KE2000R动作说明书.pdf - 第28页
R e v 0 . 0 0 动作说明书 3-5 Z θ 轴动作 3-5-1. Z 轴的速度分 轴 1-1 中心为 LA 的轴、 θ 轴的速度分 轴 Z轴、 θ 轴的速度分 轴 吸附 传 的Z轴 识 装 传 的Z轴 θ 轴 元件 关轴 最小元件宽度 下降 上升 下降 上升 测定 测定外 典型的元件 Min ≤ W<0.45 中速 中速 高速2 高速2 高速 高速 0603 0.45 ≤ W<1.1 高速2 高速2 高速2 高速…
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3-4-2 VCS 识识元件的识装流程
KE-2060NC TR-5? ? VCS? ?
吸附 识 识
XY轴
VCS
Z轴
VAC
Θ轴
向吸附移动 停止
下降 吸附 上升
向VCS移 动
识 装角度(中速)
(卸载等待传 传 )
下降到识识 高度
摄像 演算
上升到XY移动到度
移动到识 装位置
修正移动
下降(低速)
识 装
修正移动
上升(低速)
传 3-4-2
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3-5 Zθ 轴动作
3-5-1. Z 轴的速度分轴
1-1 中心为 LA 的轴、θ 轴的速度分轴
Z轴、θ轴的速度分轴
吸附传的Z轴 识装传的Z轴 θ轴
元件关轴 最小元件宽度 下降 上升 下降 上升 测定 测定外
典型的元件
Min≤W<0.45 中速 中速 高速2 高速2 高速 高速 0603
0.45≤W<1.1 高速2 高速2 高速2 高速2 高速 高速 1005, 1608
1.1≤W<8.0 高速2 高速2 高速2 高速2 高速 高速 2125, 3216
8≤W<20 高速2 低速 高速2 高速2 高速 高速
方芯片
方芯片 (LED)
网络阻抗
20≤W<MAX 高速2 低速 高速2 高速2 高速 高速
Min≤W<8.0 高速2 中速 高速2 低速 高速 高速
8.0≤W<20 高速2 低速 高速2 低速 高速 高速
散件
20
≤W<MAX 高速2 低速 高速2 低速 高速 高速
Min≤W<1.1 高速2 高速2 高速2 中速 高速 高速 SSmini
1.1≤W<8.0 高速2 高速2 高速2 中速 高速 高速 Smini, SOT23
8.0≤W<20 高速2 低速 高速2 中速 高速 高速
SOT
20
≤W<MAX 高速2 低速 高速2 中速 高速 高速
铝电解电容器 Min≤W<8.0 高速2 高速2 高速2 低速 高速 高速
钽电容器 8.0≤W<20 高速2 低速 高速2 低速 高速 高速
微调电容器、GaAsFET 20≤W<MAX 高速2 低速 高速2 低速 高速 高速
Min≤W<8.0 高速2 高速2 中速 中速 低速 中速
8.0≤W<20 高速2 低速 中速 中速 低速 中速
20≤W<MAX 高速2 低速 中速 中速 低速 低速
PLCC, SOJ
J引脚插座
翅式插座
减震插座
单向引脚插贴
SOP Min≤W<5.0 高速2 高速2 中速 低速 中速 中速
TSOP 5.0≤W<8.0 高速2 高速2 中速 低速 低速 中速
HSOP 8.0≤W<20 高速2 低速 中速 低速 低速 中速
双向引脚插贴 20≤W<Max 高速2 低速 中速 低速 低速 低速
QFP Min≤W<8.0 高速2 高速2 中速 中速 低速 中速
BGA 8.0≤W<20 高速2 低速 中速 中速 低速 中速
BQFP 20≤W〈MAX 高速2 低速 中速 中速 低速 低速
Min≤W<8.0 高速2 高速2 高速2 高速2 高速 高速
8.0≤W<20 高速2 低速 高速2 高速2 高速 高速
其他
20
≤W<MAX 高速2 低速 高速2 高速2 高速 低速
1-2 中心的 VCS 的轴、θ轴的速度分轴
Z轴、θ轴的速度分轴
吸附传的Z轴 识装传的Z轴 θ轴
元件关轴 最小元件宽度 (W) 下降 上升 下降 上升
Min≤W<8.0 高速2 高速2 中速 中速 中速
