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当采用“ Match ”算法发生 “错件”误报时，如下： 上图为采用“ Mat ch ”算法 的“错件”误报调试窗体 ，选用的操作为 ① 中的【派生】 ，增加一个待 用检测项 。 当采用“ OCR ”算法发 生“错件”误 报时，可通过 改变 ROI 范围来 消除误报。 3.3.6 缺件 缺件 缺件 缺件 缺件，是电子 元器件的 一个重要检测 项，是 元器件三大必 须检测项之一 。缺件采用的算法有 “ T OC ”算 法、 “ OCV ”…
对于此类“错件”误报，采用“内派生”操作，单击①中的【派生】操作，增加待用检测项标准。当“错件”
误报时返回值与判定范围的下限差异不大时，降低判定下限，一般为 5 个刻度值为单位。
当采用“OCV”算法发生“错件”误报时，如下：
上图为 “错件”误报窗体，标准丝印为“472”，待测丝印为“268”，丝印发生改变，选择增加丝印标准，
进行“内派生”操作，如①区域中的【派生】，消除此类误报。或者“OCV”算法的返回值为 13.6，判定范
围为（0， 12）时，采取增大判定上限，将判定范围调节为（0， 15），则消除该误报。
①
①①
①
①
①①
①
当采用“Match”算法发生“错件”误报时，如下：
上图为采用“Match”算法的“错件”误报调试窗体，选用的操作为①中的【派生】，增加一个待用检测项。
当采用“OCR”算法发生“错件”误报时，可通过改变 ROI 范围来消除误报。
3.3.6 缺件
缺件缺件
缺件
缺件，是电子元器件的一个重要检测项，是元器件三大必须检测项之一。缺件采用的算法有“TOC”算
法、“OCV”算法、“Match”算法、“OCR”算法、“Histogram”算法、“Length”算法和“Pole”算法。其中
“TOC”算法、“OCV”算法、“Match”算法、“OCR”算法与“错件”中的“TOC”算法、“OCV 算法”、“Match”
算法、“OCR”算法一致。“Histogram”算法是通过分析区域的平均亮度来检测的，而“Pole”算法是通过检
测电容的两个电极要检测的，该 2 种算法都是针对于电容的缺件检测。
当“缺件”采用“Histogram”算法时，其注册窗体如下：
①
①①
①
上图为“Histogram”算法下的“缺件”注册窗体，说明如下：
① ROI 区域：缺件框大小要偏离电容本体 2 个像素左右，宽度大小为整个焊盘的三分之一到三分之二之间，
高度大小要与电容本体的高度大小一致。
② 检测算法区域：【检测算法】选择“Histogram”算法，其他参数见②区域。
③ 缺件的判定区域：默认判定范围为（0， 120）。
④ Histogram 参数：【检测模式】选择“Min”，或者为“Max”；色彩模式为【红】+【绿】 + 【平均】；【比
率】为 100%。
提示
提示提示
提示：
：：
：缺件类
缺件类缺件类
缺件类“
““
“Histogram”
””
”算法下
算法下算法下
算法下【
【【
【比率
比率比率
比率】
】】
】必需为
必需为必需为
必需为 100%。
。。
。
当“缺件”采用“Pole”算法时，其注册窗体如下：
①
①①
①
②
②②
②
③
③③
③
④
④④
④