ALeaderAOI-Ver 4.0.pdf - 第130页
上图为“ Hist ogram ”算法 下的“缺件 ”注册窗体， 说明如下： ① ROI 区域： 缺件框大小要偏离电容本 体 2 个像素左右， 宽度大小为整个焊 盘的三分 之一到三分之 二之间， 高度大小要与电 容本体的 高度大小一致。 ② 检测算法区域： 【检测算法 】选择“ Hist ogram ”算法 ，其他参数 见②区域。 ③ 缺件的判定区域 ：默认判定范围 为（ 0 ， 120 ） 。 ④ Histogram 参数： 【检测模…
当采用“Match”算法发生“错件”误报时，如下：
上图为采用“Match”算法的“错件”误报调试窗体，选用的操作为①中的【派生】，增加一个待用检测项。
当采用“OCR”算法发生“错件”误报时，可通过改变 ROI 范围来消除误报。
3.3.6 缺件
缺件缺件
缺件
缺件，是电子元器件的一个重要检测项，是元器件三大必须检测项之一。缺件采用的算法有“TOC”算
法、“OCV”算法、“Match”算法、“OCR”算法、“Histogram”算法、“Length”算法和“Pole”算法。其中
“TOC”算法、“OCV”算法、“Match”算法、“OCR”算法与“错件”中的“TOC”算法、“OCV 算法”、“Match”
算法、“OCR”算法一致。“Histogram”算法是通过分析区域的平均亮度来检测的，而“Pole”算法是通过检
测电容的两个电极要检测的，该 2 种算法都是针对于电容的缺件检测。
当“缺件”采用“Histogram”算法时，其注册窗体如下：
①
①①
①
上图为“Histogram”算法下的“缺件”注册窗体，说明如下：
① ROI 区域：缺件框大小要偏离电容本体 2 个像素左右，宽度大小为整个焊盘的三分之一到三分之二之间，
高度大小要与电容本体的高度大小一致。
② 检测算法区域：【检测算法】选择“Histogram”算法，其他参数见②区域。
③ 缺件的判定区域：默认判定范围为（0， 120）。
④ Histogram 参数：【检测模式】选择“Min”，或者为“Max”；色彩模式为【红】+【绿】 + 【平均】；【比
率】为 100%。
提示
提示提示
提示：
：：
：缺件类
缺件类缺件类
缺件类“
““
“Histogram”
””
”算法下
算法下算法下
算法下【
【【
【比率
比率比率
比率】
】】
】必需为
必需为必需为
必需为 100%。
。。
。
当“缺件”采用“Pole”算法时，其注册窗体如下：
①
①①
①
②
②②
②
③
③③
③
④
④④
④
上图为“Pole”算法下的缺件注册窗体，说明如下：
① ROI 框：缺件框的大小要比本体大小小 2 个像素左右。该框的大小一般是由④区域中的【自动重置大小】
获取。
② 检测算法区域：【检测算法】选择为“Pole”算法。其他参数见②区域中示意。
③ 缺件的判定区域：判定范围为（0， 12）。
④ Pole 参数：色彩特征选择为【红】+【绿】+【最大】；电极的亮度比较亮，【差异阈值分割电极】为非选
择状态，否则为选择状态。其他参数见④区域。需单击【自动重置大小】来设置缺件框的大小。
当“Histogram”算法下发生“缺件”时，如下：
①
①①
①
②
②②
②
③
③③
③
④
④④
④
①
①①
①