时需要使用金刚石切割设备。同
时，铍和氧化铍材料会产生有毒粉尘，必须
禁止干切。
A2 灌胶 用于研磨和抛光的样品应该
使用坚
硬的介质材料进行密封，以获得扁平、均匀的
表面来保护焊点。必须注意确保灌胶流程不会
改变焊点的微结构。板上电镀铜或镍能够大大
保护变形的材料。两种灌胶的方法是：
1. 快速灌胶：此类封装方法可使用热塑性材质
如有机玻璃，一般是不完全透明的。在填充
小孔穴和粘贴样品方面，效果可能不如慢灌
胶。然而，一次快速灌胶通常准备时间约
只
需5-15分钟。在快速封装系统产生的热量随
着产品的不同变化很大。
2. 慢速灌胶：这种一般用环氧化物作为灌胶介
质。真 空 浸渍技术能用 来 去除气泡以改善
密封剂流入密闭空间。一些密封剂必须在60-
90°C下固化，其它的可在室温下固化，但通过
放热反应会产生更高的温度。通过空模实验
将会知道是
否这是个问题。在水盆里固化会
帮助带走过量的热。灌胶时间将需1-8小时，
这取决于产品和固化条件。
A3 灌胶准备 当灌胶样品时，重要的是方向
正确。正确的方向取决于研磨和抛光设备和技
术。实践将确定什么能做，什么不能做。这里
有两个基本的灌胶方法：
1. 垂直灌胶：既可以用胶水粘贴到模具底面也
可用特殊的夹子使样品相对于模具底部垂直
夹持。密封剂然后浇入模具直至充满。
2. 半灌胶：样品水平放置于半充满且已固化密
封剂的模具中。然后给模具充满密封剂让其
固化。样品从侧面进行研磨，这可能不适合
于某些自动化设备。如果这是个问题，应该
使用垂直灌胶。注：本研磨和抛光流程是基
于手
工操作样品的观点而写的。但是，对于
自动化处理流程，大部分概念是适用的，但
要试图调整两流程之间的差异。
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