IPC-A-600H-2010 中文版 印制板的可接受性 (1).pdf - 第119页
T arget Condition - Class 1,2,3 （⽬标条件 - 1,2,3级） Acceptable - Class 3 （可接受条件 - 3级） • Wrap plating is continuous from the filled plated hole onto the external surface and extends by a minimum of 25 µm [984 µin] where an an…
Copper wrap plating minimum as specified in the IPC-6010 series shall be continuous from the filled plated hole onto the external surface of
any plated structure and extend by a minimum of 25 µm [984 µin] where an annular ring is required as shown in Figure 339a.
Reduction of surface wrap copper plating by processing (sanding, etching, planarization, etc.) resulting in insufficient wrap plating is not
allowed as shown in Figure 339b.
IPC-6010系列文件中规定的最小铜包覆电镀应当从填塞的镀覆孔到任何电镀结构外层表面是连续的，且在要求有环宽时，至少要
延伸25µm[984µin]，如图339a所示。
不允许出现如图339b所示的由于加工（研磨、蚀刻、整平等）导致包覆铜电镀不足造成的表面包覆铜镀层减少。
Note: Cap plating, if required, over filled holes is not considered in wrap copper thickness measurements.
注： 如要求盖覆电镀，测量包覆铜厚度时，不考虑将塞孔上方作为测量点。
图339a 表⾯包覆铜测量（适⽤于所有填塞的PTH）
图339b 由于过度研磨/整平去除的包覆铜（不可接受）
注：尺寸标注线和箭头标示出了包覆铜已被去除之处。
3.3 PLATED-THROUGH HOLES – GENERAL（镀覆孔 – 总则）
3.3.9 Copper Wrap Plating（铜包覆电镀）
Visual observations made on cross-sections only.（仅对显微切片进行目检观察。）
110 IPC-A-600H-20102010年4月
Target Condition - Class 1,2,3（⽬标条件 - 1,2,3级）
Acceptable - Class 3（可接受条件 - 3级）
• Wrap plating is continuous from the filled plated hole onto the
external surface and extends by a minimum of 25 µm [984 µin]
where an annular ring is required.
• Wrap thickness is not less than 12 µm [472 µin] for through, blind
and buried vias ≥ two layers..
• Wrap thickness is not less than 6 µm [236 µin] for blind and bur-
ied microvias.
• Wrap thickness is not less than 7 µm [276 µin] for buried via
cores (two layers).
• Reduction of surface wrap copper plating by processing (sanding,
etching, planarization, etc.) does not result in insufficient wrap
plating.
• 包覆铜电镀从填塞的镀覆孔到外层表面是连续的，且要求有
环宽时，至少延伸25µm[984µin]。
• 对于大于等于两层的通孔、盲导通孔和埋导通孔，包覆铜镀
层厚度不小于12µm[472µin]。
• 对于盲 孔 和 埋 孔 微 导通孔包覆铜镀层厚度不小于6µm[236
µin]。
• 对于埋 孔导通 孔 芯材（两层）包覆铜镀层厚度不小于7µm
[276µin]。
• 由于加工（研磨、蚀刻、整平等）导致的表面包覆铜镀层的
减少没有造成包覆铜镀层不足。
图339c
3.3 PLATED-THROUGH HOLES – GENERAL（镀覆孔 – 总则）
3.3.9 Copper Wrap Plating (cont.)（包覆铜电镀（续））
Visual observations made on cross-sections only.（仅对显微切片进行目检观察。）
111IPC-A-600H-2010 2010年4月
Acceptable - Class 1,2（可接受条件 - 1,2级）
• Wrap plating is continuous from the filled plated hole onto the
external surface.
• Wrap thickness is not less than 5 µm [197 µin] for all through-
hole and via structures.
• Reduction of surface wrap copper plating by processing (sanding,
etching, planarization, etc.) does not result in insufficient wrap
plating.
• 包覆电镀从填塞的镀覆孔到外层表面是连续的。
• 对于所有通孔 和 导 通 孔结构，包覆铜镀层厚度不小于5µm
[197µin]。
• 由于加工（研磨、蚀刻、整平等）导致的表面包覆铜镀层的
减少没有造成包覆铜镀层不足。
Nonconforming - Class 1,2,3（不符合条件 - 1,2,3级）
• Defects either do not meet or exceed above criteria.
• 缺陷不符合或超出上述要求。
Note: Cap plating, if required, over filled holes is not considered in wrap copper thickness measurements.
注： 如要求盖覆电镀，测量包覆铜厚度时，不考虑将塞孔上方作为测量点。
图339d
图339e
图339f
3.3 PLATED-THROUGH HOLES – GENERAL（镀覆孔 – 总则）
3.3.9 Copper Wrap Plating (cont.)（包覆铜电镀（续））
Visual observations made on cross-sections only.（仅对显微切片进行目检观察。）
112 IPC-A-600H-20102010年4月