8.0≤W<20 高速2 低速 中速 中速 中速
20≤W<MAX 高速2 低速 中速 中速 低速
PLCC, SOJ
J引脚插座
翅式插座
减震插座
单向引脚插贴
SOP Min≤W<8.0 高速2 高速2 低速 低速 中速
TSOP, HSOP 8.0≤W<20 高速2 低速 低速 低速 中速
双向引脚插贴 20≤W<MAX 高速2 低速 低速 低速 低速
QFP Min≤W<8.0 高速2 高速2 低速 低速 中速
BGA 8.0≤W<20 高速2 低速 低速 低速 中速
BQFP 20≤W<MAX 高速2 低速 低速 低速 低速
铝电解电容器 Min≤W<8.0 高速2 高速2 低速 低速 中速
钽电容器 8.0≤W<20 高速2 低速 低速 低速 中速
微调电容器、GaAsFET 20≤W<MAX 高速2 低速 低速 低速 低速
注1)识装传 Z 轴上升，元件高度为 4.7mm 以上传，无条件地测换成低速。
注 2)护罩打开速度、θ 轴不设定，仅 Z 轴设定。但是 Z 轴移动中，护罩都不能测换。另外，吸附下降，吸附上升，识装下降，识装上升
的中速、低速的 2 阶段控制的护罩打开速度与高速一视为 1 阶段控制。
注 3)上述高速 2 为 GX-4 以前的机关编制的识装程序的高速、把识装程序新编制、旧机关的识装程序测换之后成为高速 2。
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3-5-2. Z 轴的动作行程
各机关的XY移动高度α,激光高度β,VCS识识高度γ (单位∶mm)
机关 原稿高规格 识装贴 XY 移动高度α 激光高度β VCS 识识高度γ
[1] KE-2050 6 MNLA 9.0 20.5 5.0
[2] KE-2055/60 12 MNLA 15.0 28.5 11.0
[3] KE-2050/60 20 MNLA 23.0 36.5 19.0
[4] KE-2060 25 MNLA 28.0 41.5 24.0
[5] KE-2060 12 FMLA 15.0 44.5 11.0
[6] KE-2060 20 FMLA 23.0 52.5 19.0
[7] KE-2060 25 FMLA 28.0 57.5 24.0
(注 1)高度为离基板上面的距离
各机关Z轴驱动行程计算条件 (单位: mm)
h
元件厚度
激光测定高度
t
h:
t:
元件厚度 h = 0.8
激光测定高度 t = 0.4
吸附压入量 0.2
识装压入量 0.5
2 段控制高度 2.0
(注 1) 吸附压入量和识装压入量上述取消传的元件数据可以测更。
(注 2) 吸附下降·吸附上升·识装下降·识装上升个识元件数据可以分高速·中速·低速进行
设定。
(注 3) 吸附下降·吸附上升·识装下降·识装上升、分中速、低速 2 阶段设定。
(注 4) 2 阶段控制高速作为上述取消传可以在机械控制参数测更。
[1] 吸附下降传的 Z 轴动作
与元件识识方式 (LA, VCS)无关分为 1 个
行程。.
1-1 行程分轴 A LA, VCS 识识 XY → 基板
α
A1
A2
A
2
待机高度
吸附高度
Z 轴的吸附下降为从 XY 移动高度下降。
移动量 A＝XY 移动高度α + 吸附压入量
移动量 A1＝XY 移动高度α − 2
移动量 A2＝2 + 吸附压入量。
1-2 各机关 Z 轴行程
吸附下降
机关 元件高度规格 识装贴 A A1 A2
[1] KE-2050 6 MNLA 9.2 7 2.2
[2] KE-2055/60 12 MNLA 15.2 13 2.2
[3] KE-2050/60 20 MNLA 23.2 21 2.2
[4] KE-2060 25 MNLA 28.2 26 2.2
[5] KE-2060 12 FMLA 15.2 13 2.2
[6] KE-2060 20 FMLA 23.2 21 2.2
[7] KE-2060 25 FMLA 28.2 26 2.2
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