KE-2070_2080 動作説明書.pdf - 第105页

R e v 1 . 00c 动作说明书 5- 13 3、 DIPSW2(8bit) 1 2 3 4 5 6 7 8 ON B i t4∼1;基板組機能R EV .設定 B i t8∼5;基板パ ターン R EV . 設定 *O N 側;1、O F F 側;0 *基板R E V . 管理表に 従い 設定す る 。 ON 侧: 1 ; OFF 侧: 0 根据电路板 REV. 管理表设定。 设定电路板组功能 REV. 设定电路板图案 REV…

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Rev1.00c
动作说明书
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DIP SW的说明
DIP SW的意义如下。
1、 DIPSW4(4bit)
1
2
3
4
ON
Bit 3 2 1
L L L ;A/D変換データ手動設定時Z1バキュームレベル選択
L L H A/D変゙ータ手動設定時Z2バキュームレベ選択
L H L A/D変゙ータ手動設定時Z3バキュームレベ選択
L H H ;A/D変換データ手動設定時Z4バキュームレベル選択
H L L A/D変゙ータ手動設定時Z5バキュームレベ選択
H L H ;A/D変換データ手動設定時Z6バキュームレベル選択
H H L ;A/D変換データ手動設定時Z7バキュームレベル選択
H H H A/D変換データ手動設定時Z7ホインサレベル選択
Bit 4
L A/D変換テータ手動設定
H A/D自動設定
*ON側;LOFF側;H
*通常設定は、全てOFF
2、 DIPSW1(8bit)
1
2
3
4
5
6
7
8
ON
Bit7∼1;各Z軸の減速センサ有効/無効設定
Bit 1 ;L1、L;無効、H;有効
2 ;L2、L;無効、H;有効
3 ;L3、L;無効、H;有効
4 ;L4、L;無効、H;有効
5 ;L5、L;無効、H;有効
6 ;L6、L;無効、H;有効
7 ;R1、L;無効、H;有効
Bit 8
L 全軸バキューム/ブロー繰り返
H 通常動作
*ON側;LOFF側;H
*通常設定は、以下の通り
2070 KE−2080
1
2
3
4
5
6
7
8
ON
1
2
3
4
5
6
7
8
ON
A
/D 变换数据手动设定时选择 Z1 真空电平
A
/D 变换数据手动设定时选择 Z2 真空电平
A
/D 变换数据手动设定时选择 Z3 真空电平
A
/D 变换数据手动设定时选择 Z4 真空电平
A
/D 变换数据手动设定时选择 Z5 真空电平
A
/D 变换数据手动设定时选择 Z6 真空电平
A
/D 变换数据手动设定时选择 Z7 真空电平
A
/D 变换数据手动设定时选择 Z7 点传感器电平
A
/D 变换数据手动设定
A
/D 变换数据自动设定
ON 侧:LOFF 侧:H
通常的设定均为 OFF
设定各 Z 轴的减速传感器有效/无效
L1L:无效;H:有效
L2L:无效;H:有效
L3L:无效;H:有效
L4L:无效;H:有效
L5L:无效;H:有效
L6L:无效;H:有效
R1L:无效;H:有效
全部轴真空/鼓风反复动作
通常动作
ON 侧:LOFF 侧:H
通常设定如下
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动作说明书
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3、 DIPSW2(8bit)
1
2
3
4
5
6
7
8
ON
Bit4∼1;基板組機能REV.設定
Bit8∼5;基板パターンREV.設定
*ON側;1、OFF側;0
*基板REV.管理表に従い設定す
ON 侧:1OFF 侧:0
根据电路板 REV.管理表设定。
设定电路板组功能 REV.
设定电路板图案 REV.
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真空值的换算
A/D变换的值换算成真空值的方法如下。
5V
1V
190
−760レベル
* A/Dの読込み値Dpに対する、バキューム値Pの算出方法
P=−((Dp−51)×760/204 )[レベル]
0∼5V −−−→ 0∼255(FFh)
1∼5V −−−→ 52∼255=204
0∼−760レベル −−−→ 52∼255
最小分解能=760/204≒3.725[レベル]
最小分辨率
A/ D
Dp
算真空
P
算方